HI—V族化合物半导体的高能重离子辐照缺陷研究·

用正电子湮没寿命谱技术研究了2.4×1O15/cm2、2.2×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照N型GaP和1.6×1016/cm 2注量的85MeV19F离子辐照P型InP所产生的辐照缺陷.结果表明:两种注量辐照在GaP中均产生较高浓度的单空位.其浓度随着辐照注量的增大而增加;辐照也在InP中产生较高浓度的单空位.     

用正电子湮没方法研究高能重离子辐照半导体InP

采用正电子湮没寿命谱方法 ,对 1 .6× 1 0 1 6 cm- 2注量的 85 Me V1 9F离子辐照 P型 In P单晶的微观缺陷进行了研究 ,在 3 0 0～ 1 0 2 3 K的温度范围内测量了正电子湮没寿命随退火温度的变化 .实验表明 :辐射在 In P中产生单空位缺陷 ,在退火过程中单空位相互聚合形成双空位 .单空位和双空位分别在 5 73 K和 72 3 K温度完全被退火     

低能N+离子注入对加工番茄的辐照效应

本研究以87-5制罐番茄种子为处理材料,用N 离子作为诱变源,以35keV的能量,分别以20次、40次、50次、60次脉冲,注入剂量2×1016N /cm2、4×1016N /cm2、6×1016N /cm2、10×1016N /cm2进行激发诱变,变异显著.表现为出苗率降低,座果提前.在果实的品质性状变化不大情况下,座果数明显增加,部分处理材料的产量明显提高.     

γ辐照InP的正电子湮没研究

用~(60)Co γ辐照对3种导电类型(P、N、SI)和不同掺杂浓度的InP晶体进行辐照,辐照剂量分别为10~3GY,10~4GY,10~5GY。在室温下测量了样品辐照前后的正电子寿命,发现随着辐照剂量的增加,正电子平均寿命基本不变或呈减小趋势,一方面是由于γ辐照使晶体内原子发生电离,导致晶体内空位型缺陷的电荷态发生变化,缺陷的负电性增加。另一方面γ辐照在晶体内产生缺陷,但大多数缺陷在正电子寿命测量前已在室温下退火,表明InP晶体具有较强的抗辐照能力。     

MOS结构电子、质子辐照感生缺陷的EPR测量

利用电子顺磁共振（EPR）技术测量了（100）晶向硅衬底材料上制作的MOS电容在电子和质子辐照前后缺陷电子顺磁（EPR）吸收谱，对比了电子和质子辐照前后缺陷顺磁中心浓度的变化。结果表明，辐照前后带有单个未成对自旋电子的Pb0中心浓度未发生明显变化，电子与质子辐照均产生了新的中性体缺陷，电子辐照后观察到Pb1中心的出现并随辐照注量增大，质子辐照后则未观察这一现象，当质子辐昭到10^14p/cm^2时，引起部分体缺陷顺磁中心的消失，电子辐照后，产生的体缺陷顺磁中心浓度则随辐照注量增大，表明电子与质子辐照作用机制的差异，质子辐照中位移效应和H^ 的存在最可能是造成晶格缺陷消失和顺磁吸收消失的主要原因。     

用正电子研究半导体材料GaSb的缺陷

用正电子寿命谱和符合多普勒技术研究了电子辐照过的GaSb样品．揭示出原牛未掺杂GaSb样品中存在单空位型VGa相关缺陷，具有284ps左右的寿命值．电子辐照能使这种缺陷的浓度增大，使平均寿命值从辐照前的265Ps增大到辐照后的268ps．低温符合多普勒展宽实验结果表明退火后的电子辐照过的原生未掺杂GaSb样品中仍然存在反位缺陷Gasb．掺Zn、Te样品的实验也证实电子辐照在GaSb样品中会引入VGa，284 ps类型的缺陷．     

BSF硅太阳电池重离子辐照的深能级瞬态谱

对ＢＳＦ硅太阳电池受碳、氧离子辐照前后的深能级瞬态谱进行了研究，结果表明碳、氧离子在硅太阳电池中引入的缺陷能级非常相似．都观察到了Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｈ１，Ｈ２５个峰，其中氧离子注量超过４×１０１２ｃｍ－２时Ｅ２能级消失．根据能级的性质初步推断了这些能级所对应的缺陷类型．     

