Effect of S Substitution for P Point Defects in KDP Crystals： First-Principles Study

The electronic structure and geometric distribution of phosphor replaced by sulfur in potassium dihydrogen phosphate （KDP） are investigated by first-principles calculations. The point defect narrows down the energy gap to about 4.9eV, corresponding to a two-photon absorption of 355nm after correction. This can explain the decrease of the laser damage resistance in KDP crystals. Moreover, the defects twist the crystal structure and weaken bonds, especially the O-H bonds, so these bonds may be the first sites to crack under laser irradiation.     

封面说明——干净的重要性

绝缘基硅晶片（silicon-on—insulator简称SOI）是一种将导电硅膜覆于绝缘氧化硅基底的技术．这种技术目前发展迅猛，广泛地用于高速电子电路和传感器．SOI大部分期望性能依赖于将硅膜做得尽可能薄，但是随着研究者们将硅膜做得越薄，他们就越担心由硅晶体缺陷在接触面产生的载流子会破坏材料的电学性质．     

Investigation and Modification of Coupling of Photonic Crystal Defects

We investigate the coupling of photonic crystal (PC) defects by using coupled-mode theory. The PC molecules formed by the coupling of two identical PC atoms are the focus of our study. It is revealed that the flatness of the transmission spectra of the PC molecules is determined uniquely by the phase shift of the travelling wave between the two coupled PC atoms. By properly adjusting the distance between the two constitutional PC atoms, we are able to modify the transmission spectrum of the resulting PC molecule. Theoretical analyses based on the coupled-mode theory are in good agreement with the simulation results obtained by the transfer matrix method and the finite-difference time-domain technique.     

非线性晶体散射及吸收光谱的测量

利用PE-Lambda900分光光度计，测量了非线性晶体的散射及吸收光谱，实验中避免了大块双轴晶体镜面反射作用引起的测量误差．实验结果表明，随光子能量增加，晶体材料的光吸收在400nm以外波段显著增加。对散射谱进行分析，来源于晶体结构内部的缺陷。如位错、包裹体的尺寸主要分布在lOOnm以上,这些缺陷在短波段的光散射作用有上升的趋势。     

一位物理学家的足迹——记冯端教授

 冯端教授是我国著名的物理学家,中国科学院学部委员.1946年毕业于中央大学.留校任教以来,在教学和科研中辛勤地耕耘了40多个春秋,取得了丰硕的成果,作出了卓越的贡献.冯端教授年青时未能有机会出国深造,乃是在国内条件下成长起来的一位学者,但他勤奋好学、刻苦钻研,边教学、边科研,不断思考和探索,最终成为通晓英、德、俄、法四国语言,知识渊博、基础雄厚,特别在凝聚态物理领域内是成绩卓著的著名科学家.     

Hg1-xCdxTe晶体缺陷的正电子湮没寿命

利用正电子(e⁺)湮没寿命谱实验研究了Hg_1-xCd_xTe晶体样品的空位缺陷.碲溶剂法生长的样品，不论是n型导电还是p型导电都存在大量的Hg空位.经过合适的退火工艺，p型材料转为n型，同时对正电子的俘获效应减小，表现为正电子湮没平均寿命值减小14—17ps.若退火温度高于350℃，正电子湮没寿命值又增大，表明Hg空位浓度增加.得到HgCdTe中正电子的体寿命为τ_b=272ps.根据正电子湮没寿命和电参数的测量结果，得出 关键词：     

MHBA晶体表面特征及缺陷的研究

本文报道使用光学显微镜了ＭＨＢＡ晶体原生态表面的微结构和晶体的主要缺陷，探讨了晶体的生长机制与晶体中缺陷的生成原因和减少晶体缺陷的措施。     

平板光子晶体微腔缺陷模的计算

采用时域有限差分方法结合群论知识,得到平板光子晶体微腔的缺陷模分布.采用对称化边界条件,首先通过宽频脉冲求解微腔所具有的缺陷频率,其次,对于确定缺陷频率,采用窄频脉冲保证只能激发所要求解的-个模式,将空间的电磁场值进行离散傅立叶变换求解其模场分布.计算结果表明,该方法能求解出微腔所有的缺陷模式.     

水热条件下BaTiO3晶粒中OH^—缺陷的形成

本文研究了水热条件下制备的ＢａＴｉＯ３晶粒中ＯＨ缺陷的形成。实验表明，随着中的损钛摩尔比增大，产物中的ＯＨ缺陷减少，四方相ＢａＴｉＯ３的含量增多。从结晶化学的角度剖析了ＢａＴｉＯ３与锐钛矿结构的相似性，两种晶粒中的Ｔｉ－Ｏ６八面体的结晶方位一致，其顶角分别指向晶轴ａ，ｂ和ｃ，因此锐钛矿的生长基元可以往ＢａＴｉＯ３晶粒上配向生长，在结构失配处即可形成缺陷，在缺陷部分ＴｉＯ６八面体自由端处保留了ＯＨ结