典型的三聚氰胺致幼儿肾结石红外光谱分析

从云南省第一人民医院得到经过医学证实的典型三聚氰胺肾结石,将2 mg肾结石与200 mg KBr一同放入玛瑙研钵中研碎,进行压片。用Perkin-Elemer公司生产的spectrum 100光谱仪得到了该结石的红外光谱。吸收峰在4 000～2 000 cm-1之间有3 487,3 325, 3 162, 2 788 cm-1,在1 700～1 000 cm-1之间有1 694,1 555,1 383,1 340,1 189,1 122 cm-1,在1 000～400 cm-1之间有993,782,748,709,624,585,565,476 cm-1。结石的红外光谱经过与文献报道的饲喂含氰尿酸、三聚氰胺宠物饲料后猫的肾结石的红外光谱图及普通人肾结石的红外光谱图对比,相差很大,说明该患儿结石与宠物结石及普通人肾结石的成分相同的可能性不大;分别与三聚氰胺与尿酸的红外光谱图对比,各有50%的相似性; 将三聚氰胺、尿酸按1∶1混合后,红外光谱出现的峰在4 000～2 000 cm-1 之间有3 469,3 419,3 333,3 132,3 026,2 827 cm-1, 在1 700～1 000 cm-1之间有1 696, 1 656, 1 555, 1 489, 1 439, 1 350, 1 311, 1 198, 1 124, 1 028 cm-1, 在1 000～400 cm-1之间有993,878,814,784,745,708,619,577,475 cm-1,将其与结石的红外光谱对比,发现两张图谱有83.3%的相似性,由此得出典型三聚氰胺尿结石的主要成分为三聚氰胺和尿酸。     

垂线偏差对惯性制导初始方位角的影响

为了解决由于垂线偏差引起的惯性制导初始方位角误差对导弹落点造成的影响,对地面瞄准系统向弹上惯性制导设备传递基准方位过程中各操作环节与垂线偏差的关系进行了分析,研究了存在垂线偏差条件下惯性制导初始方位角出现误差的机理,给出了垂线偏差所造成的初始方位角误差的修正公式。仿真分析表明,瞄准过程中经纬仪俯仰角是垂线偏差造成初始方位角误差的关键因素,当经纬仪俯仰角为25°,垂线偏差子午圈分量为10",垂线偏差卯酉圈分量为30"时,初始方位角误差高达14.7";而采用经纬仪俯仰角为0°的水平瞄准技术时,同样的垂线偏差带来的初始方位角误差不大于0.001"。     

仲辛基苯氧基乙酸基本常数的测定

在 2 5℃ ,利用两相滴定法测定了仲辛基苯氧基乙酸 (CA 1 2 )在水中的溶解度S ,离解常数Ka,庚烷中的二聚常数K2 和水 庚烷两相间的分配常数Kd 。实验测得S =1 .40× 1 0 - 4mol L ,Ka=3 .0 2×1 0 - 4,K2 =3 .5 6× 1 0 2 ,Kd=4.0 6× 1 0 2 。     

褐藻酸铜配合物膜催化VAc自由基聚合

以褐藻酸钠膜浸渍在15%CuCl2*2H2O水溶液中48 h的方法,于室温制备了疏水性的褐藻酸铜(Ⅱ)配位聚合物膜,并通过ESR、 UV-Vis、 IR、 XPS和电导率等手段,研究此配位催化剂褐藻酸铜(Ⅱ)配位聚合物膜表面的组成、配位结构和性质,得知1个Cu2+ 是以dsp2杂化空轨道与褐藻酸2个链节单元的2个羧羟基氧及其2个脱质子带负电荷氧的孤对电子发生配位作用,形成低自旋构型的褐藻酸铜(Ⅱ)配位聚合物,中心Cu2+ 的配位数为4,这对于低分子配合物而言,其空间构型一般是正方形,但在褐藻酸铜(Ⅱ)配位聚合物中,由于褐藻酸分子链的缠绕和卷曲,使上述的空间构型被扭曲,甚至有些配位体没有到位,导致该配位聚合物的中心Cu2+ 存在一些空位中心而具有配位催化活性,因此,HSO3-能按配位催化机理产生初级自由基氢,使醋酸乙烯酯(VAc)按自由基加聚反应历程进行聚合,这有别于CuCl2-Na2SO3-H2O氧化还原引发聚合体系。测定VAc在本体系和室温、pH=7条件下聚合的诱导期为90 s,反应时间24 h。聚醋酸乙烯酯(PVAc)得率82%, mw=1.02×106, mn=2.27×105, mw/mn=4.49。     

β-BaB2O4纳米粉体的制备

报道了采用溶胶一凝胶法合成β-BaB2O4纳米粉的方法.该法的特点是反应体系中添加一种表面改性剂HYPO,改变了颗粒的表面状态,防止了氧桥键的形成,从而避免了颗粒的硬团聚.产物经500℃烧结后,β-BaB2O4粉体的平均粒径为70nm,颗粒分布均匀.本文同时对该工艺中引起粉体硬团聚的各个因素作了初步的探讨.     