塑性形变p型GaAs中的缺陷特性研究

用正电子湮没寿命谱研究了塑性形变P型砷化镓中的缺陷性质．样品原始载流子浓度为2．63X10~18cm-3．形变量分别为2．5％，5％，7．5％，10％和15％．室温正电子寿命测量结果显示，形变样品中有新的空位型缺陷产生，鉴定为空位团．根据塑性形变样品中空位团的正电子捕获率的大小和寿命谱温度关系初步判断：在P型GaAs中，塑性形变产生的空位团的荷电性为正．正电子寿命温度实验显示，在低温下形变样品中还存在正电子浅捕获态．浅捕获中心很可能是锌代位杂质和镓反位缺陷．     

Fe离子注入ZnO产生的缺陷及磁学性能研究

氧化锌(ZnO)单晶在室温下注入了能量在50～380keV之间,总剂量为1.25×1017/cm2的Fe离子.利用慢正电子束技术研究了离子注入产生的缺陷.正电子湮没多普勒展宽测量表明,离子注入产生了大量的空位团.在经过400℃以下的较低温度退火后,这些空位团的尺寸进一步增大,随后在高温退火后空位团开始恢复,经过700℃以上退火后大部分缺陷已经消失,而在1 000℃退火后,所有离子注入产生的缺陷得到消除.X射线衍射测量也表明离子注入产生了晶格损伤,且经过700℃退火后基本得到恢复.另外,在700℃退火的注入样品中还观察到金属Fe的衍射峰,表明Fe离子注入ZnO形成了Fe团簇.磁学测量显示Fe注入的ZnO中表现出了铁磁性.经过700℃高温退火后其磁性并没有发生明显变化.这说明Fe离子注入的ZnO中缺陷对其铁磁性没有影响,铁磁性可能来源于注入的Fe离子.     

高浓度掺铒硅的结构分析

采用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子注入机.合成获得高浓度掺铒硅发光薄膜,并对其进行成分和结构分析.在小束流2.5μA·cm-2、小注量5×1016cm-2的注入条件下,Er注入单晶硅,随着退火温度升高,存在Er析出.且析出量增多.相同束流条件下,增大Er的注量也会导致Er析出,甚至出现ErSi2相.     

高温下氦离子辐照对钨材料微观结构的影响

本文以金属钨为研究对象,研究了高温He~+辐照对钨材料微观结构的影响.在800℃下用20keV的He~+辐照,辐照剂量分别为5×10~(19) He~+/m~2、1×10~(20) He~+/m~2以及5×10~(20) He~+/m~2,然后用透射电镜(TEM)对辐照前后样品的微观结构进行表征.研究结果表明,钨在800℃辐照下有位错环和气泡的产生,随着辐照剂量增加,氦泡的尺寸不断增大,但体密度变小;位错环尺寸变大,体密度变小,位错环不断消失重组,形成了明显的线状位错.并且由g·b=0不可见准则发现,钨在He~+辐照后有1/2〈111〉和〈100〉两种类型的位错环,且1/2〈111〉类型的位错环比例居多.     

重掺Te的GaSb中缺陷的正电子寿命研究

用正电子寿命谱技术研究了重掺Te的GaSb原生样品、电子辐照样品和质子辐照样品.室温正电子寿命测量揭示出原生重掺Te的GaSb样品中存在VGa相关缺陷,其寿命大小约为298 ps.电子辐照会使该缺陷发生变化,导致平均寿命值减小,VGa相关缺陷从-3价变为-2价.质子辐照后,产生了寿命值较大的缺陷.在10-300K变温实验中,观测到3种样品都存在浅捕获缺陷,该浅捕获缺陷是GaSb反位缺陷.     

过硫酸铵引发衣康酸与苎麻纤维接枝共聚反应的研究

以过硫酸铵为引发剂,使衣康酸与苎麻纤维接枝共聚,对反应条件进行了探讨,并对接枝纤维对金属离子的吸附性能进行了初步研究. 结果表明,在过硫酸铵浓度3×10- 2 m ol/L、衣康酸浓度1.80 m ol/L、外加酸浓度1.0 m ol/L、50℃下反应72 h,接枝率较高;经衣康酸接枝的苎麻纤维具有一定的离子吸附能力.     

存在缓冲气体的Cs蒸气中的三体碰撞

研究了C s(6P3/2) C s(6P3/2) H e→C s(n lJ=8S1/2,4F5/2、4F7/2) C s(6S1/2) H e的碰撞能量转移过程.在温度为330~340 K,单模半导体激光器共振激发C s原子至6P2/3态,利用另一与泵浦激光束反向平行激光束作为吸收线探测6P3/2态原子密度及其空间分布.缓冲气体增大了两个6P3/2原子间的能量转移,这可从测量由两个C s(6P3/2)原子碰撞而被布居的n lJ态所发射的荧光得到证实.三体碰撞速率系数分别为(1.80±0.72)×1-0 27cm6-s 1、(1.28±0.51)×10-27cm6s-1、(2.23±0.89)×1-0 27cm6-s 1.     

