首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   5017篇
  免费   1377篇
  国内免费   4804篇
化学   6985篇
晶体学   440篇
力学   507篇
综合类   173篇
数学   736篇
物理学   2357篇
  2024年   51篇
  2023年   177篇
  2022年   202篇
  2021年   254篇
  2020年   199篇
  2019年   262篇
  2018年   191篇
  2017年   282篇
  2016年   324篇
  2015年   371篇
  2014年   523篇
  2013年   565篇
  2012年   509篇
  2011年   498篇
  2010年   488篇
  2009年   560篇
  2008年   520篇
  2007年   445篇
  2006年   510篇
  2005年   522篇
  2004年   472篇
  2003年   479篇
  2002年   381篇
  2001年   428篇
  2000年   301篇
  1999年   257篇
  1998年   238篇
  1997年   204篇
  1996年   175篇
  1995年   173篇
  1994年   143篇
  1993年   91篇
  1992年   103篇
  1991年   82篇
  1990年   89篇
  1989年   61篇
  1988年   27篇
  1987年   15篇
  1986年   4篇
  1985年   5篇
  1984年   4篇
  1983年   5篇
  1982年   6篇
  1980年   1篇
  1959年   1篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 187 毫秒
41.
姜海青  姚熹  车俊  汪敏强 《物理学报》2006,55(4):2084-2091
采用溶胶-凝胶工艺与原位生长技术,制备了ZnSe/SiO2复合薄膜.X射线衍射分 析表明薄膜中ZnSe晶体呈立方闪锌矿结构.X射线荧光分析结果显示薄膜中Zn与Se摩尔比为1 ∶1.01—1∶1.19.利用场发射扫描电子显微镜观察了复合薄膜的表面形貌,结果表明复合薄 膜表面既存在尺寸约为400nm的ZnSe晶粒,也存在尺寸小于100nm的ZnSe晶粒.利用椭偏仪测 量了薄膜椭偏角Ψ,Δ与波长λ的关系,采用Maxwell-Garnett有效介质理论对薄膜的光学 常数、厚度、气孔率、ZnS 关键词: 2复合薄膜')" href="#">ZnSe/SiO2复合薄膜 光学性质 椭偏光度法 荧光光谱  相似文献   
42.
针对磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的特点,对常规单沟道HEMT的小信号物理模型进行了修正,提出了一种新的用于复合沟道HEMT的小信号物理模型,用商用器件模拟软件ISE(integrated systems engineering)对其进行了仿真验证,对比了实测和仿真的I-V特性及转移特性曲线,重点研究了在InGaAs/InP双层沟道中考虑量子效应后的电场和电流密度随着不同栅电压的变化趋势,研究结果表明,由于在沟道中存在量子效应,在栅下靠源端低电场区域,电流主要分布在InGaAs沟道 关键词: 高电子迁移率晶体管 复合沟道 物理模型 磷化铟  相似文献   
43.
交流源作用下介观RLC电路系统量子态随时间的演化   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
刘清  邹丹  嵇英华 《物理学报》2006,55(4):1596-1601
根据量子不变量理论,同时考虑介观电容器极板间电子波函数的耦合作用和电路的耗散,研究介观RLC电路系统在交流电流源作用下动力学的演化过程,并且得到描述系统量子态随时间的演化算符.进一步的分析结果表明,介观RLC电路系统的波函数将由任意的初态演化到一般的压缩态. 关键词: 介观RLC电路 交变电源 不变量理论 时间演化算符  相似文献   
44.
高峰  王艳  游开明  姚凌江 《物理学报》2006,55(6):2966-2971
采用模匹配方法,研究了非均匀磁场下开放的四端量子波导中的电子输运性质. 结果表明,从一端入射的电子可以透射到两个与之垂直的输出端和一个与之平行的输出端. 在没有外加磁场的情况下,两个垂直输出端的输运概率是相同的,但垂直端与水平端的输运概率不同;在外加磁场下,由于磁边缘态效应,两个垂直输出端的输运概率也有着相当大的差别. 通过施加不同的磁场,我们能获得丰富的电子输运结构,如台阶,宽谷,尖峰等;通过调节磁场的大小和比例以及结构参数可控制该量子结构在各输出端的输运概率. 关键词: 电子输运 介观体系 磁效应  相似文献   
45.
采用熔体快淬的方法制备Pr2Fe14B/α-Fe纳米晶复合永磁材料.使用振动样品磁强计(VSM)测量样品的室温磁性能.实验合金成分为(PrxFe94.3-xB5.7)0.99Zr1(其中x=8.2,8.6,9.0,9.4,9.8,10.2,10.6,11.0,11.4(原子分数,%)).系统地研究了辊速及合金成分对快淬带磁性能的影响,当Pr原子分数由8. 关键词: 纳米复合永磁材料 熔体快淬 2Fe14B/α-Fe')" href="#">Pr2Fe14B/α-Fe 磁性  相似文献   
46.
在混料问题中,经常出现附加的混料约束.对于单分量上、下界约束系,我们证明:只存在两种非确界约束,或者都是单侧的,或者只有一个分量存在双侧非确界约束,不可能有两个分量存在异侧非确界约束.对于分量线性组合上、下界约束系和复合约束系,我们分别给出了关于多余约束的判别方法,并用了一些数值例子说明这些判别方法.  相似文献   
47.
利用多靶磁控溅射技术制备了Au/SiO2纳米颗粒分散氧化物多层复合薄膜.研究了在保持Au单层颗粒膜沉积时间一定时薄膜厚度一定、变化SiO2的沉积时间及SiO2的沉积时间一定而改变薄膜厚度时,多层薄膜在薄膜厚度方向的微观结构对吸收光谱的影响.研究结果表明:具有纳米层状结构的Au/SiO2多层薄膜在560 nm波长附近有明显的表面等离子共振吸收峰,吸收峰的强度随Au颗粒的浓度增加而增强,在Au颗粒浓度相同的情况下,复合薄膜 关键词: 2纳米复合薄膜')" href="#">Au/SiO2纳米复合薄膜 多靶磁控溅射 吸收光谱 有效介质理论  相似文献   
48.
基于超分子结构共掺杂纳米复合薄膜的制备与荧光特性   总被引:5,自引:0,他引:5  
为改善功能分了的特性,提出一种基于金属纳米粒子-偶氮染料复合物共掺杂超分子结构功能材料的设计新方法.并依照此方法制备出复合材料,观测了其显微结构,测量了其紫外-可见光吸收,研究了该超分子结构复合体系的荧光特性.实验发现,由于金属银纳米粒子的掺杂,使得超分子结构复合体系中功能分子甲基橙在溶液态体系的荧光强度增强近5倍,而在两种不同结构(共混结构和包覆结构)的薄膜态超分子结构体系中,其荧光强度分别被猝灭15%和20%.研究结果表明,复合膜中采用超分子结构完全能够改善功能分子的特性.  相似文献   
49.
在自旋-轨道劈裂阵模型下,通过类铜的内壳层激发组态计算了类镍Gd的双电子复合速率系数,其中考虑了共振和非共振辐射平衡跃迁对自电离能级的影响,而忽略了因碰撞跃迁引起的电子俘获,非共振辐射平衡跃迁在低电子温度条件下主要影响双电子复合过程;本文讨论了双电子复合系数及双电子伴线强度比随电子温度的变化.  相似文献   
50.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号