用正电子研究半导体材料GaSb的缺陷

用正电子寿命谱和符合多普勒技术研究了电子辐照过的GaSb样品．揭示出原牛未掺杂GaSb样品中存在单空位型VGa相关缺陷，具有284ps左右的寿命值．电子辐照能使这种缺陷的浓度增大，使平均寿命值从辐照前的265Ps增大到辐照后的268ps．低温符合多普勒展宽实验结果表明退火后的电子辐照过的原生未掺杂GaSb样品中仍然存在反位缺陷Gasb．掺Zn、Te样品的实验也证实电子辐照在GaSb样品中会引入VGa，284 ps类型的缺陷．     

重掺Te的GaSb中缺陷的正电子寿命研究

用正电子寿命谱技术研究了重掺Te的GaSb原生样品、电子辐照样品和质子辐照样品.室温正电子寿命测量揭示出原生重掺Te的GaSb样品中存在VGa相关缺陷,其寿命大小约为298 ps.电子辐照会使该缺陷发生变化,导致平均寿命值减小,VGa相关缺陷从-3价变为-2价.质子辐照后,产生了寿命值较大的缺陷.在10-300K变温实验中,观测到3种样品都存在浅捕获缺陷,该浅捕获缺陷是GaSb反位缺陷.     

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的高能重离子辐照缺陷研究

用正电子湮没寿命谱技术研究了2.4×1015/cm2、2.2×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照N型GaP和1.6×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照P型InP所产生的辐照缺陷.结果表明:两种注量辐照在GaP中均产生较高浓度的单空位,其浓度随着辐照注量的增大而增加;辐照也在InP中产生较高浓度的单空位.     

HI—V族化合物半导体的高能重离子辐照缺陷研究·

用正电子湮没寿命谱技术研究了2.4×1O15/cm2、2.2×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照N型GaP和1.6×1016/cm 2注量的85MeV19F离子辐照P型InP所产生的辐照缺陷.结果表明:两种注量辐照在GaP中均产生较高浓度的单空位.其浓度随着辐照注量的增大而增加;辐照也在InP中产生较高浓度的单空位.     

BSF硅太阳电池重离子辐照的深能级瞬态谱

对ＢＳＦ硅太阳电池受碳、氧离子辐照前后的深能级瞬态谱进行了研究，结果表明碳、氧离子在硅太阳电池中引入的缺陷能级非常相似．都观察到了Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｈ１，Ｈ２５个峰，其中氧离子注量超过４×１０１２ｃｍ－２时Ｅ２能级消失．根据能级的性质初步推断了这些能级所对应的缺陷类型．     

HIPS的γ辐照效应的正电子寿命谱研究

测量了高强度聚苯乙烯（ＨＩＰＳ）的正电子寿命谱随γ辐照剂量的变化，观察到自由体积孔洞的平均半径随辐照剂量的增加而基本不变，且自由体积孔洞的浓度和半径分布宽度随辐照剂量的增加而减小．这一实验结果表明，γ辐照后高强度聚苯乙烯力学性能的改善与自由体积特性的变化相关联．     

形变量对MAE及BN的影响

研究了无取向硅钢Ｗ２３Ｇ，Ｗ１０，Ｗ１４和取向硅钢Ｑ８Ｇ４种材料在不同形变量下的磁声发射（ＭＡＥ）和巴克豪森噪音（ＢＮ），结果表明ＭＡＥ随形变量增大而减少，ＢＮ随形变量的增大而增大．测量了形变量为１０．４％的Ｗ１８和Ｗ２３Ｇ在１００，２００，３００，…，７００°Ｃ各退火１ｈ的ＭＡＥ与ＢＮ值．其中ＭＡＥ值随退火温度的升高逐渐增大，ＢＮ值在高于５００°Ｃ退火时明显下降．并对上述实验结果进行了详细讨论．     

Cr掺杂LiZnAs稀磁半导体的第一性原理研究

采用第一性原理研究了Li过量情况下Cr掺杂LiZnAs体系（Li_1.1（Zn_1-xCr_x）As）（x=0.1） 的稳定构型、磁性来源以及电子结构.首先,通过比较不同构型下Cr掺杂LiZnAs稀磁半导体体系得到稳定构型的能量,发现一定的Li过量、Cr掺杂浓度下,当掺杂的Cr原子之间的初始距离一定时,过剩的Li空位之间的距离对其构型稳定性有较大影响;其次,分析了Cr掺杂LiZnAs的磁性来源,发现其磁性主要来源于Cr原子的3d轨道;最后,研究了Cr掺杂LiZnAs体系的电子结构,结果显示Cr掺杂LiZnAs体系的电子结构具有稀磁半导体特性.     

