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1.
采用固相反应法制备了不同烧结温度(950~1 180 ℃)、烧结时间、烧结次数共7种工艺的Sr3YCo4O10.5+δ多晶块材,通过热分析、XRD、SEM确定了有序化相变和最佳烧结工艺(1 180 ℃/24 h+1 180 ℃/24 h),并研究了多晶的电磁性能。结果表明,964 ℃完全晶化的四方相Sr3YCo4O10.5在1 042 ℃吸氧(δ)完成有序化,生成Sr3YCo4O10.5+δ,而1 100 ℃和1 180 ℃烧结的样品均出现(103)、(215)超结构峰,验证了其结构的有序性。块材均呈半导体电输运行为,二次烧结晶格完整性提高,晶粒长大,300 K时电阻率仅为0.06 Ω·cm,居里温度(Tc)~335 K,零场冷曲线(ZFC)上的Hopkinson峰源于低温时被冻结的磁矩随温度升高转向磁场方向,磁化强度在298 K达到最大,随后受热扰动的影响减小。室温铁磁性源于有序结构导致的中自旋或高自旋态Co3+的eg轨道有序。 相似文献
2.
许雪松 《原子与分子物理学报》2006,23(1):137-142
应用密度泛函B3LYP/6—31+G(d,p)方法对C8H80-(H2O)n(n=1~5)团簇这种弱相互作用体系进行垒自由度能量梯度优化,得到该系列团簇的稳定蛄构.计算结果表明。在该系列二元团簇中,一方面水分子数目的多少对苯基丙酮分子的结构影响很小,另一方面由于苯基丙酮分子的存在,破坏了团簇中水分子的对称性结构,在团簇内部极力形成O—H—O这样弯曲的有方向性的氢键.对苯基丙酮-水这样结构复杂的团簇,指认光谱的难度非常大,本文只讨论了与C=O有关的振动峰和水分子的对称伸缩振动的最强峰. 相似文献
3.
从点电荷的电势计算公式出发推导出了瓣形均匀带电面在其直径处的电势分布.进一步讨论了均匀带电半球面在其底面以及均匀带电球面内部和外部的电势分布. 相似文献
4.
5.
著名数学家华罗庚先生说过:“数缺形时少直观,形少数时难入微,数形结合百般好,隔裂分家万事休.”本文就是利用形象的直线“y=x”模型来研究某些递推数列问题,不仅使这一类问题的解决简捷明快,而且更具有直观性和启发性.1递推数列在某已知图象上例1(2005年辽宁高考题)一给定函数 相似文献
6.
同学们在学习中存在的一个重要问题是 ,遇到综合题 ,常常有一种老虎啃天 ,无处下牙的感觉 .那么 ,怎样解综合题呢 ?我们认为应当注意以下三点 .1 要敢想许多同学每当遇到难的综合题 ,往往就被众多的已知条件吓倒了 .一看到综合题 ,首先出现的念头就是 :“我不会” .这个念头一出现 ,就不想再往下做了 ,自己认为自己解不出来 .从心理学上来说 ,这就抑制了自己的思维 ,当然就做不出来了 .反过来 ,换个角度考虑问题 .命题人出题 ,肯定是按照我们的现有认知水平命题 ,不可能出超出我们所学范围的题目 .因此 ,按我们的学习水平 ,我们一定能解出… 相似文献
7.
报道了硅基有机微腔的电致发光(EL).该微腔由上半透明金属膜、中心有源多层膜和多孔硅分布Bragg反射镜(PS DBR)组成.半透明金属膜由Ag(20nm)构成,充当发光器件的负电极和微腔的上反射镜.有源多层膜由Al (1 nm) / LiF(05 nm) /Alq3/Alq3:DCJTB/NPB/CuPc/ITO/SiO2组成,其中的Al/LiF为电子注入层,ITO为正电极,SiO2为使正、负电极电隔离的介质层.该PS DBR是采用设备简单、成本低廉且非常省时的电化学腐蚀法用单晶Si来制备的;该PS
关键词:
电化学腐蚀
电致发光
窄峰发射
硅基有机微腔 相似文献
9.
带有给定凸切线多边形的保形五次样条逼近 总被引:3,自引:0,他引:3
本讨论带有给定切线多边形的保形逼近问题.给出了一条与给定切线多边形相切的保形五次参数祥条曲线。 相似文献
10.
本文用变换群理论对运动水平平板混合对流边界层流动的动量、能量和浓度扩散方程进行了分析,得到了与X4/(7-5n)成正比的壁面温度分布和浓度分布,同时壁面运动速度正比于X(3-n)/(7-5n)时存在相似性解.导出了相似性解方程,用四阶Runge-Kutta方法进行了计算,给出了Pr=0.72 和Sc,K1,K2,K3参数下的速度、温度和浓度分布,得出了各参数对流场、温度场的影响。 相似文献