衬底对单层二硫化钼光学性质的影响

为了实现二硫化钼器件化应用,通过机械剥离和PMMA纳米转移相结合的方法,研究二氧化硅、氮化硅和蓝宝石衬底对单层二硫化钼拉曼光谱以及光致发光光谱的影响.实验结果表明,单层二硫化钼在二氧化硅、氮化硅及蓝宝石衬底间转移会释放应力.氮化硅和蓝宝石衬底对单层二硫化钼引入p型掺杂,导致转移后拉曼光谱中的403 cm-1处A1g峰发生0.48 cm-1和1.20 cm-1的蓝移,光致发光光谱中的位于662 nm处的I峰有5.44 nm和12.73 nm的红移.本工作对单层二硫化钼的应用具有重要意义.     

织构C60薄膜的生长与光致发光特性

用Hot Wal方法，在氟金云母单晶上生长出了（111）织构的C₆₀薄膜．用X射线衍射、Raman散射、扫描电子显微镜和原子力显微镜研究了织构C₆₀薄膜的结晶质量和结构特性．测量了织构C₆₀薄膜在室温300K和低温77K的光致发光光谱．对所得结果进行了分析与讨论 关键词：     

激光分子束外延方法生长的ZnO薄膜的发光特性

研究了不同温度和不同光激发强度下激光分子束外延方法生长的ZnO薄膜样品的发光性能,发现YAG脉冲激光激发,强度超过一定值时会在长波方向上出现一个新的发光峰,此峰可能起源于电子-空穴的复合。室温下氙灯激发的光谱中可以看到峰值位于381nm的近带边紫外发射峰和位于450nm的强的蓝绿带发射,根据光致发光激发光谱的特征给出了一个简单的蓝光发射模型。对比YAG脉冲激光激发和氙灯激发得到的实验光谱,我们认为不同的光谱特征和样品发光的激发机制有关,紫外峰发射需激发强度超过一定值才能观察到,而蓝带发射则在一定的激发强度下迅速饱和。     

n(Zn)：n(Ga)比值对合成ZnGa2O4结构及光致发光性能的影响

以ZnO和HGaO₂为原料,用不同配比合成出系列ZnGa₂O₄,并对其晶体结构和发光性能进行了研究。用荧光分光光度计检测了ZnGa₂O₄的激发和发射光谱,用X射线衍射仪检测了ZnGa₂O₄的衍射图谱,用热重差热仪绘制了TGA-DAT曲线。对检测结果分析认为:1.ZnGa₂O₄属于尖晶石结构,稍过量的Zn或Ga能进入ZnGa₂O₄结构中,并对ZnGa₂O₄的晶格常数产生一定影响。2.ZnGa₂O₄存在两个自激发光中心,当Ga稍过量时,自激发光中心是四面体镓氧键[T_d(Ga-O)],最大激发波长约248nm,最大发射波长约367nm;当Zn稍过量时,自激发光中心是八面体镓氧键[O_h(Ga-O)],最大激发波长约270nm,最大发射波长约441nm。当n(Zn):n(Ga)在理论值附近,激发和发射光强度最大,而且光谱峰位发生了红移。3.ZnGa₂O₄的热稳定性能非常好。上述结论对研究ZnGa₂O₄基质或掺杂的发光材料具有一定意义。     

Micro-Photoluminescence Investigation of Single Quantum Dot and its Molecule of CdSe/ZnSe

The single and a few coupled quantum dots are important for future quantum information sciences and their investigation is also a big challenge in physics. We investigate here the electronic and exciton states and their interaction with each other via micro photoluminescence. The luminescence for single and a few dots as well as a dot molecule of CdSe/ZnSe are measured with very high resolution, under liquid He temperature and magnetic fields and with different polarization of excitation laser. The observed sharp spectral lines are attributed to the atomlike transitions of exciton, trion, biexciton… in the investigated single QD or QD molecule. Band filling, Zeeman splitting, spin transition and their relaxation are observed and investigated＇from the spectra and compared with those of same material in different dimensions, and compared with the primary calculation as well. In addition, quite a few new phenomena, which can not be understood based on our present model and knowledge, are also observed; and some very interesting problems are left for further investigation.     

PVK∶DBVP掺杂体系的能量转移及发光性质的研究

研究了不同比例的PVK与齐聚PPV衍生物DBVP掺杂体系的能量转移和发光特性.通过对PVK,DBVP及PVK:DBVP掺杂体系的UV-vis,PL和PLE光谱的研究,分析了PVK与DBVP之间的能量转移过程.利用PVK在体系中类似于溶剂的分散作用,制备了结构为ITO/PEDOT/PVK:DBVP/LiF/Al的电致发光器件,研究了掺杂体系的电致发光性能.结果表明,在掺杂体系的光致发光和电致发光中,PVK的发射被有效地抑制,PVK与DBVP之间发生了非常有效的能量转移,通过调节PVK与DBVP的比例,可以获得蓝色和绿色发光,同时可以改善器件的发光性能,当PVK与DBVP的重量比为1∶2时,器件的绿色发光效率达到1·06cd/A,此时发光亮度为52cd/m2.     

SiOx纳米管的制备及其发光特性

以液态金属镓为媒介,利用热蒸发法合成大量非晶SiOx纳米管,这些纳米管管径均匀分布,平均约80 nm,长度大于10μm,且管内外径比例较小．分析发现,在实验过程中,熔入金属镓液滴中的硅元素和氧元素结合并从液滴的表面饱和析出,形成以镓为中心的非晶SiOx纳米管状结构．在室温中,利用260 nm的激发光源激发SiOx纳米管,发现在蓝光波段附近发出强而稳定的PL谱线,这可能与样品中的氧缺陷和空位有关．     

蓝色长余辉光致荧光粉的研究

高温固相反应合成了蓝色长余辉光致荧光材料CaAl2O4∶Eu2 ,Nd3 ,La3 ,激发后在暗室中观察,余辉的颜色为蓝色。进行了添加辅助激活剂的实验,首次在CaAl2O4∶Eu2 ,Nd3 中添加La3 。测定了该长余辉材料的激发光谱、发射光谱、余辉亮度和可视余辉时间,并对长余辉发光机理进行了探讨。余辉发射光谱的峰值波长为440nm,可视余辉时间达到18h以上。波长为280~380nm的光都可将该材料激发。实验结果表明,添加辅助激活剂La3 ,延长了CaAl2O4∶Eu2 ,Nd3 的可视余辉时间。在CaAl2O4∶Eu2 ,Nd3 ,La3 中,Eu2 是发光离子,Nd3 和La3 是辅助激活剂,发射光谱由Eu2 的激发态4f65d到基态4f7的电子跃迁产生。     

ZnSe及ZnSe/GaAs异质结构中压力导致的直接禁带向间接禁带的转变

用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明，同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同，ZnSe的X点导带底具有正的压力系数，但比г点的压力系数小，这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响，表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。     

Effect of Ag Doping on Optical and Electrical Properties of ZnO Thin Films

ZnO thin films were prepared on p-type Si (100) substrates by the sol-gel process. The influence of Ag doping at a content of 0.002% on the photoluminescence and current-voltage (I - V) characteristics of ZnO thin films has been investigated. It is found that Ag doping leads to a pronounced increase in the intensity of near band edge emission at 3.23eV and a remarkable red shift of the visible broadband at room temperature. The I - V characteristics of ZnO/p-Si heterojunctions are also changed. These results could be explained by Ag substituting for Zn in Ag doped ZnO thin films.