SiC-Based p^＋nn^＋ Diode for Picosecond Semiconductor Closing Switch

We study a SiC-based diode with a p^ nn^ structure for picosecond semiconductor closing switch and discuss the physical process, which underlies the operation principle of high-power closing switch based on a delayed breakdown diode. By two-dimensional mixed device-circuit simulations, we demonstrate a single device reliably operated at 4kV and at risetime 11 ps with high output dV/dt = 276kV/ns, which is in good agreement with the experimental results.     

低导通电阻4H-SiC光导开关

研制了以4H-SiC为基底材料的同面型光导开关,研究了磷离子注入对器件性能的影响。测试结果表明,采用磷离子注入能够有效降低电极处的体电阻,光导开关单位电极间隙的最小导通电阻为3.17!/mm。实验研究了偏置电压和光脉冲能量对导通电阻的影响,在偏置电压10kV、光能量为30.5mJ的条件下,器件的输出功率超过2.0 MW。结果表明,研制的开关具有输出波形稳定、抖动小、功率大等特点。     

高频感应燃烧红外吸收法测定碳化硅中硫含量

采用高频感应燃烧红外吸收法测定碳化硅中硫含量,分别考察了取样量,助熔剂种类、用量对测定结果的影响。结果显示:取样量为90~140 mg,铁屑用量为0.8 g,钨锡助熔剂用量为1.6 g,可以得到稳定可靠的测定结果。测定结果的相对标准偏差为3.4%(n=10),加标回收率为94.8%~106.1%。     

高耐磨化学共沉积复合材料的组成与耐磨性能研究

采用化学沉积方法，制备镍合金－碳化硅，氧化铝，金刚石复合材料，研究了金属基体与硬质非金属粒子复合材料的组成与耐磨性能，硬质粒子相随着镍合金的还原反应沉积而复合，二者复合界面不产生反应系机械结合；随着硬质粒子相添加量的提高，复合材料晶化倾向加大，与镍合金相比，复合材料的硬度和耐磨性能显著上升，金刚石复合材料为最高；经过４００℃时效处理，复合材料基体析出磷化物Ｎｉ３Ｐ，进一步得以强化，表现为硬度升高，     

多孔硅衬底上溅射沉积SiC:Tb薄膜的光致发光行为

在多孔硅衬底上用射频溅射法沉积了非晶的SiC:Tb薄膜. 对样品在N2中进行了不同温度的退火处理. 用傅里叶红外变换谱分析了样品的结构.用荧光光谱仪测试了样品的光致发光，在紫外、可见光区域观测到了强的发光峰.发现随着衬底加热温度和样品退火温度的变化，发光峰有明显的强度变化和微弱的蓝移现象.分析了产生这种现象的机理，得出了紫外区域的发光峰是由于氧缺乏中心引起的，而可见区的发光是由于Tb离子产生的. 关键词： 碳化硅 光致发光 氧缺乏中心 多孔硅     

α-SiC (1010)表面结构的第一性原理计算

用全势缀加平面波方法（FPLAPW）计算了α-SiC及其非极性（101^-0）表面的原子与电子结构。计算出的α-SiC晶体结构：晶格常量和体积弹性模与实验值符合得很好。用平板超原胞模型来计算α-SiC（101^-0）表面的原子与电子结构，结果表明表面顶层原子发生键长收缩并扭转的弛豫特性，表面阳离子Si,C向体内方向发生不同程度的位移。表面重构的机理为Si,C原子由原来的sp^3杂化方式退化为sp^2杂化，与其三配位异种原子近似以平面构型成键。另外，表面弛豫实现表面由半金属性至半导体性的转变。     

碳化硅薄膜脉冲激光晶化特性研究

采用XeCl准分子激光对非晶碳化硅(a-SiC)薄膜的脉冲激光晶化特性进行了研究.通过原子力显微镜（AFM）和Raman光谱技术对退火前后薄膜样品的形貌、结构及物相特性进行了分析.结果表明，选用合适的激光能量采用激光退火技术能够实现a-SiC薄膜的纳米晶化.退火薄膜中的纳米颗粒大小随着激光能量密度的增加而增大；Raman谱分析结果显示了退火后的薄膜的晶态结构特性并给出了伴随退火过程存在的物相分凝现象.根据以上结果并结合激光退火特性，对a-SiC的脉冲激光晶化机理进行了讨论. 关键词： 激光退火 晶化 碳化硅     

含碳材料中碳化硅的测定

近年来 ,不烧铝碳质耐火材料在铁水预处理设备中得到广泛的应用 ,尤其是在铝碳质耐火材料中添加碳化硅 ,能改善材质的抗热震性和抗侵蚀性。而碳化硅含量的多少 ,会影响铝碳质耐火材料的性能。本文在 GB30 4 5- 89和 GB1 32 4 5- 91方法的基础上 ,作了含碳材料中碳化硅测定的试验探讨 ,并制订了相应的分析方法 ,重现性和稳定性都较好。应用于碳复合耐火材料中碳化硅的测定 ,结果满意。1　试验部分1 .1　仪器与试剂管式电阻炉硼酸铅 (助熔剂 ) :65g氧化铅与 1 0 g氧化硼在950°C熔融 1 5min,冷却后破碎至 0 .8mm以下 ,装入试剂瓶中密封保存…