Mo_8~ⅤW_2~ⅥO_(26)(C_5H_5N)_8·2H_2O: A Novel Mixed-valence Heterometal Polyoxometalate

A new mixed-valence heterometal cluster Mo8VW2VIO26(C5H5N)8·2H2O has been synthesized under solvothermal conditions and characterized by X-ray single-crystal diffraction, IR, UV-vis and XPS spectroscopy. The title compound crystallizes in the triclinic system, space group P1 with a = 11.708(3), b = 12.018(4), c = 13.316(4) , a = 112.184(4), β = 97.844(4), r = 110.043(3)o, V = 1551.9(8) 3 and Z = 1 at 293(2) K. The final full-matrix least-squares refinement converged to R = 0.0414 for 4460 observed unique reflections with I 2σ(I) and w R = 0.1290 for all data(5352) and S = 1.015. In addition, its thermal stability and fluorescent property have also been investigated.     

双金属氮化物Co3W3N/CNTs纳米复合材料的制备及其室温常压氮还原性能

采用水热法并经氨气保护热处理制备了双过渡金属氮化物Co3W3N/CNTs复合材料,得到了价格低廉且拥有良好氮电化学还原性能(NRR)的催化剂。通过调节已经预氧化的CNTs与过渡金属氮化物前驱体CoWO4的比例以及氨气热处理温度,实现了Co3W3N在CNTs表面的均匀负载。扫描电子显微镜(SEM)及透射电子显微镜(TEM)测试结果显示该电化学活性纳米微粒均匀地分散于CNTs表面,表明经预氧化的CNTs由于表面富集了较多的活性基团,有利于双过渡金属氮化物的分散生长。热处理后CNTs表面的Co3W3N微粒尺寸约为20 nm,相较于无载体的Co3W3N尺寸(100 nm)有明显减小。室温条件下,在N2饱和的0.01 mol·L^-1 H2SO4溶液中测试了该纳米复合材料在不同过电位下的NRR,该材料在-0.3 V(vs RHE)时的产氨率及法拉第效率分别可达12.73μg·h^-1·cm-2和13.59%,对比同样条件下,纯相Co3W3N的产氨率及法拉第效率仅为1.08μg·h^-1·cm^-2和1.76%。结果表明,通过水热反应和氨气保护热处理的Co3W3N/CNTs纳米复合材料具有良好的NRR性能。     

Cavity-enhanced laser cooling of solid-state materials in a standing-wave cavity

We propose a new method to cool the yb^3＋-doped ZBLANP glass in a standing-wave cavity. There are two advantages of this cavity-enhanced technique： the pumping power is greatly enhanced and the absorption of the cooling material is greatly increased. We introduce the basic principle of the cavity-enhanced laser cooling and discuss the cooling effect of a solid-state material in a cavity. From the theoretical study, it is found that the laser cooling effect is strongly dependent on the reflectivity of the cavity mirrors, the length of the solid material, the surface scattering of the material, and so on. Some optimal parameters for efficient laser cooling are obtained.     

快速测量HF激光器光腔介质的转动温度分布

用光学多通道分析器测量连续波HF化学激光器增益介质中HF(v=4→0)跃迁的荧光光谱空间分布,可快速测定增益介质的转动温度空间分布。测量的空间分辨率△x·△y=2.5×10mm。文中较为详细地讨论了探测器响应的不均匀性带来的误差。测量结果误差为±30K。     

Preparation and characterization of SiO_2/TiO_2/methylcellulose hybrid thick films for optical waveguides

Optical-quality films of a few μm thickness are a basic re- quirement for integrated optics[1-3]. Since such films are thick by normal coating standards, a number of special- ized methods have been developed to form them. The sol-gel processing is one approach because of the high optical quality of materials produced and freedom to im- pregnate them with a variety of additives to modify their optical characteristics. It is a popular and widespread technique for preparing coating films in labo…     

衬底对Cu(In,Ga)Se2薄膜织构的影响

分别在苏打石灰玻璃、Mo箔、无择优取向的Mo薄膜以及(110)择优取向的Mo薄膜四种不同衬底上，采用共蒸发工艺沉积约2 μm厚的Cu(In,Ga)Se₂薄膜，用X射线衍射仪测量薄膜的织构，研究衬底对Cu(In,Ga)Se₂薄膜织构的影响.在以上四种衬底上沉积的Cu(In,Ga)Se₂薄膜的(112)衍射峰强度依次逐渐减弱，(220/204)衍射峰从无到有且强度逐渐增强.在苏打石灰玻璃和Mo箔衬底上的Cu(In,Ga)Se_{2关键词： 择优取向 Cu(In 2}薄膜')" href="#">Ga)Se₂薄膜 太阳电池     

固体材料反斯托克斯荧光制冷的理论研究及其最新进展

本文首先回顾了反斯托克斯荧光制冷的历史发展,简单讨论了激光制冷的循环过程及其制冷条件;其次,概述了反斯托克斯Raman散射、反斯托克斯荧光制冷的热力学理论和热力学限制,重点介绍了适用于各种制冷材料(如稀土离子掺杂玻璃、半导体和晶体等)反斯托克斯荧光制冷研究的理论模型,并简单讨论了激光制冷实验中各种测量温度变化的实验方法及其基本原理。最后,就反斯托克斯荧光制冷的一种最新应用及其前景进行了简单介绍与展望。     

辅助方程构造(2+1)维Hybrid-Lattice系统和离散的mKdV方程的精确解

给出双曲函数型辅助方程和函数变换相结合的一种方法，借助符号计算系统Mathematica构造了(2+1)维Hybrid-Lattice系统和离散的mKdV方程新的精确孤波解和三角函数波解. 关键词： 辅助方程 函数变换 (2+1)维Hybrid-Lattice系统 mKdV方程')" href="#">离散的mKdV方程     

(2+1)维非对称 Nizhnik-Novikov-Veselov系统的新映射解及其局域结构

映射法是一种非常经典、有效和成熟的求解非线性演化方程的方法，其最大的特点是可以有多种不同形式的设解，使得最终求得的解丰富多彩. 利用改进的 Riccati 方程映射法和变量分离法，得到了(2+1)维非对称 Nizhnik-Novikov-Veselov 系统的新显式精确解.根据得到的孤波解，构造出该系统的峰孤子和分形孤子等局域结构，研究了两个孤立波的“追碰”现象. 关键词： 改进的映射法 (2+1)维非对称 Nizhnik-Novikov-Veselov 系统 局域结构 “追碰”现象     

少子寿命和表面形貌与多孔硅发光性能的关系

研究了不同时间腐蚀的多孔硅的光致发光性能与多孔硅的表面形貌和少子寿命之间的关系。结果表明,多孔硅的发光来自与氧空位有关的缺陷,而多孔硅表面的氢原子能够钝化多孔硅表面的非辐射中心从而提高多孔硅的发光效率。多孔硅的空隙度随腐蚀时间的延长而增大,这也导致了多孔硅的少子寿命的降低,从而造成多孔硅的光致发光效率随多孔硅空隙度的增大以及少子寿命的降低而提高。另外,原子力显微照片表明长时间的腐蚀使多孔硅表面层被化学腐蚀,从而降低了多孔硅表面的粗糙度。