关于Steiner比猜想

本文所讨论的是Ｓｔｅｉｎｅｒ比猜想。全文共分两部分：第一部分包括历史回顾和对ｎ＝３,４,５三种情况对该猜想的正确性给出了简单的证明;第二部分则对于一般的ｎ给出了一个证明。     

Improvement of total-dose irradiation hardness of silicon-on-insulator materials by modifying the buried oxide layer with ion implantation

The hardening of the buried oxide (BOX) layer of separation by implanted oxygen (SIMOX) silicon-on-insulator (SOI) wafers against total-dose irradiation was investigated by implanting ions into the BOX layers. The tolerance to total-dose irradiation of the BOX layers was characterized by the comparison of the transfer characteristics of SOI NMOS transistors before and after irradiation to a total dose of 2.7 Mrad(SiO₂. The experimental results show that the implantation of silicon ions into the BOX layer can improve the tolerance of the BOX layers to total-dose irradiation. The investigation of the mechanism of the improvement suggests that the deep electron traps introduced by silicon implantation play an important role in the remarkable improvement in radiation hardness of SIMOX SOI wafers.     

CdTe/CdS量子点的Ⅰ-Ⅱ型结构转变与荧光性质

制备了壳层厚度可以精确控制的CdTe/CdS核壳量子点, 利用紫外-可见吸收光谱、光致发光光谱、透射电镜和时间分辨光谱等技术, 分析了CdS壳层厚度对CdTe量子点的荧光量子产率和光谱结构的影响规律. 发现了不同于CdSe/CdS, CdSe/ZnS, CdTe/ZnS等核壳量子点的荧光峰展宽、大幅度红移以及荧光寿命大幅度增加现象. 根据能带的位置关系, 随着CdS厚度的增加, CdTe从Ⅰ型结构逐渐过渡到Ⅱ型核壳结构. 对于Ⅱ型CdTe/CdS核壳量子点, 不仅存在CdTe核区导带电子与价带空穴间的直接复合, 还存在CdS壳层导带电子与CdTe核价带空穴界面处的间接复合, 发光机制的变化导致荧光峰的展宽、明显红移和荧光寿命的增加. 当壳层过厚时, 壳层表面新引入的缺陷会阻碍荧光寿命和量子产率的进一步提高.     

负电性纳米银溶胶SERS活性及稳定性的比较研究

用单宁还原硝酸银可制得表面带负电的、对阳离子型分子具有较强SERS效应的纳米银。为了进一步测试负电性纳米银溶胶的SERS活性及稳定性,在室温下用制针剂的封装机将样品(old NCS)封装并保存。两年后与新制备的负电性纳米银溶胶(new NCS)比较,用透射电镜观测发现old NCS与new NCS相比银粒子尺寸增大;用紫外可见吸收光谱测定old NCS的吸收峰为431 nm,new NCS的吸收峰为418 nm,old NCS与new NCS相比吸收峰发生红移。为比较old NCS及new NCS的SERS活性选取阳离子型分子、中性分子及阴离子型分子作为测试分子,用拉曼光谱仪测试这些分子在两种纳米银上的SERS谱,结果发现,阳离子型分子碱性品红、中性分子吖啶橙在old NCS及new NCS上SERS较强,阳离子型分子亚甲基蓝在old NCS上与在new NCS上相比SERS较弱,阴离子型分子苯甲酸在old NCS及new NCS均未观察到SERS信号。     

3英寸6H-SiC单晶的生长

SiC是宽带隙半导体材料的典型代表,具有优良的热学、力学、化学和电学性质,不但可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料,同时又是制作高温、高频、大功率电子器件的最佳材料之一,因此高质量、大直径SiC单晶的生长一直是材料研究领域的热点课题。目前美国的Cree公司在SiC单晶生长领域研发方面起步早、投入大,SiC单晶的直径达到4英寸,处于领先地位。我国在“十五”期间投入了一定的人力、物力进行了SiC单晶生长的研究,在生长2英寸SiC单晶的工作中取得了一定的成绩[1],但更大直径的SiC单晶生长技术进展缓慢,至今未见国内报道。而对…