Properties of Diamond-Like Carbon Films Synthesized by Dual-Target Unbalanced Magnetron Sputtering

Smooth, dense and uniform diamond-like carbon films (DLC films) for industrial applications have successfully been prepared by dual-target unbalanced magnetron sputtering and the DLC characteristics of the films are confirmed by Raman spectra. It is found that the sputtering current of target plays an important role in the DLC film deposition. Deposition rate of 3.5 μm/h is obtained by using the sputtering current of 30 A. The friction coefficient of the films is 0.2-0.225 measured by using a pin-on-disc microtribometer. The structure of the films tends to have a growth of sp^3 bonds content at high sputtering current. The compressive residual stress in the films increases with the increasing sputtering current of the target.     

磁电弹性圆环板的三个解析解

从磁电弹性介质控制方程的一般解出发，用调和函数的一些函数作线性组合，给出了磁电弹性圆环板的纯弯曲问题和侧面受均匀径向电位移或磁感应强度问题的解析解。此方法也可应用于磁电弹性圆板的同样问题。     

纳米材料中的巨磁电阻效应

纳米材料是指三维空间尺度中至少有一维处于纳米量级的材料，通常为１—１００ｎｍ，如纳米微粒，纳米线、管，纳米薄膜或其组合材料，近年来纳米材料中的巨磁电阻效应颇受人们青睐，本文将重点介绍颗粒膜，颗粒合金薄带，非连续多层膜，颗粒—薄膜混合型膜以及磁性隧道结的巨磁电阻效应。     

混价锰氧化物超巨磁电阻材料研究进展

综述了钙钛矿结构锰氧化物超巨磁电阻材料的研究进展，主要包括Ｊａｈｎ－Ｔｅｌｅｒ畸变、磁性、电阻率、热电势、霍尔效应、比热、热膨胀、电荷有序、中子衍射和非弹性散射、电子能谱，以及同位素效应等方面     

Dy的高掺杂对La0.7Sr0.3MnO3体系磁电性质的影响

通过实验研究了La07-xDyxSr03MnO3(x=000，030，040，050，060，070)体系的M_T曲线，M_H曲线，ρ_T曲线和MR_T曲线. 实验结果表明：随着Dy掺杂的增加，体系从长程铁磁有序向自旋团簇玻璃态、反铁磁及 亚铁磁状态转变. x=030样品的M_T曲线上在TN附近出现磁化强度尖峰， x=040时尖峰消失. 对x=050样品，ZFC的M_T曲线随温度增加出现一个谷，随 后在TN处出现峰；而FC的M_T曲线在低温下呈现负磁矩. 对x=060和070 样品，不论FC还是ZFC的M_T曲线都类似于x=050的ZFC的M_T曲线. 高掺杂时的输 运性质在其磁背景下发生异常. 这些奇异现象用Nel的双格子模型并联合M_H回滞曲线 给予很好地解释. 关键词： 磁结构 输运行为 庞磁电阻效应     

电子型高温超导体/铁电体/巨磁阻材料异质结的生长及其电输运性质的研究

本文中采用脉冲激光沉积的方法原位制备了结构完整的La1.89Ce0.11CuO4(LCCO)/Ba0.7Sr0.3TiO3(BST)/La0.67Sr0.33MnO3(LSMO)三层膜,并在此基础上制得了类似P-I-N型的全钙钛矿结构材料异质结.在不同的温度区间对其电输运性质进行了测量.测量结果表明随着充当绝缘层的Ba0.7Sr0.3TiO3的厚度的变化,异质结的电输运机制也在变化.当其厚度到达25纳米时,整个结在低温区呈现良好的整流特性.     

Growth of Indium Nanorods by Magnetron Sputtering

Indium nanorods are grown on silicon substrates by using magnetron-sputtering technique. Film morphologies and nanorod microstructure are investigated by using scanning electron microscopy, high-resolution transmission electron microscopy （HRTEM）, and x-ray diffraction. It is found that the mean diameter of the nanorods ranges from 30nm to 100nm and the height ranges from 30nm to 200nm. The HRTEM investigations show that the indium nanorods are single crystals and grow along the [100] axis. The nanorods grow from the facets near the surface undulation that is caused by compressive stress in the indium grains generated during grain coalescence process. For low melting point and high diffusivity metal, such as bismuth and indium, this spontaneous nanorod growth mechanism can be used to fabricate nanostructures.     

In替代(La2/3Ca1/3)(Mn(3-2x)/3In2x/3)O3体系巨磁电阻效应的研究

采用固态反应法制备了In替代的(La_2/3Ca_1/3)(Mn_(3-2x)/3In_2x/3)O₃(x=0.00，0.10，0.15)体系.通过测量其零场和1.6T磁场下样品的电阻-温度关系以及一定温度下磁电阻率与磁场的关系.发现随In³⁺替代量的增加其磁电阻峰和电阻峰均向低温方向移动，同时巨磁电阻效应减弱，磁电阻峰也展宽.这是由于In³⁺替代量的变化，引起 关键词：     

磁电子学讲座 第六讲 巨磁电阻效应在信息存储等领域中的应用

用巨磁电阻材料构成磁电子学新器件，已开始在信息存储领域成功地获得了应用．文章介绍了用于计算机硬磁盘驱动器的巨磁电阻磁头和巨磁电阻随机存储器，描述了它的工作原理、性能特点及发展趋势．指出巨磁电阻材料在传感器方面的应用也令人瞩目，有着广阔的市场前景．     

RE1—xTxMnO3氧化物的结构，电磁特性和巨磁电阻

ＲＥＭｎＯ３（ＲＥ＝Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｃｄ等）具有钙钛矿结构。如用二价碱土金属部分替代稀土元素，可形成掺杂锰氧化物ＲＥ１－ｘＴｘＭｎＯ３（Ｔ＝Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｐｂ）。随掺杂量的增加，样品的结构和电磁性能都有很大变化。近年来在这类氧化物中还发现巨大的负磁电阻效应，其值可达１０６％。这类材料显示的复杂物理现象和可能的应用前景引起人们很大的兴趣。本文将概括的介绍这类氧化物的晶格结构，电子结构，电磁性能及其巨磁电阻随掺杂变化的实验结果，并对其可能的机理进行探讨。