用聚甲基丙烯酸制备MS(M=Zn,Cd)半导体纳米粉末的研究

本文介绍了一种适合制备MS（M＝Zn,Cd)半导体纳米粉末的化学合成方法。此方法成本低，易操作，且具有一定的广泛性。本合成通过调节聚合链长和反应循环次数可在1.8nm到5nm范围内对纳米粒径进行很好的控制。透射电镜和X射线粉末衍射对所制得的纳米粉末进行了表征。     

Ultraviolet emission of ZnO film prepared by electrophoretic deposition

We deposited high quality ZnO film by electrophoretic deposition (EPD) using high quality ZnO powder prepared by solid-state pyrolytic reaction. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and the infrared (IR) absorption spectrum clearly indicate that the ZnO phase powder has been prepared. Transmission electron microscope (TEM) imaging and x-ray diffraction (XRD) show that the average grain size of the powder is about 20nm. XRD and selected-area electron diffraction (SAED) reveal that the ZnO film has a polycrystalline hexagonal wurtzite structure. Only a strong ultraviolet emission peak at 390nm can be observed at room temperature.     

玻璃微孔内ZnO的制备及表征

ZnO是一种重要的紫外半导体光电器件材料，本文用金属有机化合物在玻璃管内高温加热分解迅速拉制的方法，在直径为169μm的玻璃丝内成功的制备了直径为13μm左右的ZnO，并用X射线衍射和PL谱研究了玻璃微丝内的ZnO，结果发现ZnO为多晶且具有六方形结构，峰值波长在370nm的PL谱表明所制得的ZnO为体材料。     

ZnS:Mn纳米荧光粉的制备

介绍一种制备ZnS:Mn纳米荧光粉的化学合成方法。本合成通过调节甲基丙烯酸与巯基乙酸的摩尔比，可在1.8-3nm范围内对纳米粒径进行很好的控制。生成的聚甲基丙烯酸包敷了ZnS:Mn纳米微粒，从而防止了纳米微粒团聚，同时增强了纳米微粒的抗氧化性，大大提高了纳米荧光粉的发光效率和发光稳定性。通过透射电镜（TEM）、X射线粉末衍射（XRD）和光致发光谱（PL）对所制得的纳米粉末进行了表征。     

CdS纳米粒子的自组装单分子膜制备研究

利用疏基乙酸与草酸的混合自组装单分子膜成功制备了粒径分布均匀的CdS纳米粒子，并用SEM，XRD，XPS，PL对样品进行了表征。SEM表明形成在自组装单分子膜表面上的CdS纳米粒子的平均粒径约为45nm。XPS表明在自组装单分子膜表面形成了CdS纳米粒子。PL谱表明CdS纳米粒子在675nm有一峰值波长，我们认为这一发光是由表面缺陷造成的。     

一种液相外延Ga1-xAlxAs的新方法

本文报道了一种新的Ga1-xAlxAs液相外延方法.靠控制降温速度,可以在外延表面3-4μ处得到x值均匀甚至沿生长方向有上升趋势的外延层.其外延表面光亮、缺陷少、无机械损伤.由于上述过程都是在单一外延层上完成的,所以利用此方法可以大幅度降低成本,提高成品率.制成的器件在If=20mA时.总光通量一般为3-6mlum.予计效率还会进一步提高.     

变分法计算ZnO量子点中激子的基态能

ZnO是一种新型宽禁带直接带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,室温激子束缚能高达60meV,远大于室温热离化能(26meV),因此ZnO是适于室温或更高温度下使用的高效紫外发射材料。ZnO半导体量子点材料与体材料相比具有崭新的光电特性,特别在紫外激光器件方面,与ZnO的激子特性密切相关,因此理论上对ZnO量子点中激子的基态能(束缚能)的研究就显得十分必要。采用有效质量近似(EMA)方法,提出新的比较简单的尝试波函数,并用变分法对ZnO量子点的激子基态能进行了计算。将计算结果与我们用固态热分解法制备的ZnO量子点的实验结果进行了比较,发现与实验结果非常吻合;与Y．Kayanuma的理论计算结果进行了比较,二者的计算结果也基本一致。说明选取的尝试波函数简单有效,可用于计算其他半导体量子点材料,具有一定的实用价值。     

化学合成法制备ZnS∶Cu纳米荧光粉研究

本文介绍一种制备ZnS：Cu纳米荧光粉的化学合成方法。本方法中，通过调节巯基乙酸与甲基丙烯酸的摩尔比，可得到不同粒径的纳米荧光粉。用TEM，XRD和PL谱对所制得的纳米荧光粉进行了表征。这种化学合成方法可容易地推广制备其它金属掺杂的ZnS纳米荧光粉。     

InP掺杂超晶格的MOCVD生长与表征

用常压MOCVD技术生长了InP掺杂超晶格,所用源材料为TMIn和PH3.InP的载流子浓度低为8×1013cm-3,300K迁移率高达5744cm2/V·s.n型掺杂剂是DETe,p型为DMZn,两者在InP中的掺杂浓度均可达~1019cm-3.用不同激发强度下的低温PL谱,时间衰减,时间分辨PL谱和光反射(PR)谱技术表征了InP掺杂超晶格.文中给出了在不同激发强度下InP掺杂超晶格的4KPL谱,该样品由六层(n·p)组成,每层厚度200Å,掺杂浓度分别是1×1018cm-3和2×1018cm-3.发光峰值能量明显低于InP的禁带宽度,当激发强度增加时峰值能量移向高能边,这是真实空间中的间接跃迁特征.总PL信号衰减分成几步,每步都按指数规律,在4K情况下,衰减常数从6×10-8秒到7×10-4秒,具有明显间接带隙材料特征.InP掺杂超晶格中的量子尺寸效应用PR谱技术进行了研究.为描述InPnipi结构中的量子尺寸效应,引进了抛物型势阱模型,实验结果与根据引进模型所进行的计算相符.     

固相热分解法合成非晶ZnO及其表征

通过固相热分解法合成了ZnO粉末,通过XPS,TEM,XRD及红外光谱分析表明,所合成的物质为非晶ZnO,其基本结构为ZnO·H2O。测量了非晶ZnO的光致发光(PL)光谱,观测到非常强的紫外发射,几乎没有可见发射,说明通过固相热分解法合成的非晶ZnO是一种非常有研究价值和研究意义的新型紫外半导体材料。