A Novel Mo—Doped Compound with Graphite—Like Structure：[H3O]2V3O8

1 INTRUDUCTION During the last few years, there has been much effort paid to the synthesis of new transition-metal oxides that might be active hosts for intercalation reactions. Vanadium and molybdenum in higher oxidation states with higher reacting ability tend to form polynuclear, anionic metal-oxygen clusters with an extraordinary variety of the relevant topology and electronic structures[1~3]. The preparation of the corresponding clusters is of special interest for different aspects …     

金属氧化物半导体场效应管热载流子退化的1/fγ噪声相关性研究

研究了金属氧化物半导体(MOS)器件在高、中、低三种栅压应力下的热载流子退化效应及其1/fγ噪声特性.基于Si/SiO2界面缺陷氧化层陷阱和界面陷阱的形成理论,结合MOS器件1/f噪声产生机制,并用双声子发射模型模拟了栅氧化层缺陷波函数与器件沟道自由载流子波函数及其相互作用产生能级跃迁、交换载流子的具体过程.建立了热载流子效应、材料缺陷与电参量、噪声之间的统一物理模型.还提出了用噪声参数Sfγ表征高、中、低三种栅应力下金属氧化物半导体场效应管抗热载流子损伤能力的方法.根据热载流子对噪声影响的物理机制设计了实验并验证这个模型.实验结果与模型符合良好.     

毛细管电泳非接触电导分离检测金属氧化物纳米粒子

采用毛细管电泳非接触电导检测技术,以碳酸钠-碳酸氢钠为缓冲体系,同时分离测定了纳米二氧化钛和三氧化二铝两种金属氧化物的悬浮粒子.考察了缓冲溶液种类、浓度及pH对分离效果的影响,探讨了激发频率、激发电压对检测信号信噪比的影响.在最佳分离检测条件下,不同粒径的二氧化钛和三氧化二铝悬浮粒子在8 min内可实现完全分离.所选择的最佳条件为:① pH 10.5缓冲溶液为5 mmol·L-1碳酸钠和碳酸氢钠混合溶液;②分离电压20 kV;③进样条件20 kV,6 s;④激发频率460 kHz;⑤交流激发电压4 V(给出最高的S/N比值).     

微波注入反相器基本电路的非线性效应

采用理论分析和微波注入实验相结合的方法,分别研究了以74HC04和74LVCU04A两种芯片为核心的反相器基本缓冲及数模转换电路的微波效应问题,通过反相器闩锁过程对非线性扰乱进行了机理分析,并利用微波注入实验详细分析了非线性扰乱效应的微波有效功率阈值及其随频率、脉冲宽度的变化。实验结果表明:在固定环境温度条件下,有效注入功率大于33 dBm,频率在3 GHz以下的微波均可使74HC04效应电路的非线性扰乱强度达到10%以上;有效注入功率大于30 dBm,频率在3 GHz以下的微波均可使74LVCU04A效应电路的非线性扰乱强度达到10%以上。相同非线性扰乱强度的注入有效功率阈值近似随频率的提高而增大。非线性扰乱阈值随注入微波信号脉宽变化明显,拐点为40~70 ns不等,与反相器中的互补型金属氧化物半导体器件寄生三级管的导通电流积累有关。     

p型金属氧化物半导体场效应晶体管低剂量率辐射损伤增强效应模型研究

对一种非加固4007电路中p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)在不同剂量率条件下的电离辐射损伤效应及高剂量率辐照后的退火效应进行了研究. 通过测量不同剂量率条件下PMOSFET的亚阈I-V特性曲线,得到阈值电压漂移量随累积剂量、退火时间的变化关系. 实验发现,此种型号的PMOSFET具有低剂量率辐射损伤增强效应. 通过描述H⁺在氧化层中的输运过程,解释了界面态的形成原因,初步探讨了非加固4007电路中PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应模型. 关键词： p型金属氧化物半导体场效应晶体管 60Co γ射线')" href="#">⁶⁰Co γ射线 电离辐射损伤 低剂量率辐射损伤增强效应     

