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1.
Mn掺杂Zn-In-S量子点的制备及发光性质研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
陈肖慧  刘洋  华杰  袁曦  赵家龙  李海波 《发光学报》2015,36(10):1113-1117
制备了Mn掺杂Zn-In-S量子点并研究了Zn/In的量比和反应温度对其发光性质的影响。在Mn掺杂的Zn-In-S量子点的发光谱中观测到一个600 nm发光带。通过改变Zn/In的量比,掺杂量子点的吸收带隙可从3.76 e V(330 nm)调谐到2.82 e V(440 nm),但600 nm发光峰的波长只有略微移动。这些掺杂量子点的最长荧光寿命为2.14 ms。当反应温度从200℃增加到230℃时,掺杂量子点的发光强度增加并达到最大值;而继续升高温度至260℃时,发光强度迅速减弱。此外,测量了Mn掺杂Zn-In-S量子点的变温发光光谱。发现随着温度的升高,发光峰位发生蓝移,发光强度明显下降。分析认为,Mn掺杂Zn-In-S量子点的600 nm发光来自于Mn2+离子的4T1和6A1之间的辐射复合。  相似文献   
2.
CdTe/CdS量子点的Ⅰ-Ⅱ型结构转变与荧光性质   总被引:4,自引:0,他引:4  
制备了壳层厚度可以精确控制的CdTe/CdS核壳量子点, 利用紫外-可见吸收光谱、光致发光光谱、透射电镜和时间分辨光谱等技术, 分析了CdS壳层厚度对CdTe量子点的荧光量子产率和光谱结构的影响规律. 发现了不同于CdSe/CdS, CdSe/ZnS, CdTe/ZnS等核壳量子点的荧光峰展宽、大幅度红移以及荧光寿命大幅度增加现象. 根据能带的位置关系, 随着CdS厚度的增加, CdTe从Ⅰ型结构逐渐过渡到Ⅱ型核壳结构. 对于Ⅱ型CdTe/CdS核壳量子点, 不仅存在CdTe核区导带电子与价带空穴间的直接复合, 还存在CdS壳层导带电子与CdTe核价带空穴界面处的间接复合, 发光机制的变化导致荧光峰的展宽、明显红移和荧光寿命的增加. 当壳层过厚时, 壳层表面新引入的缺陷会阻碍荧光寿命和量子产率的进一步提高.  相似文献   
3.
Cu2O半导体超微粒子的光学性质   总被引:3,自引:0,他引:3  
赵家龙  邹炳锁 《发光学报》1993,14(2):154-158
本文研究了表面修饰的Cu2O半导体超微粒子的光学性质.在Cu2O超微粒子中未观察到显著的量子尺寸效应,但测量到很强的宽带光致发光,且随着激发波长变短,其发光带的峰位蓝移,发光带宽度增加.最后,分析了Cu2O超微粒子的宽带发光机制,并讨论了热处理对超微粒子的发光强度的影响.  相似文献   
4.
表面化学修饰对TiO2半导体超微粒子光学性质的影响   总被引:4,自引:0,他引:4  
  相似文献   
5.
CdS半导体纳米晶体高强度激发下光谱特性研究   总被引:4,自引:2,他引:2  
窦恺  赵家龙 《发光学报》1995,16(3):278-280
CdS半导体微晶作为代表性介观材料(mesoscopic material)其光学吸收和发光与量子尺寸效应的关系已经得到广泛研究[1-4],发现随着CdS微晶尺寸减小,CdS本征吸收和发射带呈现显著蓝移.Rossetti等人[3]和Y.Wang等人[4]分别通过对溶胶、沸石、聚合物和玻璃中CdS纳米晶体的光致发光测量研究了发光来源以及发光与尺寸的关系,确定了两个宽带发光分别属于带隙发光(350-500nm)和表面态或缺陷发光(500-700nm).本文首次报道了利用溶胶凝胶方法制备的钠硼硅中纳米尺寸CdS晶体高激发功率条件下的发光光谱测量结果,观察到随激发功率增加发光光谱兰移和线宽明显宽化,讨论了其物理机制.  相似文献   
6.
