| 基于1,2-二氰基苯/聚合物复合材料的高耐久性有机阻变存储器 |
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| 引用本文： | 李伟,朱慧文,孙彤,屈文山,李建刚,杨辉,高志翔,施薇,魏斌,王华.基于1,2-二氰基苯/聚合物复合材料的高耐久性有机阻变存储器[J].物理学报,2023(4):289-298. |
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| 作者姓名： | 李伟 朱慧文 孙彤 屈文山 李建刚 杨辉 高志翔 施薇 魏斌 王华 |
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| 作者单位： | 1. 山西大同大学固体物理研究所微结构电磁功能材料省市共建山西省重点实验室;2. 山西大同大学化学与化工学院;3. 上海大学材料科学与工程学院;4. 上海大学机电工程与自动化学院新型显示技术及应用集成教育部重点实验室;5. 太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室 |
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| 基金项目： | 山西省应用基础研究计划面上自然基金(批准号:201901D111316)；;山西省高等学校科技创新项目(批准号:2020L0488)； |
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| 摘 要： | 本文报道了一种基于1,2-二氰基苯(O-DCB)与聚(3-己基噻吩)(P3HT)复合薄膜的高耐久性有机阻变存储器(ORSM).ORSM表现出非易失型和双极性存储特性,电流开关比(Ion/off)超过104,耐久性高达400次,保持时间为105s,Vset和Vreset分别为-6.9 V和2.6 V.器件的阻变机理是陷阱电荷的俘获与去俘获,即负偏压或正偏压诱导电荷陷阱的填充和抽离过程,导致电荷传输方式的改变,从而产生高低电阻间的切换.器件的高耐久性一方面是由于O-DCB较小的分子尺寸和较好的溶解性形成了均匀分布且稳定的电荷陷阱,另一方面是由于O-DCB较好的分子平面促进了其与P3HT共轭链的相互作用.该研究为高耐久性ORSM的实现提供了一种有效途径,加快了ORSM的商业化应用进程.
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| 关 键 词： | 有机阻变存储器 聚合物/小分子复合薄膜 分子平面性 高耐久性 |
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