氙灯泵浦钕玻璃放大器储能效率研究北大核心CSCD

按照激光放大器能量传输和转化过程,利用激光速率方程和氙灯辐射方程、光线追迹软件等理论方法和分析计算工具,对氙灯泵浦钕玻璃激光放大器进行储能效率和能量转换环节的理论分析以及定量、半定量计算,系统分析各种能量转化与损耗因素对放大器储能效率的影响。理论研究的成果与放大器实验考核的结果相一致。     

等离子体助燃旋流扩散火焰的光谱分析

介质阻挡放电(DBD)辅助燃烧是等离子体技术领域发展起来的新的应用途径.本文利用CCD相机及光谱仪记录并分析甲烷-空气旋流扩散燃烧火焰形态及特征光谱,研究了等离子体激励的助燃、稳燃机理,分析了不同激励方式对等离子激励效果的影响。实验结果表明,等离子体激励放电会产生大量的自由基及活性基团,如CH,OH,O~+,O原子的各激发态能级及N_2第一正带系等谱线,其中重点分析了加电前后及不同激励方式下O原子(3s~3S~0→3p~5P,λ=777.5 nm)及氮气第一正带系B~3Π_g→A~3∑_u~+粒子(振动带波长为λ=891.2 nm)发射光谱变化,由于氮原子与氧原子均为加速燃烧的重要活性粒子,这些基团的产生使得甲烷更容易发生一系列链式氧化反应。定常激励产生的活性粒子浓度大于未经过等离子体激励及非定常激励下所产生的活性粒子浓度;经过等离子体激励后火焰根部更靠近燃烧器喷嘴底部,说明等离子体激励产生的活性粒子加速了链式反应的进行,缩短了点火迟滞时间.     

High power-added-efficiency AlGaN/GaN HEMTs fabricated by atomic level controlled etching

An atomic-level controlled etching(ACE)technology is invstigated for the fabrication of recessed gate AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors(HEMTs)with high power added efficiency.We compare the recessed gate HEMTs with conventional etching(CE)based chlorine,Cl₂-only ACE and BCl³/Cl₂ACE,respectively.The mixed radicals of BCl₃/Cl₂were used as the active reactants in the step of chemical modification.For ensuring precise and controllable etching depth and low etching damage,the kinetic energy of argon ions was accurately controlled.These argon ions were used precisely to remove the chemical modified surface atomic layer.Compared to the HEMTs with CE,the characteristics of devices fabricated by ACE are significantly improved,which benefits from significant reduction of etching damage.For BCl₃/Cl₂ACE recessed HEMTs,the load pull test at 17 GHz shows a high power added efficiency(PAE)of 59.8%with an output power density of 1.6 W/mm at Vd=10 V,and a peak PAE of 44.8%with an output power density of 3.2 W/mm at Vd=20 V in a continuous-wave mode.     

超声提取/高效液相色谱法测定土壤中的4-壬基酚

在考察不同提取方法和有机溶剂提取效率的基础上,建立了土壤样品中内分泌干扰物4-壬基酚（4-NP）的超声提取/高效液相色谱(紫外检测器)分析方法。结果显示,以二氯甲烷作提取溶剂时超声提取对土壤中4-NP的提取效率高于索氏提取法;不同有机溶剂的超声提取效率依次为二氯甲烷-甲醇(9∶1)＞二氯甲烷＞甲醇≈丙酮。样品采用二氯甲烷-甲醇(9∶1)超声提取,经硅胶柱净化、高效液相色谱检测,土壤在4-NP的高、中、低3个加标水平下的平均回收率为91%~94%,相对标准偏差为4.3%~7.2%,方法的检出限为2.0 μg/kg。采用该方法对广东省部分土壤中的4.NP进行检测,得到其含量为5.3~16 μg/kg(干重),低于河北省污水灌溉土壤中的含量。该方法简便快捷、灵敏、重现性好,适用于土壤样品中4-NP的分析。     

