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101.
Characteristics of single- and multi-finger mesa InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistors (DHBTs) are compared. The current gain decreases with the increasing number nf of the emitter fingers due to the mutual thermal interaction between the fingers. The Kirk current can be as high as 150mA for four-finger DHBT. No degradation of the peak of the current gain cutoff frequency ft is found for multi-finger DHBTs. The peak of the maximum oscillation frequency fmax decreases with an increase of nf due to the increasing parasitic resistance of the base. The results are very helpful for applications of the common-base DHBTs in power amplifiers operating at very high frequencies. 相似文献
102.
103.
报导了InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs垂直耦合量子结在注入式激光器的制备工艺及其光致荧光谱,量热吸收谱和电致荧光谱的特性,该激光器的连续波波发光功率在室温下可达1W。 相似文献
104.
采用回旋共振光谱方法,同时获得了具有较高电子气浓度的赝形In0.80Ga0.20As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48AsHEMT结构中最低两个子能带的费密面附近电子有效质量、 散射时间和迁移率.观察到该系统中能带非抛物性和波函数穿透所导致的电子回旋有效质量的显著增大效应,以及合金无序势和电离杂质散射所引起的电子散射时间和迁移率明显的子带依赖性.
关键词: 相似文献
105.
106.
建立了一种测定环境水中痕量砷(Ⅲ)的共振瑞利散射(RRS)新方法.在pH=6.6 KH2PO4-Na2HPO4(PBS)缓冲溶液中和聚乙烯醇(PVA)存在时,I-3与结晶紫(CV)能生成稳定的离子缔合物,导致共振瑞利散射增强.当加入微量As(Ⅲ)时,碘能定量氧化As(Ⅲ),导致共振瑞利散射减弱.在0.1-3.0 μg/25mL浓度范围内,体系的共振瑞利散射改变值△IRRS与As(Ⅲ)浓度呈线性关系,方法检出限为1.0μg/L.已用于环境水样中痕量As(Ⅲ)的测定,结果令人满意. 相似文献
107.
108.
109.
110.
本法采用高铁复盐—银盐的水溶液吸收氢化砷,在银离子催化下,负价态砷将高铁还原成亚铁,借邻菲罗啉与亚铁离子生成橙红色络合物,用光度法测定砷。其反应机理是: 相似文献