Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的高能重离子辐照缺陷研究

用正电子湮没寿命谱技术研究了2.4×1015/cm2、2.2×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照N型GaP和1.6×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照P型InP所产生的辐照缺陷.结果表明:两种注量辐照在GaP中均产生较高浓度的单空位,其浓度随着辐照注量的增大而增加;辐照也在InP中产生较高浓度的单空位.     

用正电子湮没方法研究高能重离子辐照半导体InP

采用正电子湮没寿命谱方法 ,对 1 .6× 1 0 1 6 cm- 2注量的 85 Me V1 9F离子辐照 P型 In P单晶的微观缺陷进行了研究 ,在 3 0 0～ 1 0 2 3 K的温度范围内测量了正电子湮没寿命随退火温度的变化 .实验表明 :辐射在 In P中产生单空位缺陷 ,在退火过程中单空位相互聚合形成双空位 .单空位和双空位分别在 5 73 K和 72 3 K温度完全被退火     

γ辐照InP的正电子湮没研究

用~(60)Co γ辐照对3种导电类型(P、N、SI)和不同掺杂浓度的InP晶体进行辐照,辐照剂量分别为10~3GY,10~4GY,10~5GY。在室温下测量了样品辐照前后的正电子寿命,发现随着辐照剂量的增加,正电子平均寿命基本不变或呈减小趋势,一方面是由于γ辐照使晶体内原子发生电离,导致晶体内空位型缺陷的电荷态发生变化,缺陷的负电性增加。另一方面γ辐照在晶体内产生缺陷,但大多数缺陷在正电子寿命测量前已在室温下退火,表明InP晶体具有较强的抗辐照能力。     

低能N+离子注入对加工番茄的辐照效应

本研究以87-5制罐番茄种子为处理材料,用N 离子作为诱变源,以35keV的能量,分别以20次、40次、50次、60次脉冲,注入剂量2×1016N /cm2、4×1016N /cm2、6×1016N /cm2、10×1016N /cm2进行激发诱变,变异显著.表现为出苗率降低,座果提前.在果实的品质性状变化不大情况下,座果数明显增加,部分处理材料的产量明显提高.     

MOS结构电子、质子辐照感生缺陷的EPR测量

利用电子顺磁共振（EPR）技术测量了（100）晶向硅衬底材料上制作的MOS电容在电子和质子辐照前后缺陷电子顺磁（EPR）吸收谱，对比了电子和质子辐照前后缺陷顺磁中心浓度的变化。结果表明，辐照前后带有单个未成对自旋电子的Pb0中心浓度未发生明显变化，电子与质子辐照均产生了新的中性体缺陷，电子辐照后观察到Pb1中心的出现并随辐照注量增大，质子辐照后则未观察这一现象，当质子辐昭到10^14p/cm^2时，引起部分体缺陷顺磁中心的消失，电子辐照后，产生的体缺陷顺磁中心浓度则随辐照注量增大，表明电子与质子辐照作用机制的差异，质子辐照中位移效应和H^ 的存在最可能是造成晶格缺陷消失和顺磁吸收消失的主要原因。     

棉籽底油单乙醇胺磺基琥珀酸单脂盐的复合驱油体系

研究了碱、盐、钙镁离子及棉籽底油单乙醇胺磺基琥珀酸单脂二钠盐浓度对驱油体系的影响 ,所得的最佳配方驱油体系在较宽的碱范围内 (0 .5 %～ 1 .5 % )与七东 1区原油的油水界面张力小于 5× 1 0 - 3m N/m,且持续时间长 ,稳定性好 ,抗盐性大于 2 0 g Na Cl/L,抗二价钙镁离子能力较强 .     

Er3+/Yb3+共掺Bi2O3-B2O3-Ga2O3玻璃光谱性质研究

制备了铒单掺和铒镱共掺的铋酸盐玻璃,对掺Er3+离子后玻璃的吸收光谱和荧光光谱进行了测试,分析了Yb2O3浓度对其吸收光谱和荧光光谱的影响,并应用McCumber理论计算了Er3+离子的受激发射截面.当Yb3+/Er3+的浓度比例为41时,荧光强度、荧光半高宽(FWHM)和峰值发射截面(σepeak)均达到了峰值,其FWHM和σepeak分别为77nm和1.08×10-20cm2.     

离子束注入对小麦幼苗保护酶活性及脂质过氧化作用的影响

采用能量为2 5 ke V的N+不同剂量(2×1 0 1 6 N+ / cm2、4×1 0 1 6 N+ / cm2、6×1 0 1 6 N+ / cm2、8×1 0 1 6N+ / cm2、1 2×1 0 1 6 N+ / cm2 )注入新疆春小麦种子,研究了N+离子束注入小麦种子后对小麦幼苗体内超氧化物歧化酶(SOD)、过氧化物酶(POD)、过氧化氢酶(CAT)和丙二醛(MDA)含量的影响.结果表明,离子束注入新疆春小麦种子后,该种子萌发的幼苗体内MDA积累减少,SOD活性降低;高剂量注入后,CAT和POD活性提高.     

