半导体中的相干控制

本文综述了近年来相干控制这个新兴领域发展的动态,特别是在半导体方面的研究进展。主要介绍了ＴＨｚ辐射的产生和控制,载流子布居的相干控制,光电流大小和方向的控制等的原理和实验技术。     

GaAs体材料及其量子阱的光学极化退相特性

采用飞秒时间分辨瞬态简并四波混频技术，在室温下测量了GaAs体材料及其量子阱材料GaAs/Al_0.3Ga_0.7As的光学极化超快退相时间，当激光中心波长为785nm，受激载流子浓度为10¹¹cm^-2时，它们的退相时间分别为28fs和46fs.量子阱材料的退相时间比体材料的长，这是由于量子阱中的载流子在垂直于GaAs/AlGaAs界面的运动受到限制，运动呈现二维特性，大大减小了载流子的散射概率.实验中观察到瞬态简并四波混 关键词： 时间分辨简并四波混频 飞秒激光脉冲 退相 密度矩阵     

半导体中相干控制光电流对光场的偏振依赖性

采用黄金定则方法和Kane六能带模型，分析了半导体中的量子干涉控制光生电流效应.计算了不同偏振光场下载流子在动量空间的初始布居分布，从微观上阐明了相干电流对光场的偏振依赖特性.在平行线偏振情况下，相干电流方向沿光场的偏振方向；而在正交线偏振情况下，电流方向与倍频光的偏振方向相同.还证明了只有当单光子跃迁和双光子跃迁相平衡时才能获得最大的电流注入效率. 关键词： 量子干涉 光电流 线偏振光     

光学相干控制中脉冲光束等相面的实时测控

描述了飞秒脉冲基频光、倍频光光束位相差对相干控制光电流注入的控制作用，提出一种控制基频光、倍频光在全光孔径干涉光场内的等相面保持一致的实验方案，制作了一套相位差稳定自动控制系统，并应用于光学相干控制光电流实验中，获得较好的实时控制结果.     

非掺杂GaN的黄光发射模型确定

提出了一种新的光谱———吸收归一化光致发光激发谱,并用这种光谱研究了非掺杂GaN的黄光发射.实验上首次直接测量出了黄光发射的初始态的共振吸收峰位,从而解决了长期争论的有关黄光发射的发光模型问题 关键词： GaN薄膜 黄光发射 吸收归一化光致发光激发谱     

COHERENT OPTICAL PHONON EXCITATION BY FEMTOSECOND LASER PULSE IN YBa2Cu3O7-δ THIN FILMS

With a correlation of nonequilibrium carriers relaxation and coherent phonons displacive excitation, the coherent optical phonon oscillations in YBa₂Cu₃O_7-δ thin films excited by femtosecond laser pulse are simulated theoretically. It is revealed that as the oxygen concentration decreases, the coherent phonon oscillations become easier to be observed due to the decrease of the local coupling between the carriers and the lattice vibrations in the CuO₂ plane.     

基于高聚物光诱导激子漂白的无腔光学双稳态

基于已建立的高聚物光诱导激子漂白动力学理论，模拟计算了一类基态非简并高聚物在光激发和弛豫过程中的瞬态无腔光学双稳态．结果表明，基于高聚物的超快激发和弛豫，可获得瞬态饱和吸收型和增强吸收型无腔光学双稳态，其开关时间均在ps和fs量级．随着入射探测光脉冲相对入射泵浦光脉冲延迟时间的增加，无腔光学双稳态可由饱和吸收型向增强吸收型转变，转变的快慢与高聚物光诱导漂白的弛豫的快慢成正比 关键词：     

飞秒激光与超快现象(Ⅱ)

文章介绍超快现象研究的新进展，其中在飞秒相干光谱学、强场物理和超快光电子技术等领域的迅速进展，向人们展示了超快现象的真实世界．     

超高速行波电吸收调制器的k值设计方法

介绍了一种用于超高速行波电吸收调制器(TW-EAM)设计的“k值带宽法”.该方法考虑了影响调制器带宽的阻抗失配、相速度失配、微波衰减等因素,说明一个优化设计的TW-EAM其带宽可达到140 GHz.     

侧链基团对聚合物薄膜瞬态发光性能的影响

采用飞秒激光光谱技术比较研究了两种卟啉侧链聚合物:卟啉丙烯酸酯-苯乙烯共聚物P[(por)A-S]和卟啉铁(Ⅲ)丙烯酸酯-苯乙烯共聚物P[(por)FeA-S]的瞬态发光性能。并采用纳秒激光光谱技术测量了小分子卟啉(TPP)的荧光动力学过程。结果表明:P[(por)FeA-S]具有比P[(por)A-S]快得多的荧光弛豫过程,而P[(por)A-S]的荧光寿命远小于小分子卟啉的荧光寿命。对上述过程进行了分析,P[(por)A-S]的荧光衰变主要来源于聚合物分子链间的相互作用;而P[(por)FeA-S]的荧光衰变除了来源于聚合物分子链间的相互作用外,中央金属离子与配位体之间的电荷转移也对卟啉发色基团的激发态超快无辐射弛豫具有重要的影响,对上述过程的产生机理进行了讨论。