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1.
A 13-channel, InP-based arrayed waveguide grating (AWG) is designed and fabricated in which the on-chip loss of the central channel is about -5 dB and the crosstalk is less than -23 dB in the center of the spectrum response. However, the central wavelength and channel spacing are deviated from the design values. To improve their accuracy, an optimized design is adopted to compensate the process error. As a result, the central wavelength 1549.9 nm and channel spacing 1.59 nm are obtained in the experiment, while their design values are 1549.32 nm and 1.6 nm, respectively. The route capability and thermo-optic characteristic of the AWG are also discussed in detail.  相似文献   
2.
An efficient fabrication scheme of buried ridge waveguide devices is demonstrated by UV-light imprinting technique using organic-inorganic hybrid sol-gel Zr-doped SiO2 materials. The refractive indices of a guiding layer and a cladding layer for the buried ridge waveguide structure are 1.537 and 1.492 measured at 1550nm, respectively. The tested results show more circular mode profiles due to existence of the cladding layer. A buried ridge single-mode waveguide operating at 1550 nm has a low propagation loss (0.088 dB/cm) and the 1× 2 MMI power splitter exhibits uniform outputs, with a very iow splitting loss of 0.029 dB at 1549nm.  相似文献   
3.
16×0.8nm硅基二氧化硅阵列波导光栅设计   总被引:2,自引:2,他引:0  
给出了更为合理的阵列波导光栅(AWG)的设计原则。在设计时兼顾了输出谱的非均匀性Lu和输出通道数N的要求,克服了设计中可能引起通道数N丢失和不考虑输出谱非均匀性Lu的缺点。用该方法设计了折射率差为0 75%和16×0 8nm的硅基二氧化硅AWG。采用广角有限差分束传播方法(FD BPM)对所设计的AWG进行了输出谱的模拟,得到了插损为 1.5dB、串扰为 48dB、通道非均匀性约为1dB的AWG,设计指标达到了商用要求。  相似文献   
4.
采用电子束光刻和感应耦合等离子刻蚀等工艺,研制了一种基于绝缘硅材料的的微环谐振可调谐滤波器.滤波器微环半径为5 μm左右,波导截面尺寸为(350~500 nm)×220 nm不等.测试结果表明,波导宽度为450 nm时器件性能最为理想,其自由频谱宽度为16.8 nm,1.55 μm波长附近的消光比为22.1 dB.通过对微环滤波器进行热光调制,在21.4 ℃~60 ℃温度范围内实现了4.8 nm波长范围的可调谐滤波特性,热光调谐效率达到0.12 nm/℃.研究了基于单环和双环的多通道上下载滤波器,实验结果表明多通道滤波器的信号传输存在串扰,主要是不同信道之间的串扰,尤其在信号上载时,会在相邻信道产生较大串扰.  相似文献   
5.
设计了一种基于绝缘上层硅的硅-有机物材料混合马赫-曾德干涉型高速电光调制器.利用光束传播法对顶层硅为220nm的绝缘上层硅基片上的3dB分束器/合束器的结构参数进行模拟,优化后附加损耗仅为0.106dB.为提高模式转换效率,在条形波导和slot波导之间设计了模式转换器,光耦合效率高达98.8%,实现了光模式高效转化.利用时域有限差分法模拟了slot波导平板区掺杂浓度对波导内光学损耗的影响,在几乎不产生光学损耗的情况下,得到平板区轻掺杂浓度为71017/cm3,调制器设计总损耗为0.493dB.利用薄膜模式匹配法对slot波导结构进行仿真分析,考虑slot区等效电容及平板区等效电阻对带宽的影响,优化后得到slot波导结构的限制因子为0.199.采用slot波导与强非线性有机材料LXM1结合的绝缘上层硅平台实现了强普克尔效应,得到电光调制器半波电压长度积为1.544V·mm,电学响应3dB带宽为137GHz.  相似文献   
6.
