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152.
原子核跃迁几率理论计算和实验对比是分析描述原子核内部结构的主要手段之一。目前采用重离子核反应观测到^143Pm核(Z=61,N=82)高自旋能级结构:激发态最大能级达x=8397.6keV,对应自旋J=47/2(h=1)。利用核壳模型在计算^143Pm核能级结构及对应的自旋宇称基础上,系统地对其γ级联跃迁链以及纯E2跃迁进行了计算,并与实验数据进行对比。采用OXBASH程序的单粒子跃迁公式计算了^143Pm的跃迁几率。At present, the high spin state of ^143 Pm(Z = 61, N = 82) have been investigated. The level scheme of ^143Pm has been extended up to an excitation energy Ex = 8 397.6 keV and spin J =47/2( h = 1 ). Based on the nuclear shell model (NSM), we have calculated the sequences of γ-ray transition rates and the pure E2 reduced transition probabilities of ^143Pm, and compared with experimental data. The formula of single-particle transition probability in the OXBASH code was applied in this paper. 相似文献
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A Kondo model in a square tight-bonding lattice of conduction electrons is considered.The Kondo interaction takes a d-wave.Using mean-field theory and numerical simulations,it is found that there is a pseudo-gap for the impurity density of states at the Fermi level.Numerical results also show that the exponents of the lowtemperature thermodynamic quantities are non-universal but dependent on the interaction. 相似文献
154.
155.
采用多靶磁控溅射法制备了一系列具有不同Al2O3调制层厚度的TiN/Al2O3纳米多层膜.利用X射线能量色散谱、X射线衍射、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜和微力学探针表征了多层膜的成分、微结构和力学性能.研究结果表明,在TiN/Al2O3纳米多层膜中,单层膜时以非晶态存在的Al2O3层在厚度小于1.5 nm时因TiN晶体层的模板效应而晶化,并与TiN层形成共格外延生长,相应地,多层膜产生硬度明显升高的超硬效应,最高硬度可达37.9 GPa.进一步增加多层膜中Al2O3调制层的层厚度,Al2O3层逐渐形成非晶结构并破坏了多层膜的共格外延生长,使得多层膜的硬度逐步降低. 相似文献
156.
157.
在backstepping程序中,把非线性自适应控制和鲁棒控制连接起来,为参数化的严格反馈系统在不确定性存在的情况下,建立了一种鲁棒自适应控制方案.非线性自适应控制被用来处理系统的线性参数化部分,而鲁棒控制通过引进非线性阻尼项被用来处理不确定性部分.与现有的方案不同,作者给出了非线性阻尼项的无限种选择,而不是仅仅一种选择.通过使用一种合适的选择,能够设计一个鲁棒自适应控制器.它不仅能够保证对不确定性的鲁棒性,而且能够使输出误差任意小,以及用较小的控制努力取得较好的性能. 相似文献
158.
利用六面顶高压设备制备了高密度、低脆性、纳米级的ZnO块体材料,用MDI/JADE5 X射线衍射仪(Cu靶)和XL30S-FEG场发射扫描电子显微镜对高压样品的相组成、晶粒尺寸及微观形貌进行了表征.利用E55+FRA106/5傅里叶变换激光拉曼光谱仪通过ZnO块体样品位于50—500cm-1之内的拉曼光谱, 研究了极性半导体纳米材料的拉曼光谱学特征.发现在极性半导体ZnO纳米块体材料中,没有出现明显的尺寸限制效应.
关键词:
ZnO纳米块体
拉曼光谱
尺寸限制效应 相似文献
159.
对掺有镉、硒、硫的玻璃在500—800℃退火2—24h,生长了不同尺寸的CdSxSe1x纳米晶体.用分光光度计和光致发光光谱(PL)分析了纳米晶体的性能.退火温度低于550℃,纳米晶体处于成核阶段,600—625℃处于正常扩散生长阶段,700—800℃处于竞争生长阶段;而650℃处于两种生长阶段之间.虽然650℃下生长的纳米晶体的尺寸分布比较窄,但纳米晶体的尺寸随退火时间的延长几乎不变,在该温度改变退火时间很难改变纳米晶体的平均尺寸.在所有样品中出现了深能级缺陷,在650℃退火时间小于4h或大于16h有利
关键词:
纳米晶体
生长机理
深能级缺陷 相似文献
160.