SiO_x∶H(0

采用退火后处理的方法，使ＳｉＯｘ∶Ｈ（０＜ｘ＜２）形成纳米硅与二氧化硅的镶嵌结构．利用红外透射谱、Ｒａｍａｎ谱和光致发光谱，系统地研究了不同退火温度对薄膜微结构及室温光致发光谱的影响．发现发光谱均由两个Ｇａｕｓｓ线组成，其中主峰随着退火温度的升高而红移，而位于８３５ｎｍ的伴峰不变．指出退火前在７２０—６１０ｎｍ的波长范围内强的主峰可能来源于膜中的非晶硅原子团，随退火温度的升高主峰的红移是由于非晶硅原子团的长大．而伴峰可能来自硅过剩或氧欠缺引入的某种发光缺陷．１１７０℃退火后在８５０ｎｍ附近出现强的谱带与纳米硅的析出有关，支持了量子限制效应发光模型．     

稳定、优质nc-Si/a-Si:H薄膜的研制和特性分析

利用等离子体增强化学气相沉积技术研制出了优质稳定的氢化非晶-纳米晶两相结构硅薄膜.薄膜的光电导率相对于器件质量的非晶硅有两个数量级的提高；光敏性也较好，光、暗电导比可以达到１０⁴，此外薄膜的光电导谱具有更宽的长波光谱响应.更为重要 的是薄膜的光致退化效应远小于典型的非晶硅薄膜，在光强为５０ｍW／ｃｍ²的卤钨灯光 照２４h后，光电导的衰退小于１０％.这种薄膜优良的光电性能源于薄膜中的非晶母体的存在使其在 光学跃迁中的动量选择定则发生松弛，因而具有大的光学吸收系数和 关键词： 非晶硅 微结构 光致变化     

基于多候选储位的存取路径优化问题研究

针对单储位储存方式可能导致仓库存取通道拥挤和作业效率低的情形,提出了一种基于多候选储位的存取路径优化方法。首先分配了货物的存取储位,然后建立了多候选储位的车辆路径问题(MLVRP)模型,并基于储位优先解码原则设计了遗传算法,最后通过算例证明该方法的有效性和算法的高效性。多候选储位的方法可以为取货任务至少节约18.4%(两个候选储位)和21.8%(三个候选储位)的路程,算法迭代10000次只需要434s。     

硫铁矿烧渣制备导电陶瓷的工艺研究

采用全铁含量21.89;,Fe2O3含量29.80;的硫铁矿烧渣,在高温还原气氛下以少量还原剂还原,制备了电阻率较低的高强导电陶瓷.研究了烧结温度、保温时间、矿化剂种类及掺杂量对导电陶瓷强度及电阻率的影响.结果表明:导电陶瓷的强度随烧结温度的升高而增加,保温时间的延长而降低,矿化剂掺杂量的增加而增加;而电阻率的变化趋势正好与强度变化相反.当还原剂与硫铁矿烧渣比值为0.1,1400℃保温60 min,萤石掺杂量5.4;,导电陶瓷电阻率达到58 Ω·cm,强度87 MPa;而当Na2O掺杂量达到4;,电阻率为88 Ω·cm,强度为84MPa.     

The p recombination layer in tunnel junctions for micromorph tandem solar cells

A new tunnel recombination junction is fabricated for n–i–p type micromorph tandem solar cells. We insert a thin heavily doped hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) p + recombination layer between the n a-Si:H and the p hydrogenated nanocrystalline silicon (nc-Si:H) layers to improve the performance of the n–i–p tandem solar cells. The effects of the boron doping gas ratio and the deposition time of the p-a-Si:H recombination layer on the tunnel recombination junctions have been investigated. The current-voltage characteristic of the tunnel recombination junction shows a nearly ohmic characteristic, and the resistance of the tunnel recombination junction can be as low as 1.5 ·cm 2 by using the optimized p-a-Si:H recombination layer. We obtain tandem solar cells with open circuit voltage V oc = 1.4 V, which is nearly the sum of the V oc s of the two corresponding single cells, indicating no V oc losses at the tunnel recombination junction.     

两相自然循环流量漂移的分岔研究

本文基于分岔理论及DERPAR数值算法,运用均相模型计算得出典型沸腾两相自然循环系统的静态分岔解图。讨论了系统压力、欠热度、阻力等参数对运行稳定性及输热能力限的影响。通过采用不同冷凝器模型,研究了冷凝模型与参数对流量漂移特性的影响。并将结果与漂移模型计算结果进行比较,结果可为两相自然循环回路设计、运行提供参考。     

使用界面追踪对膜态沸腾的数值研究

提出一种计算带相变的自由界面的数值算法.基于分段线性界面重构(PLIC)的VOF(volume-of-fluid)方法用于追踪自由界面,并对汽液交界面上的相变导致的不连续速度场给出处理方法.此方法容易实施且被证明是有效的.流场的求解使用SIMPLE方法,表面张力使用连续表面力模型(CSF)进行计算.在三维直角坐标系下,模拟了水平壁面上的膜态沸腾,在二维适体坐标系下,模拟了竖直圆头柱体表面的自然对流膜态沸腾.计算结果与理论关系式符合较好.     

宏电子学与非晶硅器件

 宏电子学(Macroelectronics)是电子学领域里正在兴起的一门学科.它的内涵,目前主要是指以非晶硅及其合金薄膜材料为基础的大面积集成化电子器件和光电子器件.这里所谓大面积,是相对于微电子学(Microelectronics)研究的主要对象--晶体硅集成电路芯片而言的.前者的面积往往可达数平方分米,而后者一般只有若干平方毫米,至多达平方厘米量级.微电子学在促进人类20世纪文明的过程中起过非常重要的作用,无疑今后也还将发挥积极的影响.然而,微电子学的精髓在于小型化.它的优势主要是在信号或数据的处理、加工方面.而在信号或数据的接收、采集和输出、显示方面,往往须面对相对庞大的客体.它们的面积,由于这样或那样的原因是不能缩小的.     

蒸汽爆炸粗混合过程中的蒸发阻力模型

在蒸汽爆炸的粗混合过程中,由于液体的快速蒸发,高温金属液滴的周围会产生一层很薄的蒸汽膜,此时液滴周围的边界层流动与没有液体蒸发时有很大的不同,因此,常温情况下的小球在连续液体中运动时的通用阻力模型在这种情况下是不适用的．本文通过受力分析,考虑了高温小球受力的分布和表面蒸发对小球周围力的影响,从阻力的基本机理上分析了蒸发状态下小球的运动阻力,分别提出了高温颗粒穿过自由表面时与其在液体中运动时的蒸发阻力模型．分析表明,当小球温度高于2500 K,特别是在靠近自由表面的区域,由于小球表面液体蒸发而产生的蒸发阻力作用非常明显．分析指出,小球的入水初速、小球表面的液体蒸发速率以及汽膜厚度都是影响小球运动阻力大小的重要因素．     

Structural properties of polycrystalline silicon films formed by pulsed rapid thermal processing

A novel pulsed rapid thermal processing (PRTP) method has been used for realizing solid-phase crystallization of amorphous silicon films prepared by plasma-enhanced chemical vapour deposition.The microstructure and surface morphology of the crystallized films were investigated using x-ray diffraction and atomic force microscopy.The results indicate that PRTP is a suitable post-crystallization technique for fabricating large-area polycrystalline silicon films with good structural quality,such as large grain size,small lattice microstrain and smooth surface morphology on low-cost glass substrates.