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991.
多孔硅/多孔氧化铝与PVK复合光致发光特性   总被引:2,自引:1,他引:1  
用旋涂法实现了多孔硅、多孔氧化铝与聚乙烯咔唑(PVK)的复合,研究了多孔硅/PVK、多孔氧化铝/PVK复合体系的光致发光性能。PL谱的测试发现,多孔硅/PVK复合体系的PL谱同时具有多孔硅和PVK的发射峰。此外,在485nm的位置出现了一个新峰,讨论了这个峰的来源。而多孔氧化铝与PVK复合后,没有产生新的峰。但多孔氧化铝与PVK复合后,由于多孔氧化铝纳米孔的纳米限制效应使PVK的发光峰出现大幅度蓝移。从多孔硅与多孔氧化铝发光机制的不同出发,讨论了多孔硅、多孔氧化铝与PVK复合后产生不同结果的原因。  相似文献   
992.
非线性一维光子晶体波导光双稳   总被引:2,自引:2,他引:0  
利用非线性折射率系数较大且非线性时间响应较快的CdSxSe1-x玻璃为材料,设计并制备了非线性一维光子晶体波导光双稳器件,该器件的折射率空间分布呈正弦形式。实验测得双稳开关的阈值功率密度为1.60×105W/cm2,开关时间为63ps。采用时域有限差分方法讨论了光子晶体带隙随入射光强变化而移动的情况,随着入射光功率密度的增加,光子晶体的带隙中心向短波方向移动。同时计算了该器件的双稳特性,理论计算得到双稳开关的阈值功率密度为1.40×105W/cm2,开关时间约为50ps。获得了理论与实验基本一致的结果。  相似文献   
993.
多孔硅的光致发光机制   总被引:2,自引:1,他引:1  
王晓静  李清山 《发光学报》2004,25(4):396-400
人们已经提出了许多解释多孔硅发光的理论模型,每个模型都可以针对某些实验现象做出合理的解释,而对其他的实验结果就可能无法解释甚至相悖,因此多孔硅的发光机制至今仍是需要进一步研究和解决的问题。通过改变阳极氧化的条件,制得了一系列样品,其光致发光谱主要有四个峰。随着制备条件的改变,各个峰位的变化不大,但峰值强度比的变化比较大。随着自然氧化时间的延长,各个峰位的变化很小,有红移也有蓝移,有的则基本不变;而峰值强度的减弱幅度较大,但对应于各个峰位幅度的减弱是均衡的。分析实验现象产生的原因,认为多孔硅的发光是多种发光机制共同作用的结果;多孔硅纳米量子线的一定尺寸分布,不仅使光致发光谱存在一定的带宽,而且也是产生多峰现象的原因之一;多孔硅的结构特征对其发光特性起着决定性的作用。  相似文献   
994.
锁相检测式二维小角度测量装置   总被引:2,自引:1,他引:1  
钱建强  惠梅  王东生 《光学技术》2004,30(2):176-178
介绍了一种新型的二维小角度检测装置。由于该装置采用了光电自准直结构,以高灵敏度的四象限硅光电探测器作为检测元件,采用交流调制,锁相放大的方法对信号进行了处理,所以有效地消除了直流漂移的影响,提高了稳定性和测试精度。分析了光斑的形状和大小对测试结果的影响,研制了专门的标定装置。首先由高精度的光电自准直仪标定测量角度与输出信号的关系,并将相关数据存入单片机,然后由软件拟合出关系曲线。测量时,既可自动显示角度的大小,同时也可以与计算机相连。该测试系统结构小巧,具有较高的测量精度。  相似文献   
995.
