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51.
52.
TiAl3 和Ti/TiAl3 非合金化电极n型GaN欧姆接触的实现 总被引:1,自引:0,他引:1
在不进行合金化的情况下,首次直接采用TiAl3合金材料作为金属接触电极.在蓝宝石衬底上生长的n型载流子浓度为2×1018 cm-3的GaN上,成功地得到低接触电阻的欧姆接触,并由环形传输线模型方法测得比接触电阻率为3×10-5 Ω*cm2.与通常n型欧姆接触采用的Ti/Al双层结构比较,TiAl3合金结构更容易形成非合金化的n型欧姆接触.在此实验基础上,进一步分析了N空位和界面层处的TiAl3在形成非合金化或低温退火欧姆接触中发挥的作用,由此设计的Ti/TiAl3/Ni/Au接触结构,在TiAl3合金结构基础上明显地降低了接触电阻率. 相似文献
53.
54.
采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上制备掺镓氧化锌透明导电薄膜,用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外可见光分光光度计、霍尔效应仪等测试分别表征GZO薄膜的晶体结构、表面形貌、光电性能等,研究Ga掺杂量对GZO薄膜性能的影响.结果表明:所制备的GZO薄膜均为六方纤锌矿结构并有沿c轴择优生长趋势,随着Ga掺杂量的增加,薄膜透过率先增加再减小,当Ga掺杂量为4at;时透过率最高,可见光区平均透过率达97.4;,薄膜电阻率则随掺杂量增加而下降,在Ga掺杂量为5at;时达最小值7.62×10-3 Q·cm. 相似文献
55.
56.
Sputtering pressure influence on growth morphology,surface roughness,and electrical resistivity for strong anisotropy beryllium film 下载免费PDF全文
The strong anisotropy beryllium (Be) films are fabricated at different sputtering pressures by direct current magnetron sputtering. With the increase of pressure, the deposition rate of Be film first increases, and when the pressure exceeds 0.8 Pa, it gradually descends. The X-ray diffraction analysis indicates that Be film is of α-Be phase, its surface always reveals the (101) crystal plane possessing the low surface energy. As for the growth morphology of Be film, the surface is mainly characterized by the fibrous grains, while the cross section shows a transition from a columnar grain to a mixed grain consisting of a cone-shaped grain and a columnar grain as the sputtering pressure increases. The large grain fraction decays exponentially from 75.0% to 59.3% with the increase of sputtering pressure p, which can improve the grain size uniformity. The surface roughness increases due to the insufficient atom diffusion, which is comparable to its decrease due to the etching effect at p 〈 0.8 Pa, while it increases drastically at p 〉 0.8 Pa, and this increase is dominated by the atom diffusion. The electrical resistivity values of Be films range from 1.7 μΩ m to 2.7 μΩ m in the range 0.4 Pa-1.2 Pa, which is 50 times larger than the bulk resistivity. 相似文献
57.
以木质素为原料,采用化学活化法(KOH活化剂)进行活化处理,分别探讨了不同活化温度、活化时间、KOH/木质素质量比R值对焦炭孔隙结构以及导电特性的影响规律。通过氮吸附(BET)、扫描电镜(SEM)和电阻率测定仪对焦炭性能进行表征。结果表明,KOH活化有效改善了焦炭的孔隙结构,通过增加焦炭微孔量提高了焦炭比表面积。实验得出的最优活化工况为:活化温度800℃,活化时间1 h,质量比R=3,此时焦炭达到最大比表面积。KOH活化后,焦炭电阻率最低可降至0.226Ω·cm。 相似文献
58.
采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,在相同环境条件下对不同浓度Ge掺杂的In I导电性能进行了研究.建立了由不同浓度的Ge原子替代In原子的In1-x Ge x I(x=0,0.125,0.25)模型.对低温下高掺杂Ge原子的In1-x Ge x I半导体的优化参数、总态密度、能带结构进行了计算.结果表明:Ge的掺入使In1-x Ge x I材料的体积减小,总能量升高,稳定性降低;Ge原子浓度越大,进入导带的相对电子数量越多,In1-x Ge x I电子迁移率减小,电阻率增大,同时最小光学带隙也增大,有利于改善体系的核探测性能. 相似文献
59.
通过研究用自组装法制备的萘磺酸掺杂的纳米管结构聚苯胺(苯胺与萘磺酸的摩尔比分别为1∶025,1∶05,1∶1,1∶2,1∶3)的电阻率温度依赖关系(测量温区为80—300K),仔细分析聚苯胺的结构形貌特征,提出了变程跳跃隧道穿透混合模型:认为在萘磺酸掺杂的纳米管结构聚苯胺样品中,跳跃和隧穿两种机制同时起作用,载流子沿纳米管传导是变程跳跃过程起主要作用,而载流子在纳米管之间的传导是隧穿过程起主要作用.实验结果表明,不同浓度的萘磺酸掺杂对样品的低温电阻率的影响很大,随着掺杂浓度增加,载流子传导所需克服的能垒C0迅速减小,当掺杂接近饱和时,C0不再减小.实验中还研究了不同形貌对电阻率的影响,结果表明样品中纳米管所占比例的增大有利于载流子传导
关键词:
聚苯胺
纳米管
低温电阻率 相似文献
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