p型金属氧化物半导体场效应晶体管低剂量率辐射损伤增强效应模型研究

对一种非加固4007电路中p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)在不同剂量率条件下的电离辐射损伤效应及高剂量率辐照后的退火效应进行了研究. 通过测量不同剂量率条件下PMOSFET的亚阈I-V特性曲线,得到阈值电压漂移量随累积剂量、退火时间的变化关系. 实验发现,此种型号的PMOSFET具有低剂量率辐射损伤增强效应. 通过描述H⁺在氧化层中的输运过程,解释了界面态的形成原因,初步探讨了非加固4007电路中PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应模型. 关键词： p型金属氧化物半导体场效应晶体管 60Co γ射线')" href="#">⁶⁰Co γ射线 电离辐射损伤 低剂量率辐射损伤增强效应     

基于顾客资产驱动因素与同辈影响的青少年购买行为研究

研究的主要内容围绕着顾客资产驱动因素及同辈影响对青少年消费者购买意向和实际购买行为的影响展开.在文献综述的基础上,以运动品牌为例,分析价值资产、品牌资产、关系资产以及同辈影响对于青少年消费者购买意向的影响.实证研究表明,同辈影响对于青少年消费者购买意向有着非常显著的影响,同辈群体的炫耀、谈论与推荐行为越多,则青少年消费者的购买意向越强烈.与此同时,购买意向对于实际购买行为的影响虽是正向且显著地,但受到购买惯性的影响而减弱.结论一定程度上从统计上论证了青少年消费者的购买特点,同时也为运动品牌的青少年产品营销活动提供了参考依据.     

具有n-n型异质结的复合材料Bi2S3/MIL-125(Ti)光电性能研究

以硫代硫酸钠·五水合物(Na₂S₂O₃·5H₂O)、硝酸铋·五水合物(BiN₃O₉·5H₂O)为硫源和铋源，尿素(CON₂H₄)为结构导向剂，制备了纳米棒状结构的硫化铋(Bi₂S₃),使其原位生长在MIL-125(Ti)的笼状结构表面。PEC性能测试显示，在0.5 mol·L^-1的硫酸钠电解液(pH=6.0)中，Bi₂S₃/MIL-125(Ti)_0.07(MIL-125(Ti)加入量为0.07 g)的复合材料表现出最高的光电性能。光电性能的显著增强主要取决于Bi₂S₃/MIL-125复合材料的带隙重整效应，对紫外光以及可见光的吸收能力显著提高。但由于Bi₂S₃/MIL-125...