氮离子束注入对新疆春小麦M1代生物学效应的影响

为了探索离子束诱变育种的合适剂量,用5种剂量处理2个品种,对两个品种的出苗率、分蘖率、小穗数、穗粒数、千粒重、有效分蘖率进行了分析,结果表明剂量为2～4×1016N+/cm2处理对新疆春小麦适宜.     

塑性形变p型GaAs中的缺陷特性研究

用正电子湮没寿命谱研究了塑性形变P型砷化镓中的缺陷性质．样品原始载流子浓度为2．63X10~18cm-3．形变量分别为2．5％，5％，7．5％，10％和15％．室温正电子寿命测量结果显示，形变样品中有新的空位型缺陷产生，鉴定为空位团．根据塑性形变样品中空位团的正电子捕获率的大小和寿命谱温度关系初步判断：在P型GaAs中，塑性形变产生的空位团的荷电性为正．正电子寿命温度实验显示，在低温下形变样品中还存在正电子浅捕获态．浅捕获中心很可能是锌代位杂质和镓反位缺陷．     

聚硅氧烷复合膜改性pH玻璃电极的制备及对金属离子的响应

用溶胶 凝胶技术制备了两种新的含环状和非环状多酰胺的聚硅氧烷复合膜改性的 pH玻璃电极 .溶胶 凝胶溶液和由溶胶 凝胶涂覆的膜分别由透射电镜、傅立叶变换红外光谱和扫描电镜表征 .改性的pH电极玻璃膜对钠、钾、铜和铅离子的电位响应分别被测定 .结果表明以大环多酰胺作为离子载体改性的 pH电极玻璃膜对K+和Pb2 +有较高的电极响应 (分别为 43 .4,2 3 .6mV/级 ) ,在 1.0× 10 -1～ 5 .0× 10 -4 mol·L-1的浓度范围内有良好的线性关系     

d维平稳高斯过程极集的必要条件

设 Xd为 d维平稳高斯过程 .以 Caph(· )表示由核函数 h(s,t,x,y) (m ax{ |s- t|αd / 2 ,|x- y|d } ) - 1在 R+× Rd上产生的容度 ,以 Cap K(· )表示由核函数 K(s,t) |s- t|-αd/ 2在 R+上产生的容度 .本文证明了 :1)若 Caph(E× F) ,则 P((Xd ) - 1 (F)∩ E≠ ) >0 ;2 )若 Cap K(E) >0 ,则 0≠ x∈ Rd ,P((Xd ) - 1 ({ X} )∩E≠ ) >0 ;3)若 dim F>2α,则 P((Xd) - 1 (F)≠ ) >0     

肌红蛋白作催化剂荧光分析法高灵敏检测NADH

基于肌红蛋白对NADH与H2O2之间的反应具有催化作用,提出了一种催化荧光光谱测定NADH的新方法.在实验选定的最佳反应条件下,该反应体系的荧光强度与NADH的浓度在1.6×10-7～2.0×10-5mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限为4.1×10-8mol/L.对1.0×10-6mol/LNADH的标准样品作了9次重复测定,其相对标准偏差RSD=4.6%.     

Fe离子注入ZnO产生的缺陷及磁学性能研究

氧化锌(ZnO)单晶在室温下注入了能量在50～380keV之间,总剂量为1.25×1017/cm2的Fe离子.利用慢正电子束技术研究了离子注入产生的缺陷.正电子湮没多普勒展宽测量表明,离子注入产生了大量的空位团.在经过400℃以下的较低温度退火后,这些空位团的尺寸进一步增大,随后在高温退火后空位团开始恢复,经过700℃以上退火后大部分缺陷已经消失,而在1 000℃退火后,所有离子注入产生的缺陷得到消除.X射线衍射测量也表明离子注入产生了晶格损伤,且经过700℃退火后基本得到恢复.另外,在700℃退火的注入样品中还观察到金属Fe的衍射峰,表明Fe离子注入ZnO形成了Fe团簇.磁学测量显示Fe注入的ZnO中表现出了铁磁性.经过700℃高温退火后其磁性并没有发生明显变化.这说明Fe离子注入的ZnO中缺陷对其铁磁性没有影响,铁磁性可能来源于注入的Fe离子.     

