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71.
微动开关静,动态过程与电接触过程综合模型及其模拟 总被引:1,自引:0,他引:1
以微动开关作为机电元件的典型代表,通过构造其速动机构静态,动态全过程和接触系统全过程有限元模型,并以动态模型为桥梁,将静,动态过程与电接触过程这三类不同问题联为一体,构造了综合模型,仍以AK型微动开关为例,给出了计算机模拟的综合实例。 相似文献
72.
关于一个双参数三元不等式的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
文[1]给出如下结论:设x,yz∈R+,则x/2x+y+z+y/2y+x+z+z/2z+x+y≤3/4.文[2]将这一结论进行指数推广,得到
定理A 设x,y,z ∈R+,0相似文献
73.
经国家教委高教司[1997]74号文批准,由江苏省教委和东南大学联合主办的“《大学物理学》(音像文字结合教材)暨现代教育技术在大学物理教学中应用研讨会”于1997年12月15日至17日在南京东南大学召开,来自全国17个省、市的32所高校代表50余人出席了这次会议。 相似文献
74.
75.
The isoscaling behaviour is investigated in a frame of isospin-dependent quantum molecular dynamics models. The isotopic yields ratio Y2/Y1 for reactions ^48Ca ^48Ca and ^40 Ca ^4oCa at different entrance channels are simulated and presented, the relationship between the isoscaling parameter and the entrance channel is analysed, the results show that a and β reduce with the rise of incident energies and increase with the impact parameter b, which can be attributed to the temperature varying of the pre-fragments in different entrance channels. The relation of a and symmetry-term coefficient Csym reveals that the chemical potential difference △μ is sensitive to thesymmetry-term coefficient Csym, and raises with the increasing Csym. 相似文献
76.
300~1100nm多波段成像光学系统设计及杂光分析 总被引:1,自引:0,他引:1
设计了一套300~1100nm多波段光学系统,该系统能对目标的近紫外、可见光和近红外3个波段同时成像,可满足目标多波段信息探测的要求。由于在光学系统中镜筒内壁反射和棱镜表面反射会产生杂光和鬼像,因此,利用Light—Tools软件对此系统的杂光和鬼像进行了模拟分析。模拟结果表明,视场之外11.7—18.3°和-11.7~-18.3°的入射光线被胶合棱镜上下表面反射后,会聚焦到3个探测器靶面范围内,形成鬼像;6.2°-9.8°和一6.2°--9.8°的入射光线被镜筒反射后会在3个探测器上形成杂光。利用设计的多波段光学系统进行了相关实验,结果证明了模拟分析的正确性,表明此分析能用于指导多波段光学系统的设计和研制。提出了减少杂光和鬼像的相应措施,实验结果验证了提出的措施能够减少杂光及消除鬼像,提高系统成像质量。 相似文献
77.
Electric-stress reliability and current collapse of different thickness SiNx passivated AlGaN/GaN high electron mobility transistors 下载免费PDF全文
This paper investigates the impact of electrical degradation and current collapse on different thickness SiNx passivated AlGaN/GaN high electron mobility transistors.It finds that higher thickness SiNx passivation can significantly improve the high-electric-field reliability of a device.The degradation mechanism of the SiNx passivation layer under ON-state stress has also been discussed in detail.Under the ON-state stress,the strong electric-field led to degradation of SiNx passivation located in the gate-drain region.As the thickness of SiNx passivation increases,the density of the surface state will be increased to some extent.Meanwhile,it is found that the high NH 3 flow in the plasma enhanced chemical vapour deposition process could reduce the surface state and suppress the current collapse. 相似文献
78.
79.
随着图像采集设备的发展和对图像分辨率要求的提高,人们对图像处理算法在收敛速度和鲁棒性方面提出了更高的要求.从优化的角度对Chan-Vese模型进行算法上的改进,即将共轭梯度法应用到该模型中,使得新算法有更快的收敛速度.首先,简单介绍了Chan-Vese模型的变分水平集方法的理论框架;其次,将共轭梯度算法引入到该模型的求解,得到了模型的新的数值解方法;最后,将得到的算法与传统求解Chan-Vese模型的最速下降法进行了比较.数值实验表明,提出的共轭梯度算法在保持精度的前提下有更快的收敛速度. 相似文献
80.