P波段微波注入反相器模数转换电路的响应

利用设计的三反相器模数（A/D）转换电路,开展了P波段微波注入实验。采用眼图观测法对电路的线性响应进行了有效测量,推导了实验线路中微波注入效率公式,利用一种实时温度检测电路来验证芯片工作状态的稳定性,并利用统计检验的方法分析了不同芯片及电路板等对实验数据获取的影响,从而保证了实验的有效性和可信度。重点研究了注入微波的幅值、频率、脉宽及重复频率等参数对反相器正常工作的影响。实验结果表明:当注入微波信号脉宽大于70 ns时,电路信号在微波脉冲结束后,相邻脉冲脉宽变化10%的非线性干扰功率阈值,比使电路信号噪声容限降低50%的功率阈值大4~6 dB,电路信号脉宽变化30%的功率阈值比脉宽变化10%的大2~3 dB,在功率小于32 dBm的实验中得到的最大非线性干扰为脉宽变化约40%。非线性干扰阈值随注入微波信号脉宽变化明显,拐点为40~70 ns。注入微波的重复频率对微波干扰阈值影响很小。     

P波段微波注入反相器模数转换电路的响应

 利用设计的三反相器模数（A/D）转换电路,开展了P波段微波注入实验。采用眼图观测法对电路的线性响应进行了有效测量,推导了实验线路中微波注入效率公式,利用一种实时温度检测电路来验证芯片工作状态的稳定性,并利用统计检验的方法分析了不同芯片及电路板等对实验数据获取的影响,从而保证了实验的有效性和可信度。重点研究了注入微波的幅值、频率、脉宽及重复频率等参数对反相器正常工作的影响。实验结果表明:当注入微波信号脉宽大于70 ns时,电路信号在微波脉冲结束后,相邻脉冲脉宽变化10%的非线性干扰功率阈值,比使电路信号噪声容限降低50%的功率阈值大4~6 dB,电路信号脉宽变化30%的功率阈值比脉宽变化10%的大2~3 dB,在功率小于32 dBm的实验中得到的最大非线性干扰为脉宽变化约40%。非线性干扰阈值随注入微波信号脉宽变化明显,拐点为40~70 ns。注入微波的重复频率对微波干扰阈值影响很小。     

CMOS电路瞬态辐照脉冲宽度效应的实验研究

 在“强光一号”加速器上,对两种CMOS反相器和一种CMOS存储器进行了长脉冲状态和短脉冲状态下的辐照实验,测量了CMOS电路的瞬时辐照效应规律,得到了CMOS电路辐射损伤阈值与脉冲宽度的关系,分析了CMOS电路在不同脉冲宽度下的效应差异。实验结果表明：CMOS电路的辐射损伤阈值随脉冲宽度的增加而降低,在20 ns的脉冲宽度辐照下,CMOS反相器4007和4069的闩锁阈值大约为150 ns脉冲辐照下的2倍,CMOS存储器6264的翻转阈值在20 ns脉冲宽度辐照下为150 ns脉冲宽度辐照下的3倍。     

CMOS电路瞬态辐照脉冲宽度效应的实验研究

在“强光一号”加速器上,对两种CMOS反相器和一种CMOS存储器进行了长脉冲状态和短脉冲状态下的辐照实验,测量了CMOS电路的瞬时辐照效应规律,得到了CMOS电路辐射损伤阈值与脉冲宽度的关系,分析了CMOS电路在不同脉冲宽度下的效应差异。实验结果表明：CMOS电路的辐射损伤阈值随脉冲宽度的增加而降低,在20 ns的脉冲宽度辐照下,CMOS反相器4007和4069的闩锁阈值大约为150 ns脉冲辐照下的2倍,CMOS存储器6264的翻转阈值在20 ns脉冲宽度辐照下为150 ns脉冲宽度辐照下的3倍。     

基于非线性电阻的RLC混沌电路实验分析

给出了一种含非线性电阻的RLC混沌电路,并通过实验分析了电路中的“双涡卷”混沌现象,使学生更深入地了解电路中的混沌概念。     

重复脉冲注入下半导体光放大器皮秒增益和折射率非线性的数值模拟

对重复周期小于载流子寿命的重复脉冲注入的情况，从速率方程出发，用分段模型对半导体光放大器的皮秒增益和折射率非线性进行了数值模拟，给出了重复脉冲注入下输出光脉冲时域波形的畸变、注入光脉冲引起的增益和相位变化，输出光脉冲上的频率啁啾随注入脉冲数增加的变化，以及归零光信号码流引起的增益和相位变化。     

