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141.
用熔融退火结合放电等离子烧结法制备了In0.3Co4Sb12-xSex(x=0—0.3)方钴矿热电材料,探讨了In的存在形式,系统研究了Se掺杂量对结构和热电性能的影响.结果表明:In可以填充到方钴矿二十面体空洞处,过量In在晶界处形成InSb第二相,Se对Sb的置换使晶格常数减小,In填充上限降低;In0.3Co4Sb12-xSex样品呈n型传导,随着Se掺杂量的增大,载流子浓度降低,电导率下降,Seebeck系数增大,功率因子有所降低;由于在结构中引入了质量波动及晶格畸变,适量的Se掺杂可以大幅降低材料晶格热导率;样品In0.3Co4Sb12和In0.3Co4Sb11.95Se0.05的最大ZT值均达到1.0以上.
关键词:
掺杂
填充式方钴矿
热电性能 相似文献
142.
143.
144.
145.
146.
<正> 近几年来,概率论与数理统计课在各工科院校相继开出。希望有一本或数本合用的教材成了普遍关心的问题。据笔者多次教这门课的体会,觉得浙江大学数学系高等数学教研组编写的这本《概率论与数理统计》(以下简称浙书)是比较好的一本。它选材精练,布局合 相似文献
147.
超导电性制冷唯象理论 总被引:3,自引:0,他引:3
本文以超导热力学唯象为基础,讨论了有退磁效应和远退磁效应的两种I类超导体样品在外场从0增加到临界场HC(T)过程中所产生的制冷效应,我们发现:对于有退磁效应的样品,其制冷效应发生在中间态区;而从Meissner态到中间态和从中间态到正常态的相变过程是二级相为,所以无制冷效应,这可能是超导体制冷实验研究的核心问题。 相似文献
148.
一种菁染料—聚合物薄膜的光存存储性能 总被引:2,自引:0,他引:2
用旋涂法制备了一种菁染料-聚合物薄膜,并研究了该染料-聚合物薄膜的光谱性质和光存储性能,该染料薄膜在660~830nm波段有较强的吸收和20%以上的反射率,在最佳实验条件下,获得了58dB的信噪比,信噪比(CNR)载波信号强度(C)和薄膜反射率变化(△R)的对数(lg△R)在正比。 相似文献
149.
蓝色显示材料及器件的研究 总被引:3,自引:1,他引:2
用H2和CS2还原法制备Ce:SrS发光材料,分析了两种方法对材料的结构及发光特性的影响,得到了最高亮度为950cd/m^2(1000Hz)的Ce:SrS薄膜电致发光(TFEL)器件;用高温固相法得到Ce:SrGa2S4荧光粉,用射频溅射沉积的Ce:SrGa2S4薄膜在600℃以上、H2S气氛下快速热处理可以改善薄膜结晶性能,提高杂质激发峰强度,得到好的光致发光(PL)发光性能,以陶瓷片作为基片同 相似文献
150.
用脉冲激光沉积技术(PLD)在MgO(100)基底上生长了嵌埋Co纳米晶的BaTiO3复合薄膜. 分别利用x射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)以及拉曼光谱(Raman)对薄膜的微观结构、表面 形貌进行了表征. 结果表明该薄膜为c轴取向的四方晶体结构,薄膜表面均匀、致密、 具有原子尺度的光滑性,其均方根表面粗糙度(RMS)达到015nmCo以纳米晶形式嵌埋BaTi O3基体中,呈单分散性均匀分布,其粒径随激光脉冲数的增加而增大. Co:BaTiO3纳米 复合薄膜拉曼峰的强度随钴纳米晶粒径的增加明显减弱,但是峰的宽度逐渐增加.
关键词:
Co:BaTiO3
纳米复合薄膜
脉冲激光沉积 相似文献