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讨论伪统一模与剩余格之间的关系,证明完备格上无穷∨-分配伪统一模和它的剩余蕴涵算子构成一个完备剩余格,并说明任给一个完备剩余格L=(L,∧,∨,*,e→,,*是无穷∨-分配的伪统一模,→和(?)是*的剩余蕴涵算子. 相似文献
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膨胀型类磷酸酯蜜胺盐阻燃剂的合成及应用研究 总被引:11,自引:0,他引:11
以双季戊四醇(DPE)、五氧化二磷、水和三聚氰胺为原料,合成了膨胀型环状类磷酸酯蜜胺盐阻燃剂。通过实验提出了合成该阻燃剂的最佳反应条件为:双季戊四醇(DPE)、五氧化二磷、水和三聚氰胺反应物料摩尔配比为1/2.5/2.0/3.45、反应时间4h和反应温度120℃。红外吸收图谱分析表明该阻燃剂具有环状结构,在热重分析和差热分析中该阻燃剂显示出优异的热稳定性和很高的成碳性。以该阻燃剂掺入聚丙烯中,阻燃效果显著,经测试阻燃聚丙烯的极限氧指数(LOI)为33.6,烟密度等级(SDR)为44.25,通过了UL94V-0级。 相似文献
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令X为一个紧致度量空间,fX→X为(拓扑)传递的映射.通过对传递系统(X,f)在fn,n∈N的作用下的伪分解,先引入一个新的拓扑不变量"传递系统的PD函数(伪分解函数)".然后,讨论关于此不变量的一些重要性质.最后,把关于周期轨道的Sharkovskii定理推广到传递子系统上. 相似文献
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Improvements of Interfacial and Electrical Properties for Ge MOS Capacitor with LaTaON Gate Dielectric by Optimizing Ta Content 下载免费PDF全文
The interfacial and electrical properties of high-k LaTaON gate dielectric Ge metal-oxide-semiconductor(MOS)capacitors with different tantalum(Ta) contents are investigated. Experimental results show that the Ge MOS capacitors with a Ta content of ~30% exhibit the best interfacial and electrical properties, including low interfacestate density(7.6 × 10~(11) cm~(-2) eV~(-1)), small gate-leakage current(8.32 × 10~(-5) A/cm~2) and large equivalent permittivity(22.46). The x-ray photoelectron spectroscopy results confirm that the least GeO_x is formed at the Ge surface for the sample with a Ta content of ~30% due to the effective blocking role of Ta against O diffusion and the greatly improved hygroscopicity of LaON. 相似文献
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Fabrication and Characteristics of Nano-Floating Gate Memories with ZnO Nano-Crystals as Charge-Storage Layer 下载免费PDF全文
Nano-floating gate memory devices with ZnO nano-crystals as charge storage layers are fabricated,and the influence of post-deposition annealing temperature and thickness of the ZnO layer are investigated.Atomic force microscopy and scanning electron microscopy reveal the morphology of discrete ZnO nano-crystals.For capacitance-voltage measurements,it is found that the memory device with 1.5 nm ZnO and annealed at 700℃shows a larger memory window of 4.3 V(at±6 V)and better retention characteristics than memoriy devices with2.5 nm ZnO or annealed at other temperatures.These results indicate that the nano-floating gate memory with ZnO nano-crystals can obtain good trade-off memory properties. 相似文献
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建立了一种毛细管电泳测定蛋白质分子表面自由氨基的方法. 配制蛋白质样品溶液, 分取5等份, 分别加入过量的不同摩尔数的芴甲氧羰酰琥珀酰亚胺(FMOC-OSu)溶液, 室温下反应30 min后, 用胶束电动色谱测定蛋白质溶液中剩余的FMOC-OSu的峰面积. 以FMOC-OSu的峰面积对加入的FMOC-OSu的摩尔数做校准曲线. 该直线外推到峰面积为0时所对应的FMOC-OSu摩尔数即为参加反应的蛋白质表面的氨基的摩尔数. 因此可以计算出蛋白质表面的氨基数目. 用甘氨酸检验了本方法的可靠性. 以牛血清白蛋白为蛋白质模型, 测得其表面氨基数为32, 和文献报道值一致. 该方法简单易行并且反应条件温和, 可用于测定蛋白质修饰过程中的平均修饰度 相似文献
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数字图像相关测量的普及提出了建立散斑质量评价体系要求,即发展针对不同的数字散斑图能够评估测量精度的标准方法.其中,数字图像相关计算中插值误差引起亚像素位移系统偏差(插值偏差)的估计是评价散斑质量的重要参数,然而至今插值偏差与散斑图结构及其插值方法之间的深层机制仍然不明,而且缺乏快速有效的手段估计插值偏差的量级.基于傅里叶方法获得了插值偏差的解析表达式.在满足采样定理的情况下,对其简化得到了插值偏差的带限近似形式和正弦近似形式.插值偏差的正弦近似形式解释了插值偏差随亚像素平移呈正弦形式变化的现象.基于插值偏差的正弦近似公式,提出了决定插值算法用于相关匹配优劣的插值偏差核概念,它表征了插值算法对散斑图特定频率的偏差响应,插值偏差是由插值偏差核与图像功率谱乘积的积分决定的.基于理论分析,提出了一种通过散斑频谱和插值偏差核估计插值偏差的简便有效算法,较之于传统的散斑图平移方法有明显的速度优势.分析了模板大小对估计精度的影响,并通过模拟进行了验证.解释了插值偏差产生的深层机理,解决了长久以来插值偏差难以快速估计的问题.不仅可以用于插值偏差估计,也可以用于插值算法优化,滤波模板选取等问题.对建立散斑质量评价体系,从而制作方便用户的水转印标准散斑也有推动作用. 相似文献