典型音频放大电路的电源电磁干扰效应研究

选取一种典型的音频功率放大电路,采用直接功率注入法研究了音频功放电源的电磁干扰效应。分析了电路的电磁干扰耦合机理,设计了基于直接功率注入法的电源电磁干扰测试平台,测试得到0.1~1 GHz电磁干扰对音频放大电路直流电源的干扰效果数据,得出临界失真、典型失真和完全失真三种状态下的功率阈值与干扰频率规律曲线。结果表明：测试频段内,三种失真状态下的失真功率阈值随频率的变化关系一致,失真功率阈值相差约2 dBm。当注入干扰的频率较低时(100~300 MHz),失真功率阈值较高,且随频率增大近似以幂函数趋势下降;当注入干扰频率高于300 MHz时,失真功率阈值随频率增大呈减幅振荡趋势。     

非线性RLC电路的分频与混沌实验的计算机辅助教学

对非线性RLC电路实验进行了改进,改进后实验采集的数据更加精确,实验软件具有功能多、直观、参量易于调节等优点。     

基于光电负反馈的光注入1550nm垂直腔面发射激光器产生窄线宽微波信号

基于1 550nm垂直腔面发射激光器在平行偏振光注入下呈现的单周期非线性动力学状态,进一步引入光电负反馈,得到了高质量的微波信号.实验研究结果表明:平行偏振光注入下,通过调节注入光的注入强度及频率,1 550nm垂直腔面发射激光器可呈现注入锁定、单周期、倍周期、混沌等多种非线性动力学状态;在合适的注入参量下,平行偏振光注入1 550nm垂直腔面发射激光器可产生光谱具有单边带结构、频率超过10GHz的光子微波信号,但该微波信号的线宽较宽(达MHz量级);进一步引入光电负反馈后,通过选取合适的光电反馈强度,可将该微波信号的线宽减小至一百多kHz(减小两个量级以上);在选择优化的反馈强度条件下,仅通过简单调节注入光强度,可实现窄线宽光子微波信号的频率在一定范围内连续可调谐.     

非线性电路通向混沌的演化过程

给出了四阶非线性电路通向复杂性的两种演化模式,指出这两种模式与三个共存的平衡点有关.在第一种模式中,不稳定的平衡点由Hopf分岔导致了稳定的周期运动,经过倍周期分岔通向混沌,其所有的吸引子都保持对称结构;而在第二种模式中,另两个平衡点由Hopf分岔产生相互对称的极限环,并分别导致了两个混沌吸引子,其分岔过程步调一致,而且所有的吸引子都相互对称.随着参数的变化,这两个混沌吸引子相互作用形成一个扩大的混沌吸引子,导致与第一种分岔模式中定性一致的混沌运动.     

微波混频器高功率微波效应等效电路建立及仿真

利用先进设计系统软件设计并制作了单端混频器电路。开展了高功率微波注入效应实验,获得了一组损伤程度不同的混频器。通过测试二极管的伏-安特性曲线和分析失效机理,用拟合方法建立了损伤二极管的等效电路模型。基于此模型建立了损伤混频器等效电路,并对其被高功率微波损伤前后的输入输出特性进行了仿真计算,其变频损耗与混频器损伤后的实验测试结果相吻合。结果表明：损伤二极管的等效电路模型为在正常二极管结电阻两端并联一损伤等效电阻,其阻值大小反应了混频器的损伤程度,阻值越小,损伤越严重。     

A buffer direct injection and direct injection readout circuit with mode selection design for infrared focal plane arrays

This paper proposes a solution to the excessive area penalty associated with traditional buffer direct injection (BDI) for single pixel. The proposed solution reduces the area and power consumption of BDI to combine the direct injection (DI) within a shared architecture, while a dual-mode readout circuit expands the functionality and performance of the array readout circuit of infrared sensor. An experimental array of 10 × 8 readout circuits was fabricated using TSMC 2P4M 0.35 μm 5 V technology. Measurements were obtained using a main clock with a frequency of 3 MHz and power consumption of 9.94 mW. The minimum input current was 119 pA in BDI and 1.85 pA in DI. The signal swing was 2 V, the root mean square noise voltage was 1.84 mV, and the signal-to-noise ratio was 60 dB. This approach is applicable to mid- and long-band sensors to increase injection efficiency and resolution.     

