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101.
提出了将哈密顿算符对角化的一种方法.围绕一维谐振子讨论了如何将哈密顿算符对角化、引进的是玻色算符还是费米算符的问题,并分析了能量量子化的原因及能量子与声子的区别. 相似文献
102.
103.
In this paper, the structure of cubic CaTiO3 (001) surfaces with CaO and TiO2 terminations has been studied from density functional calculations. It has been found that the Ca atom has the largest relaxation for both kinds of terminations, and the rumpling of the CaO-terminated surface is much larger than that of TiO2-terminated surface. Also we have found that the metal atom relaxes much more prominently than the O atom does in each layer. The CaO-terminated surface is slightly more energetically favourahle than the TiO2-terminated surface from the analysis of the calculated surface energy. 相似文献
104.
105.
Chuncheng Hao Zuolin Cui Yansheng Yin Zhikun Zhang 《Journal of nanoparticle research》2002,4(1-2):107-110
Nanostructured Fe3Al intermetallic compounds were produced by using hydrogen arc plasma method. The transmission electron microscopy experiments showed that the average particle size of the as-synthesized was about 40-nm. The change in hardness of Fe3Al nanostructured intermetallic compounds with annealing temperatures was observed and evaluated. 相似文献
106.
107.
在s波超导体绝缘层dx2-y2波超导体结(sId)中,考虑到结界面粗糙散射,运用BogoliubovdeGennes(BdG)方程和FurusakiTsukada(FT)电流公式,计算超导结中的准粒子传输系数和直流Josephson电流.结果表明:sId超导结的直流Josephson电流随温度以及结两侧的相位差变化的关系曲线强烈地依赖于d波超导体的晶轴方位;结界面的粗糙散射对Josephson电流有抑制作用
关键词:
s/I/d超导结
dx2-y2波超导体
直流Josephson电流 相似文献
108.
采用低压金属有机化合物气相沉积法(LP-MOCVD)生长并制作了1.6—1.7μm大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器.采用应变缓冲层技术,得到质量良好的大应变InGaAs/InP体材料.器件采用了4个大应变的量子阱,加入了载流子阻挡层改善器件的温度特性.1.66μm和1.74μm未镀膜的3μm脊型波导器件阈值电流低(小于15mA),输出功率高(100mA时大于14mW).从10—40℃,1.74μm激光器的特征温度T0=57K,和1.55μm InGaAsP分布反馈激光器的特征温度相当.
关键词:
MOCVD
InGaAs/InGaAsP
应变量子阱
分布反馈激光器 相似文献
109.
Ying Yu 《Tetrahedron letters》2006,47(23):3811-3814
Synthesis of 3-benzazepinones by palladium-catalyzed intramolecular addition of amides to alkynes is achieved. Phenyl acetylenes substituted in the ortho-position with tethered amide functionality were prepared in a few steps from readily available starting materials. It was found that 5% Pd(OAc)2(PPh3)2 and KOH most effectively promoted cyclization. When the tethered group is an acetamide and an alkyl substituent is on the acetylene unit, regioselective 3-benzazepinone synthesis could be achieved in good yields. 相似文献
110.
对掺有镉、硒、硫的玻璃在500—800℃退火2—24h,生长了不同尺寸的CdSxSe1x纳米晶体.用分光光度计和光致发光光谱(PL)分析了纳米晶体的性能.退火温度低于550℃,纳米晶体处于成核阶段,600—625℃处于正常扩散生长阶段,700—800℃处于竞争生长阶段;而650℃处于两种生长阶段之间.虽然650℃下生长的纳米晶体的尺寸分布比较窄,但纳米晶体的尺寸随退火时间的延长几乎不变,在该温度改变退火时间很难改变纳米晶体的平均尺寸.在所有样品中出现了深能级缺陷,在650℃退火时间小于4h或大于16h有利
关键词:
纳米晶体
生长机理
深能级缺陷 相似文献