ZnS∶Mn量子点作为荧光离子探针测定痕量铜(Ⅱ)

采用油相法合成了锰掺杂硫化锌(ZnS:Mn)半导体纳米晶,以水杨醛席夫碱与其进行配体交换,将席夫碱修饰于纳米晶表面.在优化的实验条件下,铜离子的加入使ZnS:Mn荧光出现强烈的猝灭作用.体系荧光强度的降低与Cu2+浓度呈现良好的线性关系,据此建立了测定Cu2+的新方法,其线性范围为2.50×10-7～6.25×10-5 mol·L-1,线性校正方程为1-F/F0=-9.21×10-3+1.60×105 C2+Cu,回归系数r=0.992,检测限为1.11×10-7 mol· L-1.本方法应用于自来水中Cu2+的测定,结果满意.     

苄基十四烷基二甲基氯化铵在汞电极上界面吸附的电化学张力

采用电化学界面张力测量的方法研究了表面活性剂苄基十四烷基二甲基氯化铵(TDMBA)在Hg电极上的吸附行为.在低浓度范围(0～0.07mmol/L)内,TDMBA在Hg电极上的吸附为单层吸附;而在较高浓度范围(0.10～2.00mmol/L)内,能够形成多层吸附.TDMBA在Hg电极上形成单层吸附时与形成多层吸附时的界面张力随施加电位变化有明显的区别,其临界胶束浓度分别为0.04,0.90mmol/L.在-0.7V电位下,TDMBA分子在其饱和吸附单层上的界面超量的最大值为1.452×10-6mol/m2,并据此计算出TDMBA分子的横截面积(1.143×10-18m2)和分子直径(1.207nm).     

低能氮离子注入三孢布拉氏霉诱变育种方法研究

为探索筛选β-胡萝卜素高产菌株的诱变育种方法,采用低能氮离子对三孢布拉氏霉负菌孢子进行辐照.研究了不同剂量对三孢布拉氏霉存活率、菌丝长势、菌落形态、产孢特性和突变率的影响,并采用高效液相色谱法测定了β-胡萝卜素含量.结果表明:随着注入剂量的增加,其存活率呈现先减小后增大再减小的"马鞍型"剂量效应曲线;除14×1015N+/cm2外,其它剂量下平板培养菌丝均密度增大、长度减小、长速加快、颜色变黄且长出一定量褐色的隐性孢子;其总突变率和正突变率呈现先增加后减小的变化趋势,当剂量为12×1015N+/cm2时,总突变率和正突变率均达到最大,且筛选出1株β-胡萝卜素产量达到1.252g/L,比出发菌株1.044 g/L提高了25%的高产菌株BT12-12-05,通过传代实验发现其遗传稳定.     

钴-PAR-曙红离子缔合物显色反应机理研究及应用

本文研究了在聚乙烯醇—乳化剂OP混合增溶剂存在下,Co2 —PAR—曙红离子缔合物的显色反应,提出了一种测定Co2 的新方法,并将其反应用于悬构子中痕量钴的测定,离子缔合物的最大吸收波长为515 nm,摩尔吸光系数ε=8.5×104L/m o l.cm.在测定条件下,钴含量在0μg~20μg/25 mL范围内成线性关系,符合比耳定律.     

Cs-He光学碰撞中的非绝热跃迁

激光激发Cs He碰撞复合物,测量了Cs(62P)精细结构布居数分支比,由此证实了发生在光学碰撞中的非绝热跃迁.激光频率从Cs(6P3/2)红翼30cm-1调至蓝翼30cm-1,在6P3/2的近翼,分支比与矢谐量有很大的关系.同时测量了Cs(6PJ)态的精细结构转移截面,截面值σ21=9.8×10-19cm2.     

LS-303B型树脂对银杏黄酮的吸附研究

研究了LS-303B型树脂对黄酮的吸附性能.结果表明,柱长8cm,内径1.0cm,内装2.5g LS-303B树脂的吸附柱,静态条件下,在pH2～6盐酸介质中,对银杏黄酮具有良好的吸附性能,最大静态吸附量为588.23μg/g.等温吸附符合Freundlich方程式,相关系数在0.98以上;当黄酮平衡浓度≥8.0μg/mL时,吸附还符合Langmuir等温式.负载柱可用60%的乙醇完全洗脱.