全文获取类型
收费全文 | 9294篇 |
免费 | 3104篇 |
国内免费 | 6831篇 |
专业分类
化学 | 10879篇 |
晶体学 | 715篇 |
力学 | 1163篇 |
综合类 | 226篇 |
数学 | 360篇 |
物理学 | 5886篇 |
出版年
2024年 | 111篇 |
2023年 | 427篇 |
2022年 | 442篇 |
2021年 | 572篇 |
2020年 | 432篇 |
2019年 | 589篇 |
2018年 | 386篇 |
2017年 | 583篇 |
2016年 | 598篇 |
2015年 | 644篇 |
2014年 | 1309篇 |
2013年 | 1098篇 |
2012年 | 968篇 |
2011年 | 1076篇 |
2010年 | 1054篇 |
2009年 | 1069篇 |
2008年 | 1080篇 |
2007年 | 911篇 |
2006年 | 1018篇 |
2005年 | 971篇 |
2004年 | 846篇 |
2003年 | 754篇 |
2002年 | 537篇 |
2001年 | 451篇 |
2000年 | 301篇 |
1999年 | 296篇 |
1998年 | 169篇 |
1997年 | 163篇 |
1996年 | 95篇 |
1995年 | 93篇 |
1994年 | 55篇 |
1993年 | 29篇 |
1992年 | 34篇 |
1991年 | 18篇 |
1990年 | 14篇 |
1989年 | 15篇 |
1988年 | 7篇 |
1987年 | 1篇 |
1986年 | 3篇 |
1985年 | 10篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 372 毫秒
91.
92.
Field Emission from Silicon Nanocrystallite Films with Compact Alignment and Uniform Orientation 下载免费PDF全文
Patterned silicon nanocrystallite (SINC) films were fabricated on (100) orientation p-type boron-doped sificon wafer by the hydrogen ion implantation technique and the anodic etching method. The efficient field emission with low turn-on field of about 3.5V/μm at current density of 0.1μA/cm^2 was obtained. The emission current density from the SiNC films reached 1mA/cm^2 under a bias field of about 9.1V/μm. The experimental results demonstrate that there are great potential applications of the SiNC films for fiat panel displays. A surface treatment with hydrogen plasma was performed on the SiNC films and a significant improvement of emission properties was achieved. 相似文献
93.
合成了Co@SiO2核壳式纳米粒子,并采用透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和振动样品磁强计(VSM)对其形状、尺寸、荧光及磁特性进行了表征,探讨了其在细胞分离和细胞芯片上的应用和原理. 相似文献
94.
Large quantities of CaN nanorods are successfully synthesized on Si(111) substrates by ammoniating the films of Ga2O3/ZnO at 950℃ in a quartz tube. The structure, morphology and optical properties of the as-prepared CaN nanorods are studied by x-ray diffraction, scanning electron microscopy, high-resolution transmission electron microscopy, Fourier transform infrared spectroscopy, and photoluminescence. The results show that the CaN nanorods have a hexagonal wurtzite structure with lengths of several micrometres and diameters from 80 nm to 300hm, which could supply an attractive potential to harmonically incorporate future GaN optoelectronic devices into Si-based large-scale integrated circuits. The growth mechanism is also briefly discussed. 相似文献
95.
96.
SiCp/Y112铝基复合材料制备工艺及性能 总被引:2,自引:0,他引:2
3种不同铸造工艺条件下铝基复合材料的微观组织,并对其硬度进行了测定.研究表明:与全液态铸造法和半固态铸造法相比,搅熔铸造制备的SiCp/Y112铝基复合材料,其增强相SiC颗粒分布均匀,气孔率较少.是一种较理想的金属基复合材料制备工艺.未增强的Y112基体铝合金的维氏硬度高于其半固态坯料的维氏硬度;而SiCp/Y112铝基复合材料的维氏硬度明显高于基体的维氏硬度,并随着SiC颗粒的体积分数的增加其复合材料的维氏硬度不断提高. 相似文献
97.
微纳米加工技术及其应用综述 总被引:2,自引:0,他引:2
材料与结构在微纳米尺度展现了许多不同于宏观尺度的新特征,纳米技术已经成为当前科学研究与工业开发的热门领域之一。微小型化依赖于微纳米尺度的功能结构与器件,实现功能结构微纳米化的基础是先进的微纳米加上技术,文章对微纳米加上技术做了一个综合的介绍,简要说明了微纳米加工技术与传统加工技术的区别,在微纳米加工技术的应用方面提出了一些合理选择加工技术的原则,并对当前微纳米加工技术面临的挑战和今后发展的趋势作了预测。 相似文献
98.
将(4,4',4',4')四羧基酞菁钴(CoTcPc)和HRP标记核基质蛋白22抗体(HRP-Ab-NMP22)一起固定在Au电极表面,构建了一种快速测定膀胱肿瘤患者尿液中NMP22抗原含量的安培免疫传感器(HRP-Ab-NMP22/Fe3O4/CoPc CME).实验表明:该传感器对NMP22抗原具有良好的电化学响应,HRP对H2O2电催化氧化电流I0降低,△I0与NMP22浓度在1.0~150ng·mL-1成线性关系,检测限则为0.5ng·mL-1.该传感器基于一次性竞争性免疫反应,较Elisa法提高了检测速度,有望用于膀胱肿瘤的迅速诊断. 相似文献
99.
纳米累托石-TiO2光催化剂的制备及表征 总被引:1,自引:1,他引:0
以TiCl4和累托石为主要原料,制备出纳米累托石-TiO2粉末,并用X-衍射、透射电镜等对其进行表征.结果表明:纳米累托石-TiO2粉末平均直径为17.5nm当焙烧温度从500℃升至800℃时,累托石-TiO2粉末的比表面积从65.7m^2/g下降至3.3m^2/g,单位质量吸附剂的孔体积从0.1430cm。/u降到0.0213cm^3/g;当焙烧温度从300℃上升至500℃时,孔径变化不大,属中孔范围;当焙烧温度升至800℃时,一些孔道出现坍塌,不利于纳米累托石-TiO2粉末的光催化活性. 相似文献
100.
为了进一步研究纳米导线阵列的排列形状以及阵列数目对其场发射行为的影响,利用镜像悬浮球模型对正方形以及六边形排列的纳米导线阵列的场发射行为进行计算与模拟,近似的得到纳米导线阵列的场发射增强因子满足如下的变化趋势:β=h/ρ(1/1+W)+1/2(1/1+W)2+3,其中h为纳米导线的高度,ρ为纳米导线的半径,W是以R为自变量的函数,R为纳米导线阵列的间距.结果显示纳米导线阵列的排列形状对其场发射性能的影响较小,而阵列间距则是影响场发射性能的关键因素:当R<R0时,场发射增强因子随着阵列间距的减小而急剧减小;当R>R0时,场发射增强因子基本不变,其中R0为导线阵列场发射的最佳间距.进一步研究表明改变纳米导线阵列的数目基本不会改变阵列的场发射性能随间距的变化趋势,但是随着阵列数目的增加,R0会有一定程度的减小,场发射增强因子也会降低.
关键词:
纳米导线
场发射
增强因子
阵列数目 相似文献