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41.
42.
利用射频磁控溅射法在(LaAlO3)0.3(SrAl0.5Ta0.5O3)0.7 (001)单晶基底上生长了镧掺杂BaSnO3外延薄膜. 通过Hall效应和热电势测量证实了镧掺杂BaSnO3薄膜具有n型简并半导体特征, 并且基于载流子浓度和Seebeck系数计算出电子的有效质量为0.31m0 (m0为自由电子质量). 镧掺杂BaSnO3薄膜在可见波段具有良好的透明性(透过率大于73%). 基于介电模型对薄膜的透过率曲线进行拟合, 从拟合结果中不仅得到了薄膜的厚度为781.2 nm, 能带宽度为3.43 eV、 带尾宽度为0.27 eV和复光学介电常数随波长的变化规律, 而且也强力地支持了基于电学参数计算电子有效质量的正确性. 相似文献
43.
本文结合作者近年来的工作,评述了用超快速激光光谱学技术对晶态半导体低维材料研究的进展,分别讨论了用超快光谱研究晶态半导体低维材料中载流子各种非平衡过程的优势和原理,提出了需要进一步探讨的方面。 相似文献
44.
适用于量子阱激光器的速率方程 总被引:3,自引:2,他引:1
首次在理论上用量子阱激光器增益与载流子密度的对数关系替代了原有速率方程中的线性关系,得到了改进了速率方程,分析了稳态和调制特性,从理论上得到了获得最低阈值的最佳阱数和最大调制带宽的最佳腔长。 相似文献
45.
利用双温方程对激光烧蚀Si靶的过程进行了数值模拟,并结合合适的初始条件和边界条件,研究了在飞秒、皮秒激光作用下,脉冲波形(矩形、梯形、三角形和高斯形)对Si靶表面载流子和晶格温度分布的影响。结果表明:激光功率密度是影响载流子温升的主要因素,矩形脉冲激光烧蚀Si靶表面载流子的峰值温度最高,而高斯分布的脉冲引起靶面载流子峰值温度最低。可见,激光脉冲波形对Si靶表面载流子的温度分布具有重要影响。所得结果可为制备高质量的薄膜提供理论依据。 相似文献
46.
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采用水溶液法合成了巯基乙酸(TGA) 包覆的CdSe 量子点. 通过X 射线粉末衍射和高分辨透射显微镜检测结果证实, 合成得到闪锌矿结构CdSe 量子点. 能谱图和傅里叶变换红外光谱图结果说明, 在核CdSe 纳米粒子表面与配体TGA 之间有CdS 壳层结构形成. 利用样品表面光电压(SPV) 谱, 指认CdSe 量子点精细能带结构以及各自对应的激发态特征: 475 nm (2.61 eV) 和400 nm (3.1 eV) 两个波长处的SPV 响应峰分别与CdSe 核和CdS 壳层带-带隙跃迁相对应; 370 nm (3.35 eV) 附近SPV 响应峰可能与TGA 中羰基与巯基或羧基之间发生的n →π* 跃迁有关. 场诱导表面光电压谱结果证实, 合成的CdSe 量子点具有明显的N 型表面光伏特性, 而上述n→π* 跃迁则具有P 型表面光伏特性. 荧光光谱谱线均匀增宽以及SPV 响应峰位蓝移, 说明样品具有明显的量子尺寸效应. 结合不同pH 值下合成的CdSe 量子点的SPV 谱和表面光声谱发现, SPV 响应强度与表面光声光谱信号强度变化趋势恰好相反. 上述样品表面光伏效应表明, CdSe 量子点表面和相界面处的精细电子结构以及光生载流子的输运特性均与量子点的尺寸大小存在某种内在联系.
关键词:
硒化镉量子点
光生载流子
表面光电压谱
表面光声光谱 相似文献
48.
49.
相比于传统的All-pass型微环谐振腔硅基电光调制器, Add-drop型微环谐振腔可提供更多的设计自由度, 使调制器在不改变杂质掺杂浓度的情况下就能在调制带宽和消光比性能上获得均衡考虑. 本文设计了基于Add-drop型微环谐振腔的高速、且在低调制电压下实现大消光比的硅基电光调制器, 所用微环谐振腔的半径仅仅为20 μm. 重点分析了直波导与微环谐振腔的耦合对调制器性能的影响, 发现较小的Drop端耦合系数有利于消光比的提高, 但是不能同时达到最佳的调制带宽, 因此设计上存在一个带宽和消光比性能上的折中考虑. 根据优化设计的结果进行了实际器件的制作和测试. 静态光谱测试表明, 在3 V反向偏置电压的作用下, 调制器的消光比最大可达12 dB. 动态电光响应测试中, 在仅仅1.2 V的信号幅值电压下测得了8 Gbps数据传输速率的清晰眼图.
关键词:
电光调制器
绝缘体上的硅
微环谐振腔
载流子色散效应 相似文献
50.
In this short overview, we summarize the optical spectroscopy FeTezxSex and AxFe2-ySe2. We elaborate that optical spectroscopy band structure evolution across the AFM phase transition temperature, studies on iron selenide superconducting systems measurements yield fruitful information about the the electronic correlation effect, the superconduct- ing pairing energy gap, the condensed carrier density or penetration depth, the inhomogeneity and the nanoscale phase separation between superconductivity and antiferromagnetism in those systems. 相似文献