为了提高紫光CsPbCl_3纳米晶的发光热稳定性,研究了不同掺杂浓度的Ni离子对CsPbCl_3纳米晶的结构和发光性质的影响。通过改变Ni/Pb进料量比,在190℃温度下制备出不同浓度Ni掺杂的CsPbCl_3(Ni∶CsPbCl_3)纳米晶。发现随着Ni/Pb进料量比的增加,Ni∶CsPbCl_3纳米晶的405 nm发光量子效率得到了较大的提高,高达54%,但当Ni/Pb进料比超过4∶1之后,Ni∶CsPbCl_3纳米晶的发光量子效率开始下降,这是由于氯化镍的浓度过高,影响了CsPbCl_3纳米晶的成核和生长过程。还观察到,随着Ni/Pb进料比的增加,Ni∶CsPbCl_3纳米晶的平均尺寸逐渐减小,晶格变得更加有序。通过对不同浓度的Ni∶CsPbCl_3纳米晶的变温光谱测量,发现Ni离子明显地减少CsPbCl_3纳米晶的发光热猝灭,有效地改善了其发光热稳定性。实验结果表明,Ni离子掺杂有效地提高了紫光CsPbCl_3纳米晶的发光效率,可能归因于Ni离子掺杂减少了CsPbCl_3纳米晶中的缺陷。  相似文献   
7.
袁曦  马瑞新  单美玲  赵家龙  李海波 《发光学报》2015,36(11):1258-1265
利用胶体化学方法合成了发光波长可调的Cu掺杂量子点, 其波长范围可从绿光到深红光连续调节.通过将绿光ZnInS :Cu和红光ZnCdS :Cu量子点与蓝光GaN芯片相结合, 制备了高显色性的白光LED, 其流明效率为71 lm·W-1, 色温为4 788 K, 显色指数高达94, CIE色坐标为(0.352 4, 0.365 1).通过测量Cu掺杂量子点的荧光衰减曲线, 发现不存在从绿光ZnInS :Cu到红光ZnCdS :Cu量子点的能量传递过程, 因为红光ZnCdS :Cu量子点在绿光波段没有吸收. 实验结果表明, Cu掺杂量子点有望应用于固态照明领域.  相似文献   
8.
量子点(QD)照明器件中电流导致的焦耳热会使其工作温度高于室温,因此研究量子点的发光热稳定性十分重要。本文利用稳态光谱和时间分辨光谱研究了具有不同壳层厚度的Mn掺杂ZnSe(Mn: ZnSe)量子点的变温发光性质,温度范围是80~500 K。实验结果表明,厚壳层(6.5单层(MLs))Mn: ZnSe量子点的发光热稳定性要优于薄壳层(2.6 MLs)的量子点。从80 K升温到400 K的过程中,厚壳层Mn: ZnSe量子点的发光几乎没有发生热猝灭,发光量子效率在400 K高温下依然可以达到60%。通过对比Mn: ZnSe量子点的变温发光强度与荧光寿命,对Mn: ZnSe量子点发光热猝灭机制进行了讨论。最后,为了研究Mn: ZnSe量子点的发光热猝灭是否为本征猝灭,对具有不同壳层厚度的Mn: ZnSe量子点进行了加热-冷却循环(300-500-300 K)测试,发现厚壳层的Mn: ZnSe量子点的发光在循环中基本可逆。因此,Mn: ZnSe量子点可以适用于照明器件,即使器件中会出现不可避免的较强热效应。  相似文献   
9.
陈肖慧  赵家龙 《发光学报》2012,33(12):1324-1328
研究了倒置器件结构以及CdSe量子点发光材料与金属纳米粒子之间的相互作用对量子点的电致发光性能的影响。利用TiO2作为电子传输/注入层,成功地制备了倒置结构的量子点电致发光器件。通过对单载流子器件电压-电流特性的分析,证明了ITO作为阴极到TiO2的电子注入特性与Al作为阴极时的效果几乎相同。观察到金属纳米粒子产生的局域等离子体效应提高了器件的效率,使得效率随电流增大而降低的速度明显减小。在电流密度为200 mA/cm2时,电致发光器件的效率大约提高了42%。  相似文献   
10.
用非相干光时间延迟四波混频测量二级扩散系数   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
张希清  赵家龙 《物理学报》1993,42(3):417-421
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