漏致势垒降低效应对短沟道应变硅金属氧化物半导体场效应管阈值电压的影响

结合应变硅金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)结构,通过求解二维泊松方程,得到了应变Si沟道的电势分布,并据此建立了短沟道应变硅NMOSFET的阈值电压模型.依据计算结果,详细分析了弛豫Si_1－βGe_β中锗组分β、沟道长度、漏电压、衬底掺杂浓度以及沟道掺杂浓度对阈值电压的影响,从而得到漏致势垒降低效应对小尺寸应变硅器件阈值电压的影响,对应变硅器件以及电路的设计具有重要的参考价值. 关键词： 应变硅金属氧化物半导体场效应管 漏致势垒降低 二维泊松方程 阈值电压模型     

第15届固态传感器、传动器与微系统国际会议(Ⅱ)

本届会议的专题报告按日程安排分述如下:(1)T Wacharalindu:以液态半导体为基础的微功率源--采用反射能量转换;(2)C M Waits,MMc Carthy,R Ghodea:供小规模动力系统中输送燃料用的、微电动机械系统的涡轮泵;(3)I D Block、P c Mcthals、M Ganoch:增强荧光与无标记成像联用仪;(4)L H Loo、Y D Lau:应用微结构的流体动力学偶联方法进行微型悬臂的质量因子的调谐;(5)K Imagawa,H Horilauchi,K Ikoda:应用心脏肌肉细胞的药物模拟方法的自给加热与流体泵送凝胶;(6)N Suhkl:供模拟在任何硅取向的表面组织与几何形态用的连续分格自动化技术.     

碱土金属氧化物对焦炭溶损反应的催化作用研究

近年来 ,由于高炉冶炼技术的进步 ,焦比大幅度下降 ,以焦炭溶损反应为代表的焦炭热性质越来越受到人们的重视 ,而矿物质对焦炭溶损反应的催化作用因而也受到了研究者们的注意[1,2 ] 。对焦炭溶损反应的催化作用研究最多的是碱金属 ,然而 ,除钾、钠外 ,焦炭中还存在许多其它矿物质 ,它们大多数对焦炭溶损反应具有催化作用。本实验用碱土金属浸渍在高炉焦炭上 ,采用程序升温热重法 ,考察碱土金属氧化物对焦炭溶损反应ＴＧ线及反应动力学参数的影响。1　实验部分1 1　试样制备及矿物质加入方法　古交焦炭经破碎机粗破碎 ,缩分 ,弃去一部分焦样 …     

Reverse current reduction of Ge photodiodes on Si without post-growth annealing

A new approach to reduce the reverse current of Ge pin photodiodes on Si is presented, in which an i-Si layer is inserted between Ge and top Si layers to reduce the electric field in the Ge layer. Without post- growth annealing, the reverse current density is reduced to -10 mA/cm^2 at -1 V, i.e., over one order of magnitude lower than that of the reference photodiode without i-Si layer. However, the responsivity of the photodiodes is not severely compromised. This lowered-reverse-current is explained by band-pinning at the i-Si/i-Ge interface. Barrier lowering mechanism induced by E-field is also discussed. The presented ＂non-thermal＂ approach to reduce reverse current should accelerate electronics-photonics convergence by using Oe on the Si complementary metal oxide semiconductor （CMOS） platform.     

[Ni（2,2‘—bpy）3]MoO4·7.5H2O的水热合成和晶体结构

合成了一种新的钼-氧化合物[Ni(2,2-bpy)3]MoO47.5H2O,用元素分析、IR和TGA- DTA等手段进行了表征,并用X射线衍射法测定了晶体结构。结果表明,该化合物属于单斜晶系,C2/c空间群,a = 23.019(5),b = 13.967(3),c = 23.510(5) ,b = 107.28(3),V = 7217(3) 3,Z = 8,Dc = 1.514 g/cm3,F(000) = 3384,Mr = 822.32,m (MoKa) = 0.934 mm-1。结构由直接法解出,全距阵最小二乘法修正,最终偏离因子R = 0.0358,wR = 0.0797。结构测定表明,结构中阴离子MoO42-与配位阳离子[Ni(2,2-bpy)3]2+之间靠静电作用相结合,同时与H2O通过氢键构成无机阴离子层。