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为了实现二硫化钼器件化应用,通过机械剥离和PMMA纳米转移相结合的方法,研究二氧化硅、氮化硅和蓝宝石衬底对单层二硫化钼拉曼光谱以及光致发光光谱的影响.实验结果表明,单层二硫化钼在二氧化硅、氮化硅及蓝宝石衬底间转移会释放应力.氮化硅和蓝宝石衬底对单层二硫化钼引入p型掺杂,导致转移后拉曼光谱中的403 cm-1处A1g峰发生0.48 cm-1和1.20 cm-1的蓝移,光致发光光谱中的位于662 nm处的I峰有5.44 nm和12.73 nm的红移.本工作对单层二硫化钼的应用具有重要意义. 相似文献
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自组装量子点材料作为一种新型的光电材料无论在理论和实际应用都成为当今物理学界的研 究热点.由GaAs包围的InAs小岛,由于较大的晶格失配(≈-0.067),应变效应在量子点 的 形成过程中起主导作用.大部分计算量子点结构应变分布的方法都是基于数值解法,需要大 量的计算工作.给出用格林函数法推导各种常见形状量子点应变分布的解析表达式详细过程,讨论了弹性各向异性和形状各向异性对量子点应变分布的影响程度.结果表明对于不 同形状量子点结构中主要部分的应变分布都是相似的,流体静压变部分的特征值随量子点形状的变化不
关键词:
自组装量子点
格林函数
应变分布 相似文献
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分析了单轴各向异性左手介质表面的Goos-H?nchen位移,分别给出了光轴与两种介质的界面垂直和平行情形下的Goos-H?nchen位移解析表达式,并分析了Goos-H?nchen位移产生的条件以及位移的正负情况.还采用菲涅尔近似的方法给出了临界角附近的Goos-H?nchen位移表达式,结果表明临界角附近的Goos-H?nchen位移是入射光的束腰半径和入射角的函数,并且给出了临界角入射时Goos-H?nchen位移的较为简洁的近似表达式,这样就在整个角度的取值范围内都给出了Goos-H?nchen位移的表达式.
关键词:
Goos-H?nchen位移
左手介质
单轴各向异性
临界角 相似文献
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分析了单轴各向异性左手介质表面的Goos-Hanchen位移,分别给出了光轴与两种介质的界面垂直和平行情形下的Goos-Hanchen位移解析表达式,并分析了Goos-Hanchen位移产生的条件以及位移的正负情况.还采用菲涅尔近似的方法给出了临界角附近的Goos-Hanchen位移表达式,结果表明临界角附近的Goos-Hanchen位移是入射光的束腰半径和入射角的函数,并且给出了临界角入射时Goos-Hanchen位移的较为简洁的近似表达式,这样就在整个角度的取值范围内都给出了Goos-Hanchen位移的表达式. 相似文献
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分析了单轴各向异性左手介质表面的Goos-H(a)nchen位移,分别给出了光轴与两种介质的界面垂直和平行情形下的Goos-H(a)nchen位移解析表达式,并分析了Goos-H(a)nchen位移产生的条件以及位移的正负情况.还采用菲涅尔近似的方法给出了临界角附近的Goos-H(a)nchen位移表达式,结果表明临界角附近的Goos-H(a)nchen位移是入射光的束腰半径和入射角的函数,并且给出了临界角入射时Goos-H(a)nchen位移的较为简洁的近似表达式,这样就在整个角度的取值范围内都给出了Goos-H(a)nchen位移的表达式. 相似文献
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The quantum confined Stark effect (QCSE) of the self-assembled InAs/GaAs quantum dots has been investigated theoretically. The ground-state transition energies for quantum dots in the shape of a cube, pyramid or “truncated pyramid” are calculated and analysed. We use a method based on the Green function technique for calculating thestrain in quantum dots and an efficient plane-wave envelope-function technique to determine the ground-state electronic structure of them with different shapes. The symmetry of quantum dots is broken by the effect of strain. So the properties of carriers show different behaviours from the traditional quantum device. Based on these results, we also calculate permanent built-in dipole moments and compare them with recent experimental data. Our results demonstrate that the measured Stark effect in self-assembled InAs/GaAs quantum dot structures can be explained by including linear grading. 相似文献
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We report the coexistence of TE and TM surface modes in certain same
frequency domain at the interface between one isotropic regular medium and
another biaxially anistotropic left-handed medium. The conditions for the
existence of TE and TM polarized surface waves in biaxially anisotropic
left-handed materials are identified, respectively. The Poynting vector and
the energy density associated with surface modes are calculated.
Depending on the system parameters, either TE or TM surface modes can
have the
time averaged Poynting vector directed to or opposite to the mode phase
velocity. It is seen that the characteristics of surface waves in biaxially
anisotropic left-handed media are significantly different from that in
isotropic left-handed media. 相似文献
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