Pressure-induced novel structure with graphene-like boron-layer in titanium monoboride

The recent discovery of the novel boron-framework in boron-rich metal borides with complex structures and intriguing features under high pressure has stimulated the search into the unique boron-network in the metal monoborides or boron-deficient metal borides at high pressure. Herein, based on the particle swarm optimization algorithm combined with first-principles calculations, we thoroughly explored the structural evolution and properties of TiB up to 200 GPa. This material undergoes a pressure-induced phase transition of $Pnma$ $\to $ $Cmcm$ $\to $ $Pmmm$. Besides of two known phases $Pnma$ and $Cmcm$, an unexpected orthorhombic $Pmmm$ structure was predicted to be energetically favored in the pressure range of 110.88-200 GPa. Intriguingly, the B covalent network eventually evolved from a one-dimensional zigzag chain in $Pnma$-TiB and $Cmcm$-TiB to a graphene-like B-sheet in $Pmmm$-TiB. On the basis of the microscopic hardness model, the calculated hardness ($H_{\rm v}$) values of $Pnma$ at 1 atm, $Cmcm$ at 100 GPa, and $Pmmm$ at 140 GPa are 36.81 GPa, 25.17 GPa, and 15.36 GPa, respectively. Remarkably, analyses of the density of states, electron localization function and the crystal orbital Hamilton population (COHP) exhibit that the bonding nature in the three TiB structures can be considered as a combination of the B-B and Ti-B covalent interactions. Moreover, the high hardness and excellent mechanical properties of the three TiB polymorphs can be ascribed to the strong B-B and Ti-B covalent bonds.     

CsPbI3钙钛矿量子点的精细纯化及其高效发光二极管的研究

钙钛矿量子点发光二极管(QLEDs)因其色纯度高、颜色控制精准、色域广以及溶液可加工等特点, 在显示和照明等领域有着极大的应用前景. 针对红光钙钛矿CsPbI₃量子点纯化过程中相变和表面配体损失造成的荧光退化问题, 本工作发展了一种甲苯和乙酸乙酯协同的混合溶剂纯化策略, 能够避免纯化过程中的相变问题, 获得了纯立方相的CsPbI₃量子点; 此外, 进一步提出了油胺碘(OAmI)调控量子点表面态的配体补偿工艺, 解决了配体损失导致的荧光淬灭问题, 发现在引入400 μL的OAmI时, 量子点兼具高的发光效率(PLQY为70%)和优异的电学性能, 电驱动下的激子复合几率显著增加, 最终实现了亮度为3090 cd/m ²和外量子效率为15.67%的QLED. 这种钙钛矿CsPbI₃量子点精细纯化的方案对开发高效量子点材料和实现高性能光电子器件具有重要的指导意义.     

图形衬底对多周期InGaAs量子点自组装生长的影响

量子点器件技术广泛应用于量子计算和光电器件上.成核位置的均匀性、有序性和尺寸一致性,可以有效提高光电器件性能.为了实现阵列量子点的可控性,本文采用湿法刻蚀制备图形化衬底,理论上解释了铟原子在图形化衬底上成核现象,产生有序的量子点分布特征,发现图形衬底的缺陷诱导在平台边缘和沟壑边缘成核,形成较大的量子点.在Stranski-Krastanow模式下图形衬底制备多周期量子点,发现多周期生长可以弱化台阶结构对量子点分布的限制作用.     

基于二维材料MXene的仿神经突触忆阻器的制备和长/短时程突触可塑性的实现

兼具长时程可塑性与短时程可塑性的电子突触被认为是类脑计算系统的重要基础.将一种新型二维材料MXene应用到忆阻器中,制备了基于Cu/MXene/SiO_2/W的仿神经突触忆阻器.结果表明, Cu/MXene/SiO_2/W忆阻器成功实现了稳定的双极性模拟阻态切换,同时成功模拟了生物突触短时程可塑性的双脉冲易化功能和长时程可塑性的长期增强/抑制行为,其中双脉冲易化的易化指数与脉冲间隔时间相关. Cu/MXene/SiO_2/W忆阻器的突触仿生特性,归功于MXene辅助的Cu离子电导丝形成与破灭的类突触响应机理.由于Cu/MXene/SiO_2/W忆阻器兼具长时程可塑性与短时程可塑性,其在突触仿生电子学和类脑智能领域将会具有巨大的应用前景.     

