HI—V族化合物半导体的高能重离子辐照缺陷研究·

用正电子湮没寿命谱技术研究了2.4×1O15/cm2、2.2×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照N型GaP和1.6×1016/cm 2注量的85MeV19F离子辐照P型InP所产生的辐照缺陷.结果表明:两种注量辐照在GaP中均产生较高浓度的单空位.其浓度随着辐照注量的增大而增加;辐照也在InP中产生较高浓度的单空位.     

M/G/1非空竭服务休假排队系统随机分解的简化算法

本文根据M／G／1非空竭服务休假排队系统稳态队长随机分解的结构特征提出一种统一算法，该方法简洁高效，避免了再生循环方法繁杂的运算。运用该方法得出的结果与已知的用再生循环方法得出的结论一致。并且修正了Levy(1989)关于Bernoulli闸门服务休假排队系统随机分解的一个错误。     

多重休假的带启动--关闭期的Geom/G/1排队

本研究多重休假的带启动——关闭期的Geom／G／1离散时间排队，给出稳态队长，等待时间分布的母函数及其随机分解结果，推导出忙期的全假期的母函数，给出该模型的几个特例。     

γ-辐照对纯Y_2SiO_5和Eu~(3+)∶Y_2SiO_5晶体光谱性能的影响

研究了γ-辐照前后纯Y2SiO5和Eu3+掺杂的Y2SiO5晶体吸收光谱的变化,辐照后,未退火和氢气退火的纯Y2SiO5晶体在260~270 nm和320 nm波段产生了附加吸收峰,分别是由F心和O-心的吸收引起的;经过空气退火的纯YSO晶体中,由于消除了氧空位,因此辐照后没有出现色心吸收峰。在Eu3+∶Y2SiO5晶体中,不但有相同的F心和O-心吸收峰,而且还有Eu2+离子在300 nm和390 nm的吸收峰。随着辐照剂量的增加,色心附加吸收峰增强。空气退火能减少Eu3+∶Y2SiO5晶体中的色心,而氢气退火能增加色心。     

遗传中紧空间与散射分解

本文证明了可数仿紧(中紧、亚紧)空间有类似Junnila的刻画，遗传中紧空间不具有类似Junnila的刻画，并给出了每个散射分解有紧有限的开膨胀的充要条件．     

含氮类金刚石薄膜的紫外辐照研究

 用射频等离子体方法在玻璃基底上制备的类金刚石（DLC）薄膜，采用离子注入法掺氮，并对掺氮DLC薄膜紫外（UV）辐照前后的性能变化进行了研究。研究结果表明：随氮离子注入剂量及UV辐照时间的增加，位于2 930cm^-1附近的SP ³C-H吸收峰明显变小，而位于1 580cm^-1附近的SP2C-H吸收峰则明显增强，薄膜的电阻率明显呈下降趋势；随UV辐照时间的增加，位于1 078cm^-1附近的Si-O-Si键数量及位于786cm^-1附近的Si-C键数量明显增加。即氮离子注入和UV辐照明显改变了DLC薄膜的结构与特性。     

完全正矩阵的整数分解

n阶矩阵A称为完全正的,如果A有分解:A=BB^T,其中B为元素非负矩阵,B的最小可能列数称为A的分解指数.本文考察低阶双非负矩阵在整数环上的完全正分解及其分解指数.     

混合位级正交试验设计的极差分析方法

本文指出，在混合位级的正交试验设计中，以往的极差分析方法存在着不足。本文给出了极差的修正方法，并用大量实例做了数值验证，说明这个修正确实很有效     

具有奇异值分解性质的代数

设F为一个域,R为一个带有对合的F-代数,如果R上每一个矩阵都有奇异值分解(简称SVD),则称R为一个有SVD性质的F-代数.本文指出:R为一个有SVD性质的F-代数的充要条件是:R同构于R~+,或R~+上二次扩域,或R~+上四元数体((-1,-1)/R~+),其中R~+为R的对称元集合,并且R~+为一个Galois序闭域.     

sl_2(R)上Harish-Chandra模及其应用

将ｓｌ２（Ｒ）上不可约Ｈａｒｉｓｈ－Ｃｈａｎｄｒａ模及ｓｌ２（Ｒ）上不可分解的Ｈａｒｉｓｈ－Ｃｈａｎｄｒａ模进行了完全分类，得到了与ｓｌ２（Ｃ）上模分类的不同形式．作为应用，又构造了实Ｖｉｒａｓｏｒｏ代数的一类新的不可约表示．