头孢噻肟钠在多壁碳纳米管修饰电极上的电化学行为及分析应用

提出了一种多壁碳纳米管化学修饰电极的制备方法 ,研究了头孢噻肟钠在该电极上的电化学行为及其测定 .头孢噻肟钠在多壁碳纳米管修饰电极上于 - 0 .85V处有一灵敏的还原峰 .将多壁碳纳米管修饰电极在 pH2 .2的柠檬酸 磷酸氢二钠缓冲溶液中开路富集 2min后 ,以 10 0mV·s-1的扫描速度从 - 0 .3～ - 1.1V进行阴极化扫描并测定 - 0 .85V处的还原峰电流 .该电流与头孢噻肟钠在 2 .0× 10 -7～ 2 .0× 10 -5mol·L-1浓度范围内呈良好的线性关系 ,检出限达 6.0× 10 -8mol·L-1(信噪比为 3 ) .该方法应用于注射用头孢噻肟钠的检测获得满意的结果     

Rb蒸气中激光诱导5P和5D态的布居数变化

在Rb蒸气中观察了荧光强度的增强与减弱.5P3/2态荧光的减弱是由于激光激发5P3/2—→5D5/2的跃迁造成的,5D5/2态原子碰撞转移到5D3/2,产生5D3/2—→5P1/2的辐射,增加了5P1/2态的布居,从而使5P1/2—→5S1/2的荧光增强.激光诱导布居数的变化由相应荧光的强度信号的增减来检测,利用速率方程组,得到了受激发射(即5D5/2—→5P3/2)速率为2.0×108s-1,精细结构碰撞转移(即5D5/2—→5D3/2)截面为6.4×10-14cm2.     

1.5次微分吸附阴极溶出伏安法测定毛地黄毒苷及其电极过程的探讨

毛地黄毒苷是治疗心脏病的有效药物,它在汞电极上能吸附还原.以1.5次微分吸附阴极溶出伏安法测定检出限达3.2×10~(-10)mol/L.吸附溶出响应依赖于试液浓度、富集电位、富集时间、介质、溶液pH、温度及扫速等因素.不同富集时间,不同浓度范围内.浓度与峰高有良好的线性关系.毒苷的常规循环伏安图上出现两对氧化还原峰,电极反应相似于α,β不饱和羰基的1,2和1,4加成,电极反应可逆.毒苷在汞电极上的饱和吸附量为3.54×10~(-11)mol/cm~2.     

辉光放电管中 Ar4S[1(1/2)]~0_2亚稳态的产生和破坏速率系数

利用扫描单色仪、法布里-珀罗标准具和光子计数技术测量放电管中的亚稳态氩原子密度,用双探针法测量电子浓度和电子温度,得到亚稳态氩原子的产生和破坏速率系数分别为4.86×10~(-15)cm~3/sec和1.44×10~(-9)cm~3/sec.     

离子色谱法测定三嗪类除草剂

本文报道利用离子色谱法同时分离分析莠去津、扑草净、扑灭通除草剂的方法 .采用 CG- 12 (2mm)分离柱 ,紫外检测器 ,用一系列的淋洗液 .实验在 0 .2 0 mol·L-1H2 SO4 +2 5 %CH3CN条件下 ,得到最佳分离效果 .莠去津、扑草净、扑灭通的测定均有良好的线性 .它们的检测限分别为莠去津为 3.13×10 -2 μg· m L-1,扑草净为 4 .39× 10 -2 μg· m L-1,扑灭通为 1.36× 10 -2 μ/ m L-1,此方法可用于废水中除草剂的测定 ,样品的回收率在 96.0 0 %～ 10 5 .32 %之间 .     

Na2（B^1Πu）＋Na（3S）碰撞能量转移

用532.0nm激光激发Na2分子到B1∏u电子态,记录了Na原子的跃迁和Na2分子的A1∑+u-X1∑+g的谱带.由Na与Na2激发态发射的光谱及其强度可以认定在Na-Na2系统中的碰撞过程,Na原子线是Na2(B1∏u)到Na(3P)的碰撞能量转移产生的,预解离过程也可产生原子线.而A1∑+u-X1∑+g谱带是由B1∏u到21∑+g的碰撞转移后再由21∑+g到A1∑+u的辐射而引起的.在360C,根据辐射衰变率和荧光强度,得到Na2(B1∏u)到Na2(21∑+g)碰撞转移速率系数为7.1×10-10cm3s-,而B1∏u的预解离率为2.3×106s-.对不同振动能级间的碰撞激发转移[Na2(B1∏u)(v′=6)+Na(3S)→Na2(B1∏u)(v′=5,7)+Na(3S)]也进行了研究,并得到了v′=5和7时的速率系数分别是1.3×10-10cm3s-1和1.1×10-10cm3s-1.