甚高频等离子体增强化学气相沉积法沉积μc-Si∶H薄膜中氧污染的初步研究

对不同的本底真空条件下,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅（μc_Si∶H）薄膜中的氧污染问题进行了比较研究.对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光谱测量结果表明：μc_Si∶H薄膜中,氧以Si—O，O—O和O—H三种不同的键合模式存在,不同的键合模式源自不同的物理机理.μc_Si∶H薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示：沉积过程中氧污染程度的不同,对μc_Si∶H薄膜的结构特性与电学特性产生显著影响；而不同氧污染对μc_Si∶H薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅（a_Si:H）薄膜. 关键词： 氢化微晶硅薄膜 甚高频等离子体增强化学气相沉积 氧污染     

关于限制李超代数的分解

代数$A$ 称为不可分解的,如果 $A$ 不能分解成理想的直和.文中将证明满足$C(L_{\bar{0}})=C(L)=\{0\}$的限制李超代数能够分解成不可分解限制理想的直和,这种分解在不计理想次序的前提下是唯一的.而且还证明了限制李超代数的一些结果.     

非因子化方法研究D~+→ ■~0K~+衰变(英文)

在领头阶和αs 修正阶 ,用QCD因子化方法 ,并对它的软胶子效应用光锥QCD求和规则分析D+ → K0 K+ 衰变过程 ,我们分析发现朴素因子化方法的结果远离实验结果 ,QCD因子化方法结果靠近实验结果 ,但是 ,在QCD因子化方法中 ,若考虑软胶子效应 ,其结果与实验结果相一致 .另外 ,计算发现 ,软胶子效应在该衰变道中有相当大的贡献 ,因此不能被忽略     

Mg,Si和S同位素链的壳反常

采用考虑轴向形变的相对论平均场理论,以双中子、双质子分离能隙δ_2n/δ_2p作为壳封闭的特征,分析了Mg,Si和S同位素链的壳封闭和壳反常,发现Mg同位素链在N=12,16处,Si同位素链在N=14,S同位素链在N?=16处出现明显的壳封闭结构,Si同位素链在N=28处壳层结构并没有消失.Mg,Si和S同位素链在N=20处壳效应并不太明显.     

免疫球蛋白吸附剂体外研究

本文探索了聚丙烯酰胺功能化树脂对人血清免疫球蛋白的吸附。丙烯酰胺共聚物在甲醛作用下,与α—氨基酸相连,能够选择性吸附人血清免疫球蛋白。通过实验发现:交联剂占单体用量10％的共聚物连接D,L—脯氨酸和L—酪氨酸所制备的免疫吸附剂,有较大的吸附量和较好的选择性。本文利用单向免疫扩散法测定吸附前后免疫球蛋白量的变化。     

OU—型Markov过程的单点击中概率与Range

本文着重研究OU-型Markov过程的两个问题:第一,关于单点击中概率的问题,并在此基础上进一步确定OU型Markov过程局部时的存在性条件,这个问题的研究是受Kesten,H的影响,但本文中所用方法与[1]有本质的区别。第二,关于Range方面的问题,本文阐述了几类过程以概率1具有包含区间的Range。 关于OU型Markov过程,Tokuzo,Shiga研究了其常返性的判断准则,Sato,K研究了其平稳分布,Hadjiev,D,I,研究了其初遇问题,本文涉及的单点击中概率,局部时及Range尚没人研究过。     

LiNbO3:Fe晶体中调制双光束耦合衍射效率的测定

通过对LiNbO₃:Fe晶体中双光束耦合中的任一束光强进行低频调制,其衍射效率比无调制时提高两倍多(由30％提高到76％)。用运动光栅理论解释了这一实验结果。 关键词：     

一类最高权向量环的Krull维数

本文给出Om×GLn作用于Cm,n上的复多项式环上的最高权向量环的Krull维数公式,从而改正了Aslaksen,Tan及Zhu的一个错误.     

用大孔吸附树脂从甜菊叶中提取制备叶绿素铜的研究

本文系统研究了用大孔吸附树脂从甜菊叶中提取、制备叶绿素铜的工艺,测定了树脂AB—8,X—5,H—107,PDVB—1～PDVB—5对叶绿素铜的吸附量和动态吸附性能。选用PDVB—1作吸附剂,用以研究不同洗涤条件和解吸条件对产物质量和收率的影响。实验结果表明,用此工艺得到的产品、质量较好,收率以干叶计达2.2％。