氢化非晶氧化硅薄膜的微结构及光致发光的研究

采用等离子增强化学气相沉积 (PECVD)技术制备了一组氧含量不同的氢化非晶氧化硅 (a-SiO_x∶H)薄膜 ,室温下在 5 5 0～ 90 0nm的波长范围内观察到了两个强的发光带 :一个是由峰位在 6 70nm( 1 85eV)左右的主峰和峰位在 835nm( 1 46eV)的伴峰组成的包络 ,另一个只能在氮气氛中 1 1 70℃退火后的样品中观测到 ,峰位大约在 85 0nm .通过对红外谱和微区Raman谱的分析 ,认为这两个发光带可能分别与存在于薄膜中的a-Si原子团和Si纳米晶粒有关.     

GD a-Si:H主光致发光带的时间分辨研究

本文研究了低温淀积(例如T:<150℃)的GD a-Si:H在77K的时间分辨光致发光谱和荧光衰退。光致发光谱显示非对称形,荧光衰退显示出最初的快衰退,较长时间后为慢衰退。在快衰退范围内可用两个时间常数逐点分析时间分辨光谱,把主发光带分解为两个近似高斯形的发光带,对于Ts=127℃的薄膜,两发光带峰值位置在t=0时分别为1.73和1.58eV。快衰退两带的时间常数分别为10和23ns。文中还初步讨论了这两个发光带的起因。     

烧结Nd-Fe-B磁体的微观结构和冲击韧性研究

对烧结Nd₁₅Fe_72-xCo_yNb_xB₈(y=0, 5;x=0, 05, 10, 15, 20, 25)永磁体的微观结构和冲击韧性及二者间的关系进行了研究.结果表明,添加Nb能够改善Nd-Fe-B磁体的微观结构,提高磁体的冲击韧性.当无Co磁体中Nb的原子百分含量为15%时,其冲击韧性达到最大;对于添加了Co的磁体,其冲击韧性的 关键词： Nd-Fe-B 冲击韧性 微观结构 晶界