|
|||||
|
|
| HI—V族化合物半导体的高能重离子辐照缺陷研究· | |
| 引用本文： | 黄龙.HI—V族化合物半导体的高能重离子辐照缺陷研究·[J].新疆大学学报(理工版),2003,20(2):130-132. |
| 作者姓名： | 黄龙 |
| 作者单位： | 新疆大学物理系 新疆 |
| 摘 要： | 用正电子湮没寿命谱技术研究了2.4×1O15/cm2、2.2×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照N型GaP和1.6×1016/cm 2注量的85MeV19F离子辐照P型InP所产生的辐照缺陷.结果表明:两种注量辐照在GaP中均产生较高浓度的单空位.其浓度随着辐照注量的增大而增加;辐照也在InP中产生较高浓度的单空位. |
| 关 键 词： | III－V族化合物半导体 高能重离子辐照 正电子湮没寿命谱 N型GaP P型InP 辐照缺陷 磷化镓 磷化铟 |
| 文章编号： | 1000-2839(2003)02-0130-03 |
| 修稿时间： | 2002年12月3日 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |