He光双电离末态波函数动量相关效应

在入射光子能量为79.6 eV～139 eV范围内,利用DS3C模型计算了不同碰撞几何条件下He光双电离的三重微分截面(TDCS),并与3C模型计算结果、CCC理论结果和实验数据做了比较.表明,末态波函数动量相关效应成功地修正了3C结果,特别当入射光子能量接近阈值时,明显改善了与实验结果的符合程度.     

保持算子乘积谱函数的映射

设A和B为无限维复Banach空间上的标准算子代数,记Δ~R(·)为下列谱函数之一:σ~R(·),σ_l~R(·),σ_r~R(·),σ_l~R(·)∩σ_r~R(·),(?)σ~R(·),(?)σ~R(·),σ_p~R(·),σ_c~R(·),σ_(ap)~R(·),σ_s~R(·),σ_(ap)~R(·)∩σ_s~R(·),σ_p~R(·)∩σ_c~R(·),σ_p~R(·)∪σ_c~R(·),其中R=A或B.证明了A和B之间的每个保持算子Jordan三乘积(算子乘积)之谱函数△~R(·)的满射Φ必有形式Φ=(?)π,其中(?)是1的立方根(1的平方根)而π或者是A和B之间的代数同构,或者是代数反同构.也获得不定度规空间上的标准算子代数之间保持算子斜乘积之谱函数的映射的完全刻画.     

第三类解的Painlevé方程(δ=0或γ=0)渐近性态

对带有一般实参数第三类Painlevé方程,已有γ＜0,δ＞0时,解的有界性以及振荡渐近解的表达形式的结论.在本文中,我们给出当δ=0或γ=0时其振荡渐近解的表达形式.     

混合单调算子的两点拉伸型不动点定理

本文首次提出了混合单调算子不动点的两点拉伸型条件.同时,利用锥映象的不动点指数理论建立了一类特殊的两点拉伸型混合单调算子的不动点存在性定理,并将所得结论应用于带有超线性项的积分方程与微分方程上,得到了新的结论.因而在本质上推进了混合单调算子不动点问题的研究.     

四阶方程两点边值问题变号解的存在性

利用一个已有的抽象结论,证明了一类非线性四阶方程两点边值问题变号解的存在性.     

中国力学学会第十届现代数学和力学学术会议(MMM-Ⅹ)第一轮征文通知

受中国力学学会委托 ,由太原理工大学应用力学承办的第十届全国现代数学和力学学术会议 (MMM_Ⅹ )将于 2 0 0 5年 1 0月在山西太原举行。会议的目的是促进现代数学在力学中的应用 ,发展力学中的数学方法 ,以推进现代力学科学的发展 ,检阅和交流在第四届国际非线性力学会议之后我国现代数学和力学领域涌现的新成果 ,为第五届国际非线性力学会议做准备 ,欢迎应用数学和力学界人士踊跃参加。(一 )凡是符合上述宗旨的未经发表的数学_力学论文均可投稿。会议论文包括邀请报告、研究综述和一般论文。(二 )下述重点论题的相关论文尤属欢迎 :(1)非…     

色散补偿和色散位移光纤实现光脉冲压缩

根据超短光脉冲在光纤中传输的非线性薛定谔方程，模拟了不同色散参量情况下色散补偿和色散位移光纤对增益开关半导体激光器产生的光脉冲的压缩，给出了光脉冲在经过色散补偿光纤前后的啁啾曲线。结果表明，使用色散参量D分别为-150，-180和-20ps/(nm·km)的色散补偿光纤可以实现其他脉冲压缩方法的压缩效果，最大压缩因子达到6.09，但色散参量越大，所需光纤长度就越短。此外，脉冲经过色散补偿光纤后线性啁啾几乎为零。还利用色散位移光纤对脉冲进行孤子压缩，脉冲宽度由最初的45ps减小到1.23ps。指出采用这2种光纤相结合的方法可以对光脉冲实现高效压缩。     

求解Ericksen-Leslie方程的一阶精度、线性稳定的数值格式

本文研究了液晶流不可压缩动力学方程组的数值求解问题.利用鞍点方法构造泛函,并对泛函进行变分,提出了一个具有一阶精度的解耦数值格式.通过数值模拟结合理论分析,得出所提方法可以准确描述液晶中的缺陷、分子分布规律以及符合动力学规律的结论.丰富了求解液晶动力学模型的内容.     

980 nm半导体激光器温度控制方案设计

980 nm半导体激光器作为掺铒光纤放大器的最佳泵浦源,其温度会影响激光器功率稳定性和放大器输出光谱漂移。提出将现场可编程门阵列（FPGA）作为核心控制元件,以半导体制冷器为执行元件、热敏电阻为温度传感器,利用FPGA自动切换内部状态机、控制流入半导体制冷器电流的方向和大小,实现980 nm半导体激光器内部的温度控制,并通过搭建基于FPGA的掺铒光纤放大器系统实验装置,验证所提方法的可行性。实验结果表明：所提出的温度控制方法能有效地实现980 nm半导体激光器的温度控制,使其功率-电流曲线的线性拟合度提高了23.07%,掺铒光纤放大器的输出光谱波长偏移减小了62.5%,保证了激光器输出功率及放大器输出波长的稳定性。该方法的结构简单且实时性高,对推进半导体激光器温度控制的发展及应用具有非常重要的意义。     

基于1,2-二氰基苯/聚合物复合材料的高耐久性有机阻变存储器

本文报道了一种基于1,2-二氰基苯(O-DCB)与聚(3-己基噻吩)(P3HT)复合薄膜的高耐久性有机阻变存储器(ORSM).ORSM表现出非易失型和双极性存储特性,电流开关比(I_on/off)超过10⁴,耐久性高达400次,保持时间为10⁵s,V_set和V_reset分别为-6.9 V和2.6 V.器件的阻变机理是陷阱电荷的俘获与去俘获,即负偏压或正偏压诱导电荷陷阱的填充和抽离过程,导致电荷传输方式的改变,从而产生高低电阻间的切换.器件的高耐久性一方面是由于O-DCB较小的分子尺寸和较好的溶解性形成了均匀分布且稳定的电荷陷阱,另一方面是由于O-DCB较好的分子平面促进了其与P3HT共轭链的相互作用.该研究为高耐久性ORSM的实现提供了一种有效途径,加快了ORSM的商业化应用进程.