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本研究采用紫外光离子源-高场不对称波形离子迁移谱(UV-FAIMS)快速检测环境中挥发性有机物.选取苯和对二甲苯为研究对象,并分析了分离电压、流速等因素对其分离识别的影响.实验结果表明:当分离电压值为0~1200 V时,苯和对二甲苯信号强度逐渐降低,而特征补偿电压值却逐渐增加.实验选取分离电压值为900 V,当载气流速为0~240 L/h时,苯和对二甲苯的特征离子峰信号强度逐渐增加,当载气流速为0~120 L/h时,苯和对二甲苯团簇峰信号强度增加,当载气流速为120~240 L/h时,苯的团簇峰信号强度增加,而对二甲苯的团簇峰信号强度降低.此外,对样品浓度、信号强度与噪声的比值进行探讨,获得UV-FAIMS检测苯的检测限为0.011mg/m3. 相似文献
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本文报道了作者提出的阶梯AlGaN外延层新型AlGaN/GaN HEMTs结构的实验结果. 实验利用感应耦合等离子体刻蚀(ICP)刻蚀栅边缘的AlGaN外延层, 形成阶梯的AlGaN 外延层结构, 获得浓度分区的沟道2DEG, 使得阶梯AlGaN外延层边缘出现新的电场峰, 有效降低栅边缘的高峰电场, 从而优化了AlGaN/GaN HEMTs器件的表面电场分布. 实验获得了阈值电压-1.5 V的新型AlGaN/GaN HEMTs器件. 经过测试, 同样面积的器件击穿电压从传统结构的67 V提高到新结构的106 V, 提高了58%左右; 脉冲测试下电流崩塌量也比传统结构减少了30%左右, 电流崩塌效应得到了一定的缓解. 相似文献
133.
考察了通过自主研发的高温热裂解辅助硒化装置所产生的高活性硒对CIGS薄膜结构和器件性能的影响.通过调节高温裂解系统的温度可以有效调节不同的硒活性.研究发现, 第一台阶HC-Se气氛可以提高CIGS薄膜表面的Ga含量, 使得CIGS薄膜内的Ga分布更加平缓, 进而提高CIGS薄膜表面禁带宽度.而且HC-Se气氛可以消除CIGS"两相分离"现象.两种因素的共同作用使得CIGS薄膜太阳电池的开路电压提高了34.6%.电池转换效率从6.02%提升至8.76%, 增长了45.5%. 相似文献
134.
硅酸锰锂作为锂离子电池正极材料因具有高的理论电容量而一直备受关注, 但其较低的导电率和较差的循环性能阻碍了进一步的发展. 采用第一性原理广义梯度近似GGA+U的方法, 研究了Al, Fe, Mg掺杂Li2MnSiO4的电子结构、 脱嵌锂电压和导电性. 研究发现, Al 掺杂的Li2Mn0.5Al0.5SiO4结构中载流子的数目增加, 电子自旋向上和向下的态密度均穿过费米能级, 呈现金属特性, 提高了体系的导电率. 脱锂LixMnSiO4 (x=1, 0)结构中, 通过计算一次脱锂相结构的形成能得到Al掺杂的一次脱锂结构最稳定, 并且Al掺杂的脱锂相结构体积变化小, 有利于材料循环性能的提高, 同时第一个锂离子脱嵌电压与未掺杂时(4.2 V)相比降低到2.7 V. Fe掺杂降低了Li2MnSiO4的带隙, 第一个锂离子脱嵌电压降低到3.7 V. 研究表明, Al的掺杂效果优于Fe和Mg, 更利于硅酸锰锂电化学性质的提高. 相似文献
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136.
137.
液晶显示器(简称LCD)由于其功耗小、电压低、重量轻、薄型、能与CMOS集成电路匹配等特点,近二十年来得到了广泛的应用,成为平扳显示器中发展最快的一类显示器。这一发展势头近年来更加猛烈,本月在东京举行的“93日本电子产品展览会”上表现得尤为突出。日本是世界上LCD生产规模晟大、技术水平最高国家,高档产品几乎完全被日本所垄断,因此这次展览会实际上是LCD最高水平的巡礼。 相似文献
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超过一万伏以上高电压的测试,往往需要较复杂的贵重仪器,本测试仪巧妙的运用笔式验电器、感应盘和可变电容盘,达到可以改变量程范围测量高电压,在被测高电压端和一绝缘金属球相联,可测量由1万伏到10万伏以上的直流高电压,误差在20%左右,该仪器结构简单,使用方便,价格仅为大型高压测试仪的十几分之一。一、工作原理本仪器是根据静电感应原理,装置见图2。所测高电压端连接的球体在高电压充电作用下带电,在其周围产生静电场,当带验电器的感应盘处于该静电场中时,因为验电器的感应盘受到较大的感应作用,很容易使笔式验电器的石英丝张开,在验电器的放大镜标尺上,从标线的移动可以确定高压球体的电位,该电位也就是所测高电压的电位。 相似文献
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