19F+27Al耗散反应中双核系统的转动与形变

测量了¹⁹F+²⁷Al耗散反应产物B,C,N,O,F和Ne的激发函数,入射束流的能量从110.25MeV到118.75MeV, 能量步长为250keV. 从产物的 能量自关联函数中提取了反应中所形成的中间双核系统的转动惯量, 与相粘模型计算的刚体转动惯量相比较, 结果表明形成的双核系统有大的形变.     

随机环境中多物种分枝随机游动

引进了随机环境中多物种分枝随机游动的一般模型.在分枝过程非灭绝的情况下,讨论了系统的状态分类,得到了系统暂留及强常返的充要条件是存在k个定义在整数集上的函数分别满足某种性质.最后给出了系统强暂留的充分条件.     

关于Lipschitz域上反射Brown运动的游程

本文具体刻画有界Lipschitz域上的反射Brown运动跨过某给定时刻t的离开Martin边界的游程.在此基础上,给出Lipschitz域上的反射Brown运动的边界过程的Levy系统.     

山奈黄素荧光分光光度测定痕量锗的新方法

锗与山奈黄素在H3PO4介质中发生配合反应, 形成配合比为2：1的配合物, 此配合物在乙醇溶液中具有很强的荧光强度, λex=438 nm, λem=478 nm. 用山奈黄素荧光分光光度法测定痕量锗, 检出限为0.15 μg/L, 线性范围为1.0～50 μg/L. 高、中、低3种浓度锗的相对标准偏差分别为 0.85%、 2.5%、 2.8%, 加标回收率为95.7%～103.9%.     

超子中子星性质的温度效应

从相对论平均场理论出发,考虑核子、超子和介子的相互作用,研究了温度对中子星组成粒子、状态方程和中子星质量等的影响.发现温度越高,超子在中子星内部出现时的重子数密度越低.当密度较高时,中子星的核心区主要由超子组成,即中子星转变成以奇异粒子为主要成分的超子星,并且这种转变受到温度的影响,温度越高,转变密度越低.由于超子的出现,中子星核心高密度区域的状态方程,对于不同温度,差别不大,所以有限温度中子星的最大质量都在1.8M_⊙附近.这与观测结果相符.     

全纯扩充的BHW定理的推广

本文得到关于全纯扩充的BHW定理的一个全新的证明,同时也对BHW定 理做出了更一般的推广,并且给出了推广后的BHW定理的两种不同的证明方法.     

稀薄气体二维外部柱体绕流特性研究

本文采用直接模拟蒙特卡罗方法对稀薄气体二维外部柱体绕流问题进行了数值模拟。结果表明:外部绕流问题,在特定情况下会产生激波,激波的产生,不仅与气体的稀薄程度有关,还与来流马赫数有关。而气流与壁面之间的换热,随来流马赫数增加而增加,随气体稀薄程度增加而减小。     

高阶非线性时滞差分方程解的渐近性

研究如下的具强迫项的高阶非线性时滞差分方程△^my(n) u(n)l↑∑i=1 gi(y(n-τ))=v(n)其中，m≥1，u,v：N→R，gi：R→R且τ∈{0，1，2，3，…)，i=1，2，…，l，得到了使该方程的解具有某种渐近性态的充分条件。     

高气压反射式高能电子衍射仪监控脉冲激光外延氧化物薄膜

在超高真空分子束外延（MBE）生长技术中，反射式高能电子衍射仪（RHEED）能实时显示半导体和金属外延生长过程，给出薄膜表面结构和平整度的信息，成为MBE必备的原位表面分 析仪.为了研究氧化物薄膜如高温超导（YBa₂Cu₃O₇） 、铁电薄膜（Sr_1-xBa_x TiO₃）及它们的同质和异质外延结构的生长机理，获得高质量的符合各种应用 需要的氧化 物多层薄膜结构，在常规的制备氧化 关键词： 高温超导薄膜 RHEED     

Excitons in coupled quantum dots

Properties of excitons in vertically coupled GaAs/AlGaAs quantum dots were investigated using the variational method within the envelope function and effective mass approximations. It was found that when the thickness of the spacer layer becomes less than about one exciton Bohr radius, both the exciton binding energy and the fundamental optical transition energy are reduced compared to those in isolated quantum dots. This is a result of increased space extension of exciton due to the penetration of carrier wave functions into the spacer layer and corresponding reduction in confinement energy which dominates over the Coulomb interaction between the electron and the hole.