16×0.8nm硅基二氧化硅阵列波导光栅设计   总被引:2,自引:2,他引:0  
给出了更为合理的阵列波导光栅(AWG)的设计原则。在设计时兼顾了输出谱的非均匀性Lu和输出通道数N的要求,克服了设计中可能引起通道数N丢失和不考虑输出谱非均匀性Lu的缺点。用该方法设计了折射率差为0 75%和16×0 8nm的硅基二氧化硅AWG。采用广角有限差分束传播方法(FD BPM)对所设计的AWG进行了输出谱的模拟,得到了插损为 1.5dB、串扰为 48dB、通道非均匀性约为1dB的AWG,设计指标达到了商用要求。  相似文献   
996.
董小伟  裴丽  简伟  简水生 《光学技术》2004,30(3):289-291
结合长周期光栅的特性和有机聚合物的优点,首次提出了一种新型的基于长周期光栅的有机聚合物高速电光调制器结构。应用多层光波导理论,分析计算了聚合物折射系数变化与长周期光栅谐振波长的关系。在此基础上进行了模拟实验,结果表明理论分析与实验基本一致。  相似文献   
997.
MRTD算法在集成平面光波导组件分析中的应用   总被引:2,自引:0,他引:2  
孔繁敏  郭毅峰  李康  刘新 《光子学报》2004,33(9):1068-1071
将基于Daubechies紧支集尺度函数的时域多分辨分析(MRTD)算法用于集成平面光波导组件的时域分析中,实现了MRTD算法的各向异性理想匹配层(APML)吸收边界条件,并对平行介质带定向耦合器进行了数值模拟和验证,所得结果与解析解非常一致.与传统的FDTD算法相比,MRTD算法在不牺牲计算精度的前提下能够大大节省计算资源.  相似文献   
998.
偏晶向(111)硅片闪耀光栅的制作   总被引:2,自引:2,他引:0  
鞠挥  张平  王淑荣  吴一辉 《光子学报》2004,33(6):755-757
硅光栅的制作可以利用湿法腐蚀体硅工艺.湿法腐蚀利用硅的各向异性,由硅的晶面形成光栅工作凹槽,利用湿法工艺可以制作在不同光谱波段内工作的闪耀光栅.设计了一种利用偏晶向(111)硅片制作闪耀光栅的方法,使用这种方法可以批量制作闪耀角度较小的光栅.利用扫描电子显微镜(SEM)进行了光栅表面形貌测试,试验结果表明,制作的硅光栅样片具有良好光学特性的反射表面和光栅槽形.硅闪耀光栅可以被用来制作微型光谱仪、滤光器等微型仪器或器件.  相似文献   
999.
超高速行波电吸收调制器的k值设计方法   总被引:3,自引:3,他引:0  
介绍了一种用于超高速行波电吸收调制器(TW-EAM)设计的“k值带宽法”.该方法考虑了影响调制器带宽的阻抗失配、相速度失配、微波衰减等因素,说明一个优化设计的TW-EAM其带宽可达到140 GHz.  相似文献   
1000.
基于磷酸化修饰的核/壳硅纳米颗粒药物缓释体研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用反相微乳液体系中功能化基团同步修饰方法制备了包载抗肿瘤药物平阳霉素(PYM)的磷酸化核/壳硅纳米颗粒(PYM-PO4SiNP), 考察了不同量的磷酸化修饰试剂对PYM-PO4SiNP的影响. 结果表明, 随着磷酸化修饰试剂量的增加, 制备的PYM-PO4SiNP的电位逐渐降低, 其包载的PYM 的释放速率逐渐加快, 但对颗粒的粒径没有明显影响. 本文选择能使药物平稳、缓慢释放的磷酸化修饰试剂用量, 制备了稳定性好、药物缓释时间长的PYM-PO4SiNP, 其载药量和包封率分别为7.2%和37.81%, 通过与CNE-2细胞共培育后, 可以使CNE-2细胞的存活率逐渐下降, 而磷酸化核/壳硅纳米颗粒PO4SiNP载体本身是没有毒性的. 这一研究工作的开展拓宽了核/壳硅纳米颗粒在药物载体领域中的应用.  相似文献   
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