三角帆蚌对水体Cr,Pb和Cd的净化与吸收

三角帆蚌（Hyriopsis cumingii Lea）对水体Cr,Pb,Cd污染有明显的净化能力，持续处理12d，能使水体Cr,Pb,Cd含量分别下降83％，77．6％和72％。蚌体的斧足、鳃、外磁膜、体表粘液、肝脏、肠道和生殖腺等组织对3种污染物的吸收和富集作用不尽相同，其中分别以体表粘液、鳃和肝脏最为显著。3种污染物进入蚌体的速度很快，其组织吸收量一般在第3天即可达到较高水平。进入蚌体的污染物，可在组织转移和重新分布。研究结果为生物治理Cr,Pb,Cd等重金属污染积累了资料。     

SDBS在潮土/膨润土上的吸附行为及影响因素

研究了不同温度（15、20、25、30、35、50℃）和离子强度（O．03、0．30mol·L^-1）对十二烷基苯磺酸钠（SDBS）在膨润土和潮土上吸附行为的影响及机理,为有机污染土壤的表面活性剂增强修复提供技术参考．结果表明,低浓度的SDBS在膨润土上的吸附量很小,当大于1／2CMC时则急剧增加;而在潮土上低浓度时较迅速增加,在CMC时达到最大吸附量,接着随SDBS浓度增大而降低．当T〈Tkrafft时,温度升高对SDBS在膨润土上的吸附几乎没有影响;而对潮土其最大吸附量则逐渐下降;当T〉Tkrafft时,SDBS在膨润土和潮土上的吸附量都大大降低．离子强度增大,SDBS在膨润土上吸附量增大,同时急刷增加拐点对应的SDBS平衡浓度变小;而SDBS在潮土上的最大吸附量随离子强度的增大而降低．     

铁电共聚物P(VDF-TrFE)介电特性研究

利用最小二乘法,对辐照改性后P(VDF-TrFE)薄膜试样的介电常数谱进行v-F关系模拟,得出该材料具有与自旋玻璃体系及弛豫铁电体类似的性质．同时研究了其冻结温度随加工和辐照条件变化的规律．研究结果表明,通过适当选择加工和辐照条件,可以满足不同应用对铁电共聚物的要求．     

AgGa1—xInxSe2晶体的蚀坑研究

晶体的质量是其元器件制备的关键之一,蚀坑密度（EPD）的观测是检验晶体质量的一个重要方法．用改进的Bridgman法长长出AgGa2-xInxSe2（x=0．2）单晶,通过化学腐蚀和金相显微镜研究了（101）晶面蚀坑的形貌、分布特征及其密度的大小．结果表明：采用HNO3：HCl=1：2．5的配方,在室温下腐蚀5min,获得了较好的梯形蚀坑．发现晶体的缺陷主要是位错,并初步讨论了蚀坑的成因及其克服的措施,为高质量晶体元件的制备奠定了基础．     

湖北光敏感核不育水稻发育过程中叶绿体超微结构的变化

研究了不同光周期处理下湖北光敏感核不育水稻农垦５８Ｓ个体发育过程中，叶绿体超微结构的变化，结果表明：长日照处理前，农垦５８Ｓ与农垦５８品种的叶绿体结构无明显差异；叶绿体结构变化发生在长日照处理之后，此时，水稻发育处于第二次枝梗原基形成期，变化了的叶绿体有以下几种类型：①基质片层与基粒片层结构均存在，但排列分布紊乱，基粒的大小、数目有异，②缺乏基质片层，③完全缺乏类囊体膜结构，在叶绿体类囊体膜结构退化时，往往伴随着嗜锇颗粒数目的剧增；当叶绿体结构不完善时，线粒体也发生退化，如外形变化较大，外膜模糊，嗜锇颗粒的数目减少，细胞器基本物质电子密度降低．     

