微纳米加工技术在纳米物理与器件研究中的应用

物质在纳米尺度下可能呈现出与体材料不同的物理特件，这正是纳米科技发展的基础之一。要想探索在纳米尺度下材料物埋性质的变化规律及可能的应用领域，离不开相应的技术手段，微纳米加工技术作为当今高技术发展的重要技术领域之一，是实现功能人工纳米结构与器件微纳米化的基础。本文根据几个不同的应用领域，介绍了微纳米加工技术在纳米物理与器件研究领域的应用。     

F掺杂的BN纳米管及电导特性

利用一种新颖的催化生长方法,在生长BN纳米管的过程中直接引入F原子,获得了均匀F掺杂的BN纳米管.高分辨透射电子显微镜研究表明,构成BN纳米管的六元环由于F掺杂而被严重扭曲,纳米管壁由一些高度卷曲的连续片层构成.电学性质测量表明,相对于无掺杂的BN纳米管而言,F掺杂BN纳米管的电导显著增加.     

光学分子成像技术观察纳流芯片对DNA分子的研究

λ-DNA与荧光染料YOYO-1结合，利用荧光显微技术对DNA分子在毛细现象作用下进入宽40 nm、深60 nm的纳米沟道内，并在其内部被拉伸以及沿沟道移动的情形进行了观察.讨论了DNA分子在沟道内的运动情况.结合光学分子成像技术与该尺寸范围的纳流芯片，将有助于研究生物分子的动力学和静力学性质.     

NiSi Film Synthesized by Isochronal Annealing in a Magnetron Sputtering System

By repeatedly pre-cleaning the sputtering chamber with Ar gas and in-situ isochronal annealing samples, NiSi films are successfully prepared on Si （100） substrates in a radio-frequency magnetron sputtering system. A comparison between the obtained NiSi and excess oxygen-contaminated Ni/Si films has been performed by EDX analysis of oxygen atomic content in both the films. Focused ion beam milling technology is employed to make the cross-sections of the samples for characterizing the NiSi film thickness and NiSi/Si interface roughness. The influences of nickel film thickness on the NiSi-film morphology and on the NiSi/Si interface roughness are studied.     

新型正充电单层结构有机光受体的研制

将纳米级酞菁氧钒分散于聚碳酸酯成膜剂中，成功研制了一类性能优良的单层 结构有机光受体．实验结果表明此类光受体随着酞菁氧钒在聚碳酸酯中含量的变化 ，其灵敏度、暗衰、饱和电位及残余电位出现规律性变化．控制酞菁氧钒在聚碳酸 酯中的含量可使此类光受体表现出优良的电荷保持能力，并在可见至近红外光谱范 围内具有高灵敏度、低暗衰和低残留电位，当酞菁氧钒含量为32时，光受体的光衰 灵敏度（曝光波长780nm,光强1、17uW),E1/2=1.13uL/cm^3,E1/5=1.21uJ/cm^2,充 电电位V0=623V，暗衰DD=24.5V/s，残余电位VR=12V。