对“评‘Einstein-Cartan引力理论中的广义协变守恒定律’”一文的讨论

本文说明：李承尧同志的结论是错误的。     

电感耦合等离子体CVD低温生长硅薄膜过程中的铝诱导晶化

利用电感耦合等离子体CVD方法在350℃的低温下在镀Al玻璃衬底上制备出具有良好结晶性的Si薄膜.利用x射线衍射、紫外-可见分光椭圆偏振谱、原子力显微镜及x射线光电子谱等研究了薄膜的结构、表面形貌和成分分布等.结果表明，用这种方法制备的Si薄膜不但晶化程度高，而且具有良好的（111）结晶取向性，晶粒尺寸大于300nm，样品中无Al的残留.结合电感耦合等离子体的高电子密度特征讨论了低温生长过程中Al诱导Si薄膜晶化的机理. 关键词： 电感耦合等离子体CVD Al诱导晶化 Si薄膜 低温生长     

核形变随Z,N的变化与核子间相互作用的电荷无关性

用双能级模型以及与电荷无关的核子-核子相互作用研究核形变随Z,N的变化,得到了与实验大体相符的结果.     

离子注入n型GaN光致发光谱中宽黄光发射带研究

利用离子注入方法和光致发光技术系统研究了注入离子对n型GaN宽黄光发射带的影响.实验采用的注入离子为：N，O，Mg，Si和Ga，剂量分别为10¹³，10¹⁴，10¹⁵和10¹⁶/cm²，注入温度为室温.注入后的样品在900 ℃流动氮气环境下进行热退火，退火时间为10 min，并对退火前后的样品分别进行室温光致发光测量.通过实验数据的分析，独立提出了提取注入离子对晶体黄光发光特性影响的半经验模型.利用该模型导出的公式，可以确定注入的N，O，Ga，Mg和Si离子对黄光发射带的影响随注入剂量的变化关系以及该影响的相对强弱. 关键词： 氮化镓 光致发光谱 离子注入     

几个(n,d),(n,t)和(n,n'α)反应截面的测量

本文报告了En～14MeV中子以²⁷Al(n,α)²⁴Na或⁹³Nb(n,2n)^92mNb反应截面为中子注量标准测得的⁹²Mo(n,d*)^91mNb,¹⁰⁶Cd(n,d*)¹⁰⁵Ag;⁵⁴Fe(n,t)^52m+gMn,⁵⁸Ni(n,t)⁵⁶Co;⁵¹V(n,n'α)⁴⁷Sc和⁹²Mo(n,n'α)⁸⁸Zr的反应截面.文中还列举了能收集到的数据以作比较,中子能量是用铌锆截面比法测定的.     

非晶半导体基本理论及目前发展概况

 一、非晶半导体基本理论非晶态半导体是一门发展极为迅速的新兴学科,是凝聚态物理学中最为活跃的领域之一,已成为材料学科的一个组成部分.大量的事实说明,研究非晶态半导体的意义不仅在技术上能够产生新材料和新器件,而且对于认识固体理论中的许多基本问题也会产生深远的影响.晶态半导体的基本特征是:组成它的原子或分子作周期性排列,叫作长程有序性.基于这样的特征,利用能带理论,使得晶态半导体中的许多物理问题和半导体器件的基本原理得到了比较满意的解决.而非晶态半导体,结构上是一种共价网络,没有周期性排列的约束,所以它在结构上、光学电学性质上很不同于晶态半导体.因此,在应用上也显示了自己的特征,已呈现了巨大的应用前景.     

时间有关的广义谐振子与外场的相互作用 SU(1,1)(?)h(3)线性非自治量子系统的严格解

利用代数动力学方法得到了SU(1,1)(?)h(3)线性非自治量子系统的精确解及其Cartan不变算子,并发现了量子解与经典解之间的新的间接对应关系.结果还表明代数动力学方法对于这种具有非半单李代数结构的线性动力系统仍然适用. 关键词：     

线性自对偶约束理论的一种推广形式及其量子化

本文推广了线性自对偶约束理论,使其包含以拉氏乘子场为宗量的一个任意势函数.通过分析该系统的约束代数,证明了只有当势函数为二次形时,这个模型才给出自对偶场的Floreanini-Jackiw理论,并且当势函数为一种正幂次函数时,该模型可以给出一个自由标量场理论.     

Y掺杂Al2O3高k栅介质薄膜的制备及性能研究

利用射频反应共溅射方法制备了Y掺杂Al₂O₃电介质薄膜，用掠入射x射线衍射检测了薄膜的结构，用高分辨率扫描电子显微镜(HRSEM)、原子力显微镜(AFM)观察了薄膜断面和表面形貌，用高频C-V和变频C-V及J-V测量了样品的电学特性. 结果表明，Y的掺入使电介质薄膜的介电常数k有了很大提高(8.14—11.8)，并体现出了较好的介电特性. 分析认为：与氧具有较大电负性差的Y离子的加入，增大了薄膜中的金属—氧键(M—O)的强度；同时，Y的加入使Al₂O₃的结构和原子配位发生了改变，从而提高了离子极化对薄膜介电常数的贡献. 退火前后的XRD谱均显示薄膜为非晶态；HRSEM断面和AFM形貌像显示所制备的薄膜非常平整，能够满足器件要求. 关键词： 高k栅介质 掺杂氧化铝 射频反应溅射     

（Ti,Al）N薄膜光学性能的研究

研究了（Ｔｉ，Ａｌ）薄膜的光学特性，对其反射和透射光谱作了仔细分析。运用Ｈａｄｌｅｙ方程，算出一定成分（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ膜的折射率ｎ，消光系数ｋ随波长的变化关系。又根据透射曲线，计算出了（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ膜的光隙能。