a—Si：O：H薄膜微结构及其高温退火行为研究

以微区Raman散射、X射线光电子能谱和红外吸收对等离子体增强化学气相沉积（PECVD）法制备的氢化非晶硅氧（a-Si:O:H)薄膜微结构及其退火行为进行了细致研究。结果表明a-Si:O:H薄膜具有明显的相分离结构,富Si相镶嵌于富O相之中,其中富Si相为非氢化四面体结构形式的非晶硅（a-Si),富O相为Si,O,H三种原子随机键合形成的SiOx:H(x≈1.35)。经1150℃高温退火,薄膜中的H全部释出;SiOx:H(x≈1.35)介质在析出部分Si原子的同时发生结构相变,形成稳定的SiO2和SiOx(x≈0.64);在析出的Si原子参与下,薄膜中a-Si颗粒固相晶化的成核和生长过程得以进行,形成纳米晶硅（nc-Si),研究发现此时的薄膜具有典型的壳层结构,在nc-Si颗粒表面和外围SiO2介质之间存在着纳米厚度的SiOx(x≈0.64)中间相。     

a-Si∶O∶H薄膜微结构及其高温退火行为研究

以微区Raman散射、X射线光电子能谱和红外吸收对等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备的氢化非晶硅氧(a-Si∶O∶H)薄膜微结构及其退火行为进行了细致研究.结果表明a-Si∶O∶H薄膜具有明显的相分离结构,富Si相镶嵌于富O相之中,其中富Si相为非氢化四面体结构形式的非晶硅(a-Si),富O相为Si,O,H三种原子随机键合形成的SiO_x∶H(x≈1.35).经1150℃高温退火,薄膜中的H全部释出;SiO_x∶H(x≈1.35)介质在析出部分Si原子的同     

高效液相色谱法测定合成航空润滑油中添加剂

为了提高使用性能,合成航空润滑油中一般加有多种添加剂。因此,分析测定添加剂的含量,不仅对产品的质量管理,而且对研究各油品的使用寿命、废油再生及其解剖分析等都有一定意义。 我们在前人工作的基础上,时常见的合成航空润滑油多种添加剂的高效液相色谱法的测定进行了研究(添加剂种类参见图1)。在采用回收率法进行     

高光敏性高稳定性氢化非晶硅薄膜的研制

采用“不间断生长/退火”技术,并配之以微量硼补偿,制备出了高性能的氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H),其光敏性(σ_ph/σ_d)达到10⁶量级,并且稳定性得以显著提高,在100mW/cm²的白光长时间照射后没有观察到衰退现象。分析指出:高的光敏性及稳定性可归因于带隙缺陷态的显著减少和微结构的明显改善。在诸多因素中,大量原子态氢的退火处理和微量的硼补偿起到了重要作用。     

Microstructure of a-SiOx:H

A set of a-SiOx :H (0.52 ＜x＜1.58) films are fabricated by plasma-enhanced-chemical-vapor-deposition (PECVD) method at the substrate temperature of 250℃. The microstructure andlocal bonding configurations of the films are investigated in detail using micro-Raman scattering,X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR). It isfound that the films are structural inhomogeneous, with five phases of Si, Si2O:H, SiO:H, Si2O3:Hand SiO2 that coexist. The phase of Si is composed of nonhydrogenated amorphous silicon (a-Si)clusters that are spatially isolated. The average size of the clusters decreases with the increasingoxygen concentration x in the films. The results indicate that the structure of the present films canbe described by a multi-shell model, which suggests that a-Si cluster is surrounded in turn by thesubshells of Si2O:H, SiO:H, Si2O3:H, and SiO2.     

非晶硅太阳电池光照J-V特性的AMPS模拟

运用AMPS(Analysis of Microelectronic and Photonic Structures)模拟分析了TCO/p_a_SiC:H/i_a_Si:H/n_a_Si:H/metal结构的异质结非晶硅太阳电池中的p/i界面的价带失配以及TCO/p,n/metal界面接触势垒对电池光电特性的影响.分析总结了非晶硅基薄膜太阳电池中J-V曲线异常拐弯现象的种类和可能原因.     

等离子体增强化学气相沉积法实现硅纳米线掺硼

用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法成功实现硅纳米线的掺B.选用Si片作衬底，硅烷 （SiH4）作硅源，硼烷（B2H6）作掺杂气体， Au作催化剂，生长温度440℃.基于气-液-固(VLS)机制，探讨了掺B硅纳米线可能的生长机制.PECVD法化学成分配比更灵活，更容易实现纳米线掺杂，进一步有望生长硅纳米线pn结，为研制纳米量级器件提供技术基础. 关键词： 硅纳米线 化学气相沉积 纳米器件     

水平管气液两相间歇流含气率研究

对大直径水平管内气液二相流动进行了实验，实验结果表明大直径水平管与小直径水平管具有不同的气液二相流动特征。分析和提出了适用于大直径水平管内间歇流液弹含气率模型，其计算值与实验值非常接近。     

烧结Nd-Fe-B磁体的微观结构和冲击韧性研究

对烧结Nd₁₅Fe_72-xCo_yNb_xB₈(y=0, 5;x=0, 05, 10, 15, 20, 25)永磁体的微观结构和冲击韧性及二者间的关系进行了研究.结果表明，添加Nb能够改善Nd-Fe-B磁体的微观结构，提高磁体的冲击韧性.当无Co磁体中Nb的原子百分含量为15%时，其冲击韧性达到最大；对于添加了Co的磁体，其冲击韧性的     

LOFT试验的最佳估算模拟及认证评价模型的热工安全裕量影响分析

本文针对LOFTL2-5整体试验,用先进热工水力程序RELAP5/MOD3对其进行最佳估算模拟,分析验证了程序预测事故过程的能力;同时按照美国核管会10CFR50.46附录K的认证评价模型要求修改RELAP5/MOD3相关模型并进行模拟计算,通过对比程序修改前后对于预测值保守性的影响,分析了保守计算的PGT安全裕量,其结果可为验证并开发认证级LOCA安全分析工具提供参考.