| 金属氧化物半导体场效应管热载流子退化的1/fγ噪声相关性研究 |
| |
| 引用本文： | 刘宇安,杜磊,包军林.金属氧化物半导体场效应管热载流子退化的1/fγ噪声相关性研究[J].物理学报,2008,57(4). |
| |
| 作者姓名： | 刘宇安 杜磊 包军林 |
| |
| 摘 要： | 研究了金属氧化物半导体(MOS)器件在高、中、低三种栅压应力下的热载流子退化效应及其1/fγ噪声特性.基于Si/SiO2界面缺陷氧化层陷阱和界面陷阱的形成理论,结合MOS器件1/f噪声产生机制,并用双声子发射模型模拟了栅氧化层缺陷波函数与器件沟道自由载流子波函数及其相互作用产生能级跃迁、交换载流子的具体过程.建立了热载流子效应、材料缺陷与电参量、噪声之间的统一物理模型.还提出了用噪声参数Sfγ表征高、中、低三种栅应力下金属氧化物半导体场效应管抗热载流子损伤能力的方法.根据热载流子对噪声影响的物理机制设计了实验并验证这个模型.实验结果与模型符合良好.
|
| 关 键 词： | 金属氧化物半导体场效应管 热载流子 1/fγ噪声 金属 氧化物半导体 场效应管 热载流子 退化 噪声影响 相关性研究 correlation Research transistor field effect oxide semiconductor metal degradation hot carrier 结果 物理模型 验证 实验 机制设计 |
Research on correlation of 1/fγ noise and hot carrier degradation in metal oxide semiconductor field effect transistor |
| |
| Liu Yu-An,Du Lei,Bao Jun-Lin.Research on correlation of 1/fγ noise and hot carrier degradation in metal oxide semiconductor field effect transistor[J].Acta Physica Sinica,2008,57(4). |
| |
| Authors: | Liu Yu-An Du Lei Bao Jun-Lin |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 |
