| 用Z-扫描技术研究ZnCdse－ZnSe多量子阶中的光学非线性 |
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| 引用本文： | 马靖,王淑梅,申德振,范希武.用Z-扫描技术研究ZnCdse－ZnSe多量子阶中的光学非线性[J].发光学报,1995,16(4):371-373. |
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| 作者姓名： | 马靖 王淑梅 申德振 范希武 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院长春物理研究所, 长春 130021;2. 中国科学院激发态物理开放研究实验室, 长春 130021 |
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| 基金项目： | 国家基础研究和应用基础研究重大项目,国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 由于非常大的激子束缚能使得宽禁带Ⅱ-Ⅳ族半导体多量子阱在室温下表现出明显的激子效应,进而产生巨大的激子光学非线性川。以往的非线性测量方法有的灵敏度不
高,有的实验做起来非常复杂或是数据处理很困难,Z一扫描技术正是克服了这两个缺点,并能同时给出非线性折射率系数的大小和符号。本文利用Z一扫描技术在室温下研究了ZnCdSe-ZnSe/GaAs多量子阱中的三阶非线性。
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| 收稿时间： | 1995-10-04 |
THE STUDY OF OPTICAL NONLINEARITIES IN ZnCdSe-ZnSe MQWs USING Z-SCAN |
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| Ma Jing,Wang Shumei,Shen Dezhen,Fan Xiwu.THE STUDY OF OPTICAL NONLINEARITIES IN ZnCdSe-ZnSe MQWs USING Z-SCAN[J].Chinese Journal of Luminescence,1995,16(4):371-373. |
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| Authors: | Ma Jing Wang Shumei Shen Dezhen Fan Xiwu |
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| Institution: | 1. Changchun Institute of Physics, Chinerc Academy of Sciences, Changchun 130021;2. Laboratory of Excited State Processes, Chinese Academy of Sciences, Changchun 130021 |
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| Abstract: | Abstract The third-order nonlinearitiesin ZnCdSe-ZnSe multiple quantum wells (MQWs)grown by the metal-organic chemical vapour deposition(MOCVD)on GaAs substrates have been studied using Z-scan at room temperature.The research result indicates that theRe(X3)in the ZnCdSe-ZnSe/GaAs MQWs is about-1.02×10-5 esu. |
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