16×0.8nm硅基二氧化硅阵列波导光栅设计 |
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引用本文: | 安俊明,李健,郜定山,李建光,王红杰,胡雄伟.16×0.8nm硅基二氧化硅阵列波导光栅设计[J].光学技术,2004,30(6):676-678. |
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作者姓名: | 安俊明 李健 郜定山 李建光 王红杰 胡雄伟 |
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作者单位: | 中国科学院半导体研究所,光电子研究发展中心,北京,100083;内蒙古大学,物理系,内蒙古,呼和浩特,010021;中国科学院半导体研究所,光电子研究发展中心,北京,100083 |
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基金项目: | 国家重点基础研究发展规划资助项目(G2000036602),国家自然科学基金资助项目(69889701) |
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摘 要: | 给出了更为合理的阵列波导光栅(AWG)的设计原则。在设计时兼顾了输出谱的非均匀性Lu和输出通道数N的要求,克服了设计中可能引起通道数N丢失和不考虑输出谱非均匀性Lu的缺点。用该方法设计了折射率差为0 75%和16×0 8nm的硅基二氧化硅AWG。采用广角有限差分束传播方法(FD BPM)对所设计的AWG进行了输出谱的模拟,得到了插损为 1.5dB、串扰为 48dB、通道非均匀性约为1dB的AWG,设计指标达到了商用要求。
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关 键 词: | 阵列波导 光栅 波分复用 设计 数值模拟 |
文章编号: | 1002-1582(2004)06-0676-03 |
修稿时间: | 2003年12月22 |
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