在硅片上沉积厚二氧化硅的火焰水解法研究   总被引:6,自引:1,他引:5  
用火焰水解和高温烧结的方法在单晶硅基片上制备了厚SiO2和B2O2-P2O2-SiO2光波导包层材料。并用扫描电镜(SEM)和X射线粉末衍射(XRD)方法对其微观形貌和物相结构进行了观察和检测。重点对硅基片上沉积厚SiO2时的龟裂和析晶问题进行了深入研究。从扫描电镜照片可以看出.火焰水解法形成的SiO2粉末呈多孔的蜂窝状结构。这种粉末具有很高的比表面积,因而很容易烧结成玻璃。X射线衍射图谱表明.这种粉末是完全非晶态的。经过烧结以后,从扫描电镜照片可以明显看出硅基片上的SiO2薄膜出现龟裂。同时,X射线衍射测试结果表明有少量SiO2析晶。而通过在SiO2中掺入B2O3、P2O5,上述龟裂和析晶完全消失。用这种工艺制备的SiO2波导包层材料厚度达到20μm以上,表面光滑、没有龟裂,而且是完全玻璃态的,可以用于制备性能优良的各种硅基二氧化硅波导器件。  相似文献   
7.
溶胶-凝胶法制备光波导薄膜及性质的研究   总被引:8,自引:7,他引:1  
采用有机改性硅酸盐制备了光敏性溶胶-凝胶,并在凝胶中加入四丙氧基锆作为调节折射率的材料;用该凝胶在硅片上提拉成膜.为了增加薄膜与硅片的粘附性,成膜前先用干氧热氧化法在硅片上生长了一层厚度约为1500的二氧化硅;样品的原子力相片表明薄膜的表面非常平整,在5×5 μm2的范围内最大表面起伏只有0.657 nm.利用波导阵列掩膜版, 对制备的薄膜在紫外光波段下曝光,得到了表面平坦、侧墙光滑、陡直的沟道波导阵列.研究发现:紫外曝光时间和坚膜时的后烘温度都会使薄膜的折射率增大.通过对样品红外吸收谱的分析,从微观机理上解释了折射率随工艺条件变化的原因.  相似文献   
8.
A new fabrication technology for three-dimensionally buried silica on silicon optical waveguide based on deep etching and thermal oxidation is presented. Using this method, a silicon layer is left at the side of waveguide. The stress distribution and effective refractive index are calculated by using finite element method and finite different beam propagation method, respectively. The results indicate that the stress of silica on silicon optical waveguide fabricated by this method can be matched in parallel and vertical directions and stress birefringence can be effectively reduced due to the side-silicon layer.  相似文献   
9.
叙述了一个完整的16通道硅基二氧化硅阵列波导光栅(AWG)的设计、制备及测试过程。通道间隔为0.8nm(100GHz),解复用器的插入损耗为16.8dB,其中材料损耗为11.95dB,相邻通道串扰小于-17dB,通道插损非均匀性小于2.2dB。  相似文献   
10.
利用垂直腔表面发射激光器注入锁定实现上变频   总被引:2,自引:0,他引:2  
提出了一种基于垂直腔表面发射激光器(VCSEL)的无本振光子微波上变频方案。该方案将相对低速的伪随机基带信号注入VCSEL中,利用注入信号的高次谐波注入锁定VCSEL。被锁定激光器波长与原注入光信号在谐振腔中相干差拍,产生上变频调幅微波信号。实验中利用2.5Gb/s非归零码强度调制信号注入锁定VCSEL,无需本振,实现了载波频率为14.3GHz的光子微波上变频,10kHz偏移处载波相位噪声达-81dBc/Hz。通过调节注入光信号的波长和功率,进一步实现载波频率在7.5~23GHz之间的调谐,验证了该方案的可行性,并对系统性能进行了误码分析,系统代价为1.4dB。结果证明该方案无需微波本振,仅需采用价格低廉的VCSEL即可实现光子微波上变频,从而为无线光混合接入网中光子微波信号产生技术提供了一种低成本的解决思路。  相似文献   
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