用ZCTC晶体倍频半导体激光的紫光输出

报道了新型金属络合物非线性光学材料ZCTC（硫氰硫锌镉）晶体的光学性质。测量了ZCTC晶体的折射率,计算了其相位匹配角度。进行了半导体激光（LD）室温下直接倍频实验。当808nm基频GaAlAs半导体激光功率为473mW时,获得了390μW、4040μnm紫光输出。实验表明ZCTC晶体是一种优良的半导体激光倍频紫外非线性光学材料。     

吡啶盐二维电荷转移分子的设计、合成和超级化氯的测定

设计、合成了以吡啶阳离子为吸电子基团的二维电荷转移非线性光学生色团分子－双四苯鹏(反式)-4,4'-二{p-[(N-乙基-N-羟乙基)氨基]苯亚乙烯基}-N,N'-(1,2-乙基)-2,2'-联吡啶盐和双四苯硼(反式)-N-己基-咔唑-3,6-二(p-亚乙烯基-N-羟乙基-吡啶盐),利用超瑞利散射技术(HRS)测定了这两种分子的第一超级化率β,在1064nm分别为786x10^-^3^0esu和1770x10^-^3^0esu。双能级模型计算得到的β0的值分别为215x10^-^3^0esu和119x10^-^3^0esu。从分子结构的角度定性地分析了该类分子具有大β值的原因。     

一组新型络合物晶体结构与光学性能的研究

研究了二氯三烯丙基硫脲合镉(ATCC),二氯三烯丙基硫脲合汞(ATMC)和二溴三烯丙基硫脲合镉(ATCB)三种晶体的结构特点.首次报道了ATMC和ATCB晶体的非线性光学系数及倍频性能;文中分析比较了三种晶体的非线性光学性能;讨论了晶体结构与性能的关系,为探索高效非线性光学新材料提供依据.     

蓝紫光倍频材料硫氰酸汞镉晶体生长动力学和机理的研究

利用倒置相差显微镜观察了用于蓝紫光倍频的硫氰酸汞镉晶体(CdHg(SCN)4)在3;的KCl溶液中的生长形貌:在(100)面上呈现为生长直线台阶列,在锥面上呈现生长丘.在溶液循环流动的情况下测量了晶体的生长速率,发现晶体在过饱和度低于2.5;时不生长.计算了晶体不同面的界面相变熵因子.通过三者综合分析得到晶体为多二维成核生长机制.     

La3Ga5SiO14晶体压电系数的温度特性

测量了(yxf)-30°切La3Ga5SiO14(LGS)晶体30～300℃温度范围内的谐振特性.室温时压电常数d11和d14分别为5.59×10-12C/N和-5.01×10-12C/N.在室温至300℃范围内(yxl)-30°切La3Ga5SiO14晶片厚度切变振动的谐振频率和机电耦合系数k′26都随温度升高而升高,因此压电常数d11和d14也随温度升高而略有升高.     

Sr3NbGa3Si2O14压电晶体旋光性质的研究

本文测定了紫外、可见光区新型压电晶体-Sr3NbGa3Si2O14(SNGS) 的透过率,并利用一种新方法即通过测量晶体在平行偏振系统中的透过率谱研究了其旋光性,且拟合出旋光色散曲线.此晶体属左旋单轴晶体,旋光非常大,其旋光率ρ在513nm处达到43.69°/mm.     

金属硫氰酸根配合物FeHg(SCN)_4,MnHg(SCN)_4的合成、晶体结构与非线性光学性质的研究

合成了配合物晶体FeHg(SCN)_4和MnHg(SCN)_4用单晶X射线衍射方法测定了这两个晶体的结构.以尿素为标准样品用粉末晶体倍频1064nm的Nd:YAG激光,测得其倍频光强度分别为:FeHg(SCN)_4,0.6倍于尿素;MnHg(SCN)_4,50倍于尿素.后者显示了作为新的非线性光学材料的发展前景.     

金属硫氰酸根配合物FeHg(SCN)~4, MnHg(SCN)~4的合成、晶体结 构与非线性光 学性质的研究

合成了配合物晶体FeHg(SCN)~4和MnHg(SCN)~4。用单晶X射线衍射方法测定了这两个晶体的结构。以尿素为标准样品用粉末晶体倍频1064nm的Nd:YAG激光,测得其倍频光强度分别为:FeHg(SCN)~4,0.6倍于尿素;MnHg(SCN)~4,50倍于尿素,后者显示了作为新的非线性光学材料的发展前景。