激光脉冲波形对烧蚀Si靶表面温度的影响

利用双温方程对激光烧蚀Si靶的过程进行了数值模拟,并结合合适的初始条件和边界条件,研究了在飞秒、皮秒激光作用下,脉冲波形(矩形、梯形、三角形和高斯形)对Si靶表面载流子和晶格温度分布的影响。结果表明:激光功率密度是影响载流子温升的主要因素,矩形脉冲激光烧蚀Si靶表面载流子的峰值温度最高,而高斯分布的脉冲引起靶面载流子峰值温度最低。可见,激光脉冲波形对Si靶表面载流子的温度分布具有重要影响。所得结果可为制备高质量的薄膜提供理论依据。     

微波辅助加热氧化锰的还原动力学研究

本文在7 KW工业微波炉中研究了微波辅助加热下C和SiC两种还原剂对Mn氧化物的还原动力学特性.结果表明,两种还原剂还原MnO2时的质量损失率和全锰T.Mn的变化均随时间的增加而增加,且用C作还原剂时质量损失率和全锰T.Mn的变化较大,最大质量损失率达到46.45%,最大TMn达到66.35%;两种还原剂还原MnO2的反应速率均受化学反应控制,C还原时速率方程是时间的1次方,而SiC还原时的速率方程是时间的2/3次方,且两种还原剂不同加入量时的还原速率常数k1、k2、k3随还原剂的加入量的增加而增大,且与还原剂的加入量成线性关系.     

外加氩气流下脉冲激光烧蚀制备纳米硅晶粒成核生长动力学研究

为研究纳米硅晶粒成核生长动力学过程,采用脉冲激光烧蚀(PLA)技术,在室温,50～200 Pa的氩气氛围中,通过引入垂直于烧蚀羽辉轴线的外加气流,在水平放置的衬底上沉积了一系列纳米Si晶薄膜.扫描电子显微镜( SEM)、拉曼(Raman)散射和X射线衍射(XRD)检测结果表明,未引入气流时,衬底上相同位置处晶粒尺寸随气体压强的增大逐渐减小;在距靶1 ～2cm范围内引入气流后,尺寸变化规律与未引入气流时相反.通过分析晶粒尺寸及其在衬底上的位置分布特点,结合流体力学模型和热动力学方程,分析得出在激光能量密度一定的条件下,环境气体压强、烧蚀粒子温度和密度共同影响着纳米晶粒的成核生长.