平面波照射下无限大导体板上周期孔阵屏蔽效能的解析研究

本文针对平面电磁波对无限大导体平板上周期孔阵的透射问题,首先用Bethe小孔理论将孔阵表示成偶极子阵列,然后用平均化处理得到均匀的等效磁化/极化强度,进而引入等效面源导出透射电磁波表达式,最终给出了孔阵对平面电磁波屏蔽效能的解析公式.该公式分别针对横电和横磁两种极化方式,将屏蔽效能表示成孔阵周期面积、孔的极化系数、波长和入射角的简单函数,其计算结果与全波仿真结果一致性好.结果表明,透射场强的幅值与孔极化系数和波频率成正比,与周期面积成反比;在横电极化方式,波频率和周期面积不变的情况下,透射场强的幅值与入射角的余弦值成正比,入射角越大屏蔽效能越高;在横磁极化方式下,透射场强幅值与入射角的关系相对复杂,但在入射角较小时与入射角的余弦值近似成反比,总体上入射角越大屏蔽效果越低.     

我国科研产出成果评价标准研究——基于稳健因子分析

科技产出作为体现科技实力的主要指标,其发展水平对我国科技水平的提高尤为重要。因此,为了较为有效地评价我国科技产出水平,本文采用因子分析来对我国科技产出发展水平进行评价,但考虑到传统因子分析的不稳健性,本文通过Fast-Mcd算法来改进传统因子分析从而构建稳健因子分析,并通过比较传统和稳健因子分析的结果发现,稳健因子分析的结果更为贴近实际,最后利用2012～2016年稳健因子综合得分来进行空间相关性检验发现,我国各省份之间的科技产出水平在空间上存在着集聚现象。     

1-二茂铁基-3-[(9-乙基)咔唑-3-基]丙烯酮的合成及三阶非线性光学性质

合成了一个新的非线性光学(NLO)有机材料1-二茂铁基-3-[(9-乙基)咔唑-3-基]丙烯酮(FCAK),并通过NMR、IR、MS和元素分析等技术手段进行了表征。 采用粉末Nd∶YAG激光技术测定了标题化合物的三阶非线性光学性质并确定了相关参数。 激光脉冲为4 ns时,非线性折射率n₂=-3.5×10^-18 m²/W,非线性吸收系数β=-2.7×10^-11 m/W,三阶非线性极化率χ⁽³⁾=2.04×10^-12 esu,三阶非线性分子超极化率γ=1.1×10^-30 esu。 激光脉冲为21 ps时,n₂=0.55×10^-18 m²/W,β=-0.6×10^-11 m/W,χ⁽³⁾=3.4×10^-13 esu,γ=0.13×10^-30 esu。     

关联白噪声对抗肿瘤体系免疫效果的影响

在免疫监视的Logistic肿瘤生长动力学模型中引入关联的乘性白噪声,并考虑抗肿瘤体系的免疫系统激活阈值存在差异,对上述动力学生长方程进行数值仿真计算.发现噪声关联强度能够调节抗肿瘤体系个体的免疫效果,但调节的结果存在差异;噪声关联强度λ的取值存在一个最佳区间,在该区间内更多的抗肿瘤体系个体能实现最大免疫效果. 关键词： Logistic生长模型 随机涨落 肿瘤 免疫     

界面生长中断对GaAs (111)衬底上 AlGaAs/GaAs量子阱电子自旋寿命的影响

用固源分子束外延技术(SSMBE)在GaAs(111)衬底上,采用不同的界面中断时间生长了多组AlGaAs/GaAs多量子阱样品(MQWs),通过室温发光光谱和时间分辨克尔旋转谱(TRKR)研究了界面生长中断对发光光谱半峰全宽(FWHM)和量子阱中电子自旋弛豫时间(自旋寿命)的影响,发现了自旋寿命随着界面生长中断时间的增加呈现先减小后增加的趋势,此变化趋势与荧光光谱半峰全宽表征的材料质量随中断时间的变化一致,适当的界面生长中断时间能有效的增加GaAs (111)衬底上AlGaAs/GaAs 多量子阱中电子自旋寿命。     

高效液相色谱-电喷雾三级四极杆质谱测定鸡肉组织中氯霉素残留的研究

建立了鸡肉组织中氯霉素残留的液相色谱-电喷雾质谱联用(LC—ESI—MS—MS)测定法。采用微量化前处理方法,省去固相萃取步骤,以m／z321．0为母离子,m／z152．1、257．0和194．1为子离子,采用多反应监测(MRM)负离子模式对鸡肉组织中的氯霉素残留进行检测、方法的检出限为0．010μg／kg(S／N≥3),定量下限为0．10μg／kg,线性范围为0．100～1．00μg／L,加标回收率为74．3％～84．0％,相对标准偏差(n=6)为7．9％～12．7％。该法具有操作简便、有机试剂消耗量少、测定周期短等优点。