Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的高能重离子辐照缺陷研究 |
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引用本文: | 黄龙.Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的高能重离子辐照缺陷研究[J].新疆大学学报(理工版),2003,20(2). |
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作者姓名: | 黄龙 |
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作者单位: | 新疆大学物理系,新疆,乌鲁木齐,830046 |
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摘 要: | 用正电子湮没寿命谱技术研究了2.4×1015/cm2、2.2×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照N型GaP和1.6×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照P型InP所产生的辐照缺陷.结果表明:两种注量辐照在GaP中均产生较高浓度的单空位,其浓度随着辐照注量的增大而增加;辐照也在InP中产生较高浓度的单空位.
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关 键 词: | N型Gap P型InP 重离子辐照 辐照缺陷 正电子湮没寿命 |
Study on Defects Induced by High Energy Heavy Ion Irradiation in Ⅲ-Ⅴ Compound Semiconductors |
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Abstract: | |
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Keywords: | |
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