Ultraviolet emission of ZnO film prepared by electrophoretic deposition

We deposited high quality ZnO film by electrophoretic deposition (EPD) using high quality ZnO powder prepared by solid-state pyrolytic reaction. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and the infrared (IR) absorption spectrum clearly indicate that the ZnO phase powder has been prepared. Transmission electron microscope (TEM) imaging and x-ray diffraction (XRD) show that the average grain size of the powder is about 20nm. XRD and selected-area electron diffraction (SAED) reveal that the ZnO film has a polycrystalline hexagonal wurtzite structure. Only a strong ultraviolet emission peak at 390nm can be observed at room temperature.     

(CdZnTe,ZnS)/ZnTe复合量子阱的光学特性研究

设计并制备了一种新型的(CdZnTe,ZnS)/ZnTe复合量子阱结构.使CdZnTe量子阱中的激子有可能在短时间内隧穿到ZnS阱层,从而达到提高光双稳器件“关”速度的目的.并通过对发光特性的研究证实在我们设计的结构中横向激子隧穿的存在,从而为进一步研究超高速光开关提供了实验依据.     

富锌条件下生长氮掺杂氧化锌薄膜的光学和电学性质

报道了采用等离子体辅助分子束外延方法(P-MBE),利用NO作为N源和O源,在c-面蓝宝石(c-Al₂O₃)衬底上外延生长了N掺杂ZnO薄膜。X射线衍射谱(XRD)和吸收谱中都出现了不同于未掺杂样品的特性,X射线光电子谱(XPS)中也发现了N的受主信号。但是在霍尔效应(Hall-effect)测量中,发现该样品并没有出现预期的p型导电特性,而是出现载流子浓度很高(2.15×10²⁰cm^-3)的n型导电特性。结合XPS结果和理论分析,认为在富Zn条件下生长会导致过量的填隙Zn原子,补偿了全部的受主后,又促使其出现了从半导体-金属的Mott转变。     

C-ZnSe:Ga MS发光二极管室温蓝带的发光特性

测量了在77K和290K温度下,Au-ZnSe MIS,Au-ZnSe:Ga MIS,C-ZnSe:Ga MS和C-ZnSe MIS二极管的电致发光光谱,得到了以Au作势垒电极时通常有二个室温蓝带,而以C作势垒电极时只有一个室温低能蓝带。在77K—290K温度范围内,研究了C-ZnSe:Ga MS二极管在正向电压激发下的电致发光光谱随温度的变化。结果表明:室温低能蓝带的起因,在低温下可以归结为同时发射二个纵光学声子的自由激子的发射。文中指出,在C-ZnSe:Ga MS二极管上,观测不到室温高能蓝带,是由于晶体的吸收。由此可见,C-ZnSe:Ga MS结的室温蓝色电致发光的效率比Au-ZnSe MIS结的低得多。     

磁控溅射方法生长的氮氧锌薄膜的光学特性

氧化锌(ZnO)是一种具有六方结构的宽禁带Ⅱ--Ⅵ族半导体材料，室温下能带带隙Eg为3.37eV。由于氧化锌在室温条件下具有较高的激子束缚能(60meV)，保证了其在室温下较强的激子发光。此外氧化锌还具有较高的热稳定性和抗化学腐蚀特性，因而被认为是制作紫外半导体激光器的合适材料。自1997年首次发现ZnO室温紫外受激发射以来，ZnO已成为继GaN之后紫外发射材料的又一研究热点。但是，目前对于p型氧化锌及其发光器件的研究仍处于探索阶段，对其光电特性的研究仍需要更多投入。本文利用磁控溅射方法制备出氮氧锌薄膜样品，并通过在氧气气氛下退火处理，改变薄膜样品中氮的含量。通过X射线衍射谱、X射线光电子能谱、光致发光谱及喇曼光谱的测试，研究了氮在氧化锌薄膜中的含量变化以及氮对氧化锌薄膜的结构和光学特性的影响。     

用Z-扫描技术研究ZnCdse－ZnSe多量子阶中的光学非线性

由于非常大的激子束缚能使得宽禁带Ⅱ-Ⅳ族半导体多量子阱在室温下表现出明显的激子效应,进而产生巨大的激子光学非线性川。以往的非线性测量方法有的灵敏度不 高,有的实验做起来非常复杂或是数据处理很困难,Z一扫描技术正是克服了这两个缺点,并能同时给出非线性折射率系数的大小和符号。本文利用Z一扫描技术在室温下研究了ZnCdSe-ZnSe/GaAs多量子阱中的三阶非线性。     

ZnSe薄膜的激子光学非线性

提出了用透射光谱方法测量非线性吸收系数和非线性折射率与波长的关系，理论分析结果表明这两个参数可由线性和非线性透射光谱以及调谐染料激光线型得到．用该方法研究了ZnSe薄膜在77K和室温两种温度下的光学非线性，得到了这两个温度下的非线性吸收系数和非线性折射率与波长的关系，这一结果与其他方法得到的结果相符合 关键词：     

Temperature-Dependent Photoluminescence in Coupling Structures of CdSe Quantum Dots and a ZnCdSe Quantum Well

A coupling structure of CdSe quantum dots (QDs) and a ZnCdSe quantum well (QW) is fabricated by using the molecular-beam epitaxy technique. The effect o~ temperature on the photoluminescence (PL) of the structure is studied. The results reveal that the activation energy of exciton dissociation in the coupling QDs/QW structure is much higher than that of simple CdSe QDs, which is attributed to the exciton tunnelling from the QW to QDs through a thin ZnSe barrier layer. The results also reveal that the position and width of the emission band of the QDs vary discontinuously at certain temperatures. This phenomenon is explained by the QD ionization and exciton tunnelling from the QW to the QDs. It is demonstrated that the coupling structure significantly improves the PL intensity of CdSe QDs.     

ZnSe-ZnTe多量子阱室温下的反射型皮秒激子光双稳

本文首次研究了ZnSe-ZnTe多量子阱在室温下的反射型皮秒激子光双稳,实验结果表明,ZnSe-ZnTe多量子阱在室温下的反射型皮秒光双稳的阈值光强和对比度分别为1.1MW/cm²和6:1.根据测量得到的ZnSe-ZnTe多量子阱在室温下的激子吸收光谱及激子的非线性吸收理论,归结ZnSe-ZnTe多量子阱室温下的皮秒光双稳的主要非线性机理为ZnSe-ZnTe多量子阱的激子饱和吸收引起的折射率变化.     

静压下Znse／Zn_（1－x）Cd_xSe应变超晶格的光致发光研究

本文首次在室温和０—２．５ＧＰａ静压范围内研究了Ｚｎｓｅ／Ｚｎ０．２６Ｃｄ０．２６Ｓｅ应变超晶格的静压光致发光，观察到了室温条件下的超晶格阱层的重空穴激子跃迁随压力的亚线性变化的特性．经过计算机拟合实验数据得到了一阶和二阶压力系数．理论计算得到的一阶压力系数与实验得到的压力系数符合得较好。