淀粉黄原酸酯富集-火焰原子吸收光谱法测定水中痕量铜

铜作为水体中普遍存在的金属离子,是人体必不可少的微量元素之一,但如果人体摄入过多,就会引起铜中毒症。饮用水中若含有大量的铜,可刺激肠胃道黏膜并引起呕吐,可使蛋白质变性,损害人体器官。因此,对于水体中铜含量的监测具有相当重要的意义。火焰原子吸收光谱法可以用于快速测定样品中铜的含量,但其测定下限为mg·L^-1数量级。水样中一般仅含有痕量铜,故难以采用火焰原子吸收光谱法直接测定,必须采用分离富集后再     

含水溶液中香豆素类探针对碘离子的荧光增强识别

设计合成了新型含硫代半卡巴肼结构的香豆素类I-荧光分子探针CI,其结构用1H NMR,13C NMR,GC/MS和元素分析进行了表征,并考察了其光谱性能.结果表明CI在中性缓冲溶液中,在常见阴离子(F-,Cl-,Br-,I-,AcO-,HSO-4,H2PO-4)中能够专一性地识别I-.滴加I-后引起吸收光谱蓝移80 nm,荧光光谱蓝移6 nm,荧光增强5.9倍,溶液荧光由黄绿色变为亮蓝色.其它阴离子的存在并未干扰CI对I-的检测.     

高功率固体激光器锥形空间滤波孔应用

锥形空间滤波孔是一种应用于高功率固体激光装置空间滤波的新型结构滤波小孔,其内部光滑的锥形结构可以有效滤除光束中的高频成分且避免等离子堵孔现象的发生。根据神光-Ⅲ主机装置结构特点,设计并加工了适用于主机装置的锥形空间滤波小孔,并开展了应用实验研究。通过与传统的平面结构滤波小孔对比可以看出,锥形小孔有效地避免了等离子体度堵孔现象,在与光束波前补偿技术配合使用条件下,保证光束顺利过孔,并成功实现了基频光7988 J的满能量输出。     

不同长度端壁翼刀对跨声速压气机叶栅二次流影响的数值研究

对可控扩散叶型(CDA)环形叶栅和4种具有不同长度和流向位置的端壁翼刀叶栅内的三维黏性流场进行了数值模拟。结果表明:较长翼刀对气流横向流动的阻断作用较强,较短翼刀产生的附加损失较小;加装翼刀后叶栅中部气流流动状况显著改善,但端壁附近损失有所增加;翼刀加装在流道前部比后部更有利于降低总能量损失,占据前1/2流道的翼刀方案为本文最佳翼刀方案,使叶栅总能量损失比原型叶栅低2.2%。     

一道课本习题的深入探究

文[1]给出了一道课本习题的解法及其变式,读后觉得意犹未尽.原题如下:题1等差数列{an}、{bn}的前n项和分别为Sn、Tn,且SnTn=3n-12n+3,则a8b8=.这道习题意在考查等差数列的性质及其应用,文[1]只是给出了问题的解法及简单变式,没有充分发挥这道习题的示范性功能.笔者对这道     

Nano-scale gap filling and mechanism of deposit-etch-deposit process for phase-change material

Ge2Sb2Te5 gap filling is one of the key processes for phase-change random access memory manufacture.Physical vapor deposition is the mainstream method of Ge2Sb2Te5 film deposition due to its advantages of film quality,purity,and accurate composition control.However,the conventional physical vapor deposition process cannot meet the gapfilling requirement with the critical device dimension scaling down to 90 nm or below.In this study,we find that the deposit-etch-deposit process shows better gap-filling capability and scalability than the single-step deposition process,especially at the nano-scale critical dimension.The gap-filling mechanism of the deposit-etch-deposit process was briefly discussed.We also find that re-deposition of phase-change material from via the sidewall to via the bottom by argon ion bombardment during the etch step was a key ingredient for the final good gap filling.We achieve void-free gap filling of phase-change material on the 45-nm via the two-cycle deposit-etch-deposit process.We gain a rather comprehensive insight into the mechanism of deposit-etch-deposit process and propose a potential gap-filling solution for over 45-nm technology nodes for phase-change random access memory.