Nonlinear feedback control of a novel hyperchaotic system and its circuit implementation

This paper reports a new hyperchaotic system by adding an additional state variable into a three-dimensional chaotic dynamical system. Some of its basic dynamical properties, such as the hyperchaotic attractor, Lyapunov exponents, bifurcation diagram and the hyperchaotic attractor evolving into periodic, quasi-periodic dynamical behaviours by varying parameter k are studied. An effective nonlinear feedback control method is used to suppress hyperchaos to unstable equilibrium. Furthermore, a circuit is designed to realize this new hyperchaotic system by electronic workbench (EWB). Numerical simulations are presented to show these results.     

Computer Aided Analysis of Nonlinear Distortion for Laser Diode under Intensity Modulation

1.IntroductionNonlineardistortionisanimportantindextoappreciateasubcarriermultiplexing(SCs)lightwavetransmissionsystem.Itconsistsofthedistortionoflaserdiode(LD)module,distortionoffiber--optictransmissionsystemandthatofreceiversystem,amongwhichLD'shasagreatinfluenceonsystem'scharacteristicsbecauseitisanonlineardeviceinitself.LDnonlineardistortioncomesfromP--Icharacreristicsandinteractionbetweenphotonsandelectrons.WhenLDworksatlineararea,theformercanbeneglectedandthelatteristhemain,whichisd…     

一个新的五阶超混沌电路及其研究

提出一个新的五阶超混沌电路. 该电路由三个线性电感、两个线性电容、一个线性负电阻和二个非线性元件组成,并具有π形的电路结构. 其主要特征是,利用非线性元件的作用来切换电路中的时间常数,使其电压和电流发生急剧变化. 利用负电阻可满足电路局部发散的条件,并且这种电压和电流的急剧变化以及局部发散是该电路产生混沌与超混沌的两个前提条件. 分岔和李雅普诺夫指数计算结果表明,随着分岔参数的改变,电路的振荡机理由周期态演变为混沌态,再由混沌态演变为超混沌态. 设计了五阶超混沌电路,给出了硬件实验结果. 关键词： 超混沌电路 超混沌吸引子 电路实验     

集成电路器件微波损伤效应实验研究

主要介绍了微波脉冲参数变化对集成电路器件微波易损性的影响。实验表明：集成电路器件损伤功率阈值随着微波频率的增加而增大,随着脉冲重复频率的增加而减小。随脉冲宽度的变化较为复杂,总体是随着脉冲宽度的增加损伤功率阈值逐渐降低,但存在一拐点区域（约100ns）,在此区域后,脉冲宽度增加但器件损伤功率阈值变化不甚明显。器件损伤功率阈值基本呈正态分布,且方差较小,因此,器件的损伤概率近似于0~1分布。     

集成电路器件微波损伤效应实验研究

 主要介绍了微波脉冲参数变化对集成电路器件微波易损性的影响。实验表明：集成电路器件损伤功率阈值随着微波频率的增加而增大，随着脉冲重复频率的增加而减小。随脉冲宽度的变化较为复杂，总体是随着脉冲宽度的增加损伤功率阈值逐渐降低，但存在一拐点区域（约100ns），在此区域后，脉冲宽度增加但器件损伤功率阈值变化不甚明显。器件损伤功率阈值基本呈正态分布，且方差较小，因此，器件的损伤概率近似于0~1分布。     

集成电路高功率微波易损性预测评估模型

 介绍了集成电路高功率微波易损性的基本概念,给出了利用人工神经网络建立集成电路高功率微波易损性预测评估模型的基本步骤,通过一个实例,对预测评估模型的有效性进行了检验。实践表明：人工神经网络作为一个有效工具,可以较好地应用到集成电路高功率微波易损性预测评估工作中。     

耦合电路系统的分岔研究

研究了由两个非线性电路系统耦合所构成的系统,给出高维系统平衡点的存在性条件和具体解析形式,分析了平衡点的余维1和余维2分岔,并对极限环进行了延拓,得到比较复杂的分岔形式.两个周期运动的子系统在不同的耦合参数下相互作用时,可能导致周期运动、混沌等丰富的动力学行为,通过对耦合前后平衡点的定性分析,得到了在弱耦合情况下平衡点变为中立型鞍点与分岔图出现的不连续现象之间的联系.