银原子团簇在带电硅油基底表面的扩散行为

研究了银原子团簇在均匀带电硅油基底表面扩散的动力学过程.数值求解结果表明:在液体基底中心区域,电场强度大小近似与矢径r值成正比,方向与矢径r相反.在该电场的作用下,带电银原子团簇的径向速度随矢径r近似线性增加,从而求得团簇数密度随时间呈指数规律衰减,所得结果与实验事实相符.通过计算还发现银原子团簇直径在10-6m数量级范围内,其中的银原子对电子的亲和能不随团簇直径的变化而变化.     

含有负折射率缺陷的光子晶体中的缺陷模的紧束缚法

采用紧束缚法，研究了含有多个负折射率缺陷的光子晶体中的缺陷模，导出了缺陷模频率方程。然后数值计算了含有三个负折射率缺陷的一维光子晶体的透射谱。结果表明：光子带隙中缺陷模将出现分裂，分裂后缺陷模的数目与半波缺陷数目相同，而缺陷模的间隔随着半波缺陷间隔层数的增加而减小，缺陷模间隔的大小有微小的不对称，最后形成一个缺陷模通带。     

Bi_（0.5）Na_（0.5）TiO_3-BaTiO_3-KNbO_3陶瓷的介电特性及相变行为研究

采用固相反应法制备了（1-x）Bi0.47Na0.47Ba0.06TiO3-xKNbO3（BNBT-xKN,x=0～0.08）陶瓷,借助铁电分析仪、阻抗分析仪、扫描电镜（SEM）等仪器研究了KNbO3（KN）引入后,对陶瓷的微观结构、相变行为和介电性的影响.BNBT-xKN的扫描电镜（SEM）图显示：适量的KN对BNBT陶瓷具有细化晶粒、增大致密度作用.介电温谱（30~500℃）显示BNBT、BNBT-0.01KN、BNBT-0.02KN陶瓷有3个介电异常峰,而BNBT-0.04KN和BNBT-0.08KN陶瓷中有2个介电异常峰,并对陶瓷中出现的介电异常进行了讨论.通过介电温谱数据拟合,讨论了BNBT-xKN陶瓷的介电弛豫特性,并解释了BNBT-xKN陶瓷退极化的原因以及出现双电滞回线的机理.     

超晶格带结构及透射谱

采用转移矩阵方法，研究了一维有限超晶格的电子态与透射问题。计算了一维有限超晶格的子带带隙，以及一维完整有限超晶格中电子的透射谱和一维有限超晶格中含单个缺陷层或少量缺陷层的电子的透射谱。本文给出的方法对于研究电子通过任意排列的一维有限超晶格的透射具有普适性。     

高效BiOI/BiOBr可见光催化剂的制备、性能及机理研究

利用无机原料水热合成法制备BiOI/BiOBr复合可见光催化剂,通过XRD、SEM、EDS、DRS、I-t响应曲线等手段对催化剂的物相组成和光化学性能进行了系统表征.以RhB为目标污染物,考察了催化剂的光催化活性并对最优比例催化剂的稳定性进行评价,通过ESR分析和自由基捕获实验探究了RhB的光催化降解机制.研究结果表明:无机原料水热合成法可成功制备纯度高、结晶性能良好的BiOI/BiOBr复合可见光催化剂;BiOI的复合降低了BiOBr光催化剂的电子-空穴的复合,拓宽其可见光响应范围,提高了光催化降解活性,其中质量比为8%的BiOI/BiOBr活性最佳,可见光照21min后RhB的脱色率可达100%,是纯BiOBr的1.50倍,且重复使用5次后仍具有较高的光催化活性;复合催化剂光催化降解RhB的过程中,参与降解的主要活性物种为空穴(h+)和超氧自由基(·O-2).     

一类自守L函数的零点密度估计

考虑了带特征的Mass形式的自守L函数的零点密度估计问题.证明了L(s,fχ)的零点密度估计具有下面的形式:∑χN(σ,T,χ)(qT)A